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一种基于导模法生长装置的氧化镓晶体生长方法.pdf
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一种基于导模法生长装置的氧化镓晶体生长方法.pdf
本发明公开了一种基于导模法生长装置的氧化镓晶体生长方法，其中，所述氧化镓生长装置包括氧化镓晶体生长炉以及设置在所述氧化镓晶体炉侧边的激光辅助加热器，所述晶体生长方法包括步骤：在晶体生长过程中，当观察到氧化镓晶体上出现杂晶时，通过所述激光辅助加热器发出激光并射在所述杂晶上，去除所述杂晶。本发明通过所述激光辅助加热器发出的激光加热并熔化氧化镓晶体上出现的杂晶，其效果直接快速，定位精准高效，本发明有效解决了导模法生长氧化镓晶体过程中模具口附近的固液界面处由于不可预知的微小的扰动导致杂晶产生这一技术难题。
2023-06-15
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本发明公开了一种基于导模法生长装置的氧化镓晶体生长方法，其中，所述氧化镓生长装置包括氧化镓晶体生长炉以及设置在所述氧化镓晶体炉侧边的激光辅助加热器，所述晶体生长方法包括步骤：当观察到晶体生长固液界面处存在挥发物时，通过所述激光辅助加热器发出激光并射在所述挥发物上，使所述挥发物挥发。本发明通过所述激光辅助加热器发出的激光加热并熔化附着在所述固液界面附近的挥发物，效果直接快速，定位精准高效，本发明有效解决了导模法生长氧化镓晶体过程中挥发物极易导致的杂晶、裂纹等缺陷这一技术难题。
2023-06-15
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氧化镓晶体生长装置及生长方法.pdf
本公开提供了一种氧化镓晶体生长装置及生长方法，氧化镓晶体生长装置包括坩埚、坩埚托、炉体、温控装置和盖板。坩埚具有第一端和第二端，坩埚的第一端设置有用于盛装籽晶的籽晶腔，且籽晶腔封闭，坩埚的第二端通过盖板密封，盖板上开设有溢气孔；炉体设置有炉腔，坩埚位于炉腔内，且坩埚支撑于坩埚托上；炉腔由下至上依次设置有第一温区、第二温区和第三温区，温控装置设置于第一温区、第二温区和第三温区，用于加热第一温区、第二温区和第三温区并控制其温度；坩埚的籽晶腔设置于第一温区，坩埚的第二端设置于第三温区。氧化镓晶体生长装置及生长方
2023-06-16
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2023-06-15
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2023-06-15
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