铸锭生长硅晶体的装料方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113943975A(43)申请公布日2022.01.18(21)申请号202010681027.7(22)申请日2020.07.15(71)申请人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司地址215000江苏省苏州市高新区鹿山路199号申请人包头阿特斯阳光能源科技有限公司(72)发明人王全志(74)专利代理机构北京景闻知识产权代理有限公司11742代理人曹雪荣(51)Int.Cl.C30B28/06(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称铸锭生长硅晶体的装料方法(57)摘要本发明公开了一种铸锭生长硅晶体的装料方法，所述装料方法包括：将硅块装入炉体内，使硅块自炉体的底部向上铺设；在所述硅块的最上方铺设至少两层交叠设置的硅片，每层具有多个阵列分布的硅片，且任意相邻的两层硅片满足以下分布条件：上层各个硅片之间的缝隙与下层各个硅片之间的缝隙错开；盖上炉盖。通过在装料时在硅料的最上层紧密铺设两层以上硅片，硅片采用错位交叠的方式进行铺装，由于硅片的体积膨胀较小，因此可以避免体积膨胀带来的不安全，同时由于硅片的面积较硅块大、更完整，因此形成阻挡屏障，气流不能穿过硅片进入下方硅料中，由此有效阻挡气流的进入硅块内。CN113943975ACN113943975A权利要求书1/1页1.一种铸锭生长硅晶体的装料方法，其特征在于，包括：将硅块装入炉体内，使硅块自炉体的底部向上铺设；在所述硅块的最上方铺设至少两层交叠设置的硅片，且每层具有多个阵列分布的硅片，且任意相邻的两层硅片满足以下分布条件：上层各个硅片之间的缝隙与下层各个硅片之间的缝隙错开；盖上炉盖。2.根据权利要求1所述的装料方法，其特征在于，每层硅片沿第一方向呈多排分布且沿第二方向呈多列分布，上层硅片的缝隙与下层硅片的缝隙在第一方向、第二方向均错开。3.根据权利要求2所述的装料方法，其特征在于，位于最上层的一层硅片组成的上表面自炉体的外沿向中心逐渐下沉。4.根据权利要求3所述的装料方法，其特征在于，所述炉体为方形，所述硅片相对于所述炉体的宽度方向对称分布。5.根据权利要求3所述的装料方法，其特征在于，下沉的深度为30mm-80mm。6.根据权利要求2-5中任一项所述的装料方法，其特征在于，所述硅片的层数为3-5层。7.根据权利要求6所述的装料方法，其特征在于，所述硅片的厚度为150微米-200微米。8.根据权利要求7所述的装料方法，其特征在于，所述硅片为矩形，所述硅片的长、宽各自为150mm-180mm。9.根据权利要求1-5中任一项所述的装料方法，其特征在于，在铺设所述硅片前还包括：铺设一层细碎硅料，所述细碎硅料的粒径为1cm-2cm，所述硅块的粒径为5-10mm。2CN113943975A说明书1/4页铸锭生长硅晶体的装料方法技术领域[0001]本发明涉及硅晶体制造领域，尤其是涉及一种铸锭生长硅晶体的装料方法。背景技术[0002]氧碳含量主要是由于气体携带氧碳元素进入到硅料，熔化后溶解到硅液，凝固沉积在晶体硅内部而造成。氧碳含量对晶体品质具有非常严重的影响。氧碳元素的浸入是从熔化前就已经开始了，当携带杂质的气体随着气流浸入到硅料内部，在硅料内部因为气体流动速度有了很大的降低，因此杂质沉落在了硅料表面，待浸入熔化后杂质自然就留在了硅料溶液中，[0003]常规的硅料铺装是最后是放置硅块，硅料之间存在较大的缝隙，为了预留硅料之间的体积膨胀距离，增加安全系数，硅料之间的缝隙是必须保留的，但是存在缝隙，气体就较容易沿着缝隙进入到硅料内部。发明内容[0004]本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种铸锭生长硅晶体的装料方法。[0005]根据本发明第一方面实施例的铸锭生长硅晶体的装料方法，包括：将硅块装入炉体内，使硅块自炉体的底部向上铺设；在所述硅块的最上方铺设至少两层交叠设置的硅片，每层具有多个阵列分布的硅片，且任意相邻的两层硅片满足以下分布条件：上层各个硅片之间的缝隙与下层各个硅片之间的缝隙错开；盖上炉盖。[0006]在一些实施例中，每层硅片沿第一方向呈多排分布且沿第二方向呈多列分布，上层硅片的缝隙与下层硅片的缝隙在第一方向、第二方向均错开。[0007]在一些实施例中，位于最上层的一层硅片组成的上表面自炉体的外沿向中心逐渐下沉。[0008]在一些实施例中，所述炉体为方形，所述硅片相对于所述炉体的宽度方向对称分布。[0009]在一些实施例中，所述炉体为圆形，所述上表面为圆锥形。[0010]在一些实施例中，下沉的深度为30mm-80mm。[0011]在一些实施例中，所述硅片的层数为3-5层。[0012]在一些实施例中，所述硅片的厚度为