单晶生长装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114606565A(43)申请公布日2022.06.10(21)申请号202210100195.1(22)申请日2022.01.27(71)申请人徐州鑫晶半导体科技有限公司地址221004江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号(72)发明人陈俊宏(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201专利代理师吴婷(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B15/26(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图6页(54)发明名称单晶生长装置(57)摘要本发明公开了一种单晶生长装置，单晶生长装置包括：炉体、坩埚、导流筒、反射模块和图像接收模块，炉体内限定出炉室，坩埚可升降地设于炉室内，导流筒位于坩埚上方且中心设有适于晶棒穿过的通道，导流筒内形成第一光线传输通道和第二光线传输通道，坩埚的内周壁和坩埚内溶汤的交界位置与和第二光线传输通道连通的入光孔相对的区域为检测区域，反射模块包括第一反射件，第一反射件设于第一光线传输通道和第二光线传输通道的连通位置，并将进入第二光线传输通道的光线反射转向第一光线传输通道，检测区域的图像通过反射模块反射后进入图像接收模块。根据本发明的单晶生长装置，可以准确地观测坩埚内溶汤的液面高度，利于保证单晶的生长质量。CN114606565ACN114606565A权利要求书1/2页1.一种单晶生长装置，其特征在于，包括：炉体，所述炉体内限定出炉室；坩埚，所述坩埚可升降地设于所述炉室内；导流筒，所述导流筒位于所述炉室内且位于所述坩埚上方，所述导流筒的中心设有适于晶棒穿过的通道，所述导流筒内形成呈一定夹角且连通的第一光线传输通道和第二光线传输通道，所述导流筒上形成与所述第一光线传输通道连通的出光孔以及与所述第二光线传输通道连通的入光孔，所述坩埚的内周壁和所述坩埚内溶汤的交界位置与所述入光孔相对的区域为检测区域；反射模块，所述反射模块包括第一反射件，所述第一反射件设于所述第一光线传输通道和所述第二光线传输通道的连通位置，所述第一反射件适于将进入所述第二光线传输通道的光线反射转向所述第一光线传输通道内；图像接收模块，所述检测区域的图像适于通过所述反射模块反射后进入所述图像接收模块。2.根据权利要求1所述的单晶生长装置，其特征在于，所述第一反射件为经过抛光处理的硅片或钼片。3.根据权利要求1所述的单晶生长装置，其特征在于，在由所述第一反射件至所述出光孔的方向上，所述第一光线传输通道朝向背离所述晶棒的方向倾斜向上延伸；在由所述第一反射件至所述入光孔的方向上，所述第二光线传输通道朝向背离所述晶棒的方向倾斜向下延伸。4.根据权利要求1所述的单晶生长装置，其特征在于，所述入光孔和所述出光孔分别位于所述导流筒沿上下方向的相对两侧。5.根据权利要求1所述的单晶生长装置，其特征在于，所述图像接收模块与所述检测区域位于所述晶棒的径向方向上的同一侧，所述出光孔朝向所述图像接收模块。6.根据权利要求1所述的单晶生长装置，其特征在于，所述反射模块还包括：至少一个第二反射件，所述第二反射件设于所述第一反射件的上方，所述第一反射件的反射光线适于经过所述第二反射件反射后进入所述图像接收模块。7.根据权利要求6所述的单晶生长装置，其特征在于，所述图像接收模块和所述检测区域位于所述晶棒的径向方向上的相对两侧，所述检测区域的图像适于经过所述第一反射件和所述第二反射件反射后绕开所述晶棒进入所述图像接收模块。8.根据权利要求7所述的单晶生长装置，其特征在于，所述第二反射件设有多个，多个所述第二反射件沿所述导流筒的周向间隔排布，且多个所述第二反射件沿上下方向间隔排布，所述第一反射件的反射光线适于依次经过多个所述第二反射件反射后绕开所述晶棒进入所述图像接收模块。9.根据权利要求8所述的单晶生长装置，其特征在于，所述第二反射件设有两个，将两个所述第二反射件分别定义为：一级反射件和二级反射件，所述一级反射件位于所述第一反射件的右上侧，所述一级反射件适于将所述第一反射件的反射光线朝向右后侧倾斜向上反射；所述二级反射件位于所述一级反射件的上侧，且所述二级反射件位于所述一级反射件的右后侧，所述二级反射件适于将所述一级反射件的反射光线朝向左后方倾斜向上反射。2CN114606565A权利要求书2/2页10.根据权利要求1‑9中任一项所述的单晶生长装置，其特征在于，所述炉体顶壁的内侧设有环形导轨，所述环形导轨限定出滑槽，所述图像接收模块的顶部设有滑块，所述滑块嵌设在所述滑槽内，且所述滑块适于沿所述环形导轨的延伸方向滑动，以调节所述图像接收模块与所述反射模块在所述炉体周向方向上的相对位置；所述图像接收模块包括：第一子接收模块，所述第一子接