一种MEMS器件及其制备方法、电子装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114655919A(43)申请公布日2022.06.24(21)申请号202011546984.5(22)申请日2020.12.23(71)申请人无锡华润上华科技有限公司地址214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号(72)发明人徐海宁陈腾飞李召峰(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336专利代理师冯永贞(51)Int.Cl.B81C1/00(2006.01)B81B7/02(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称一种MEMS器件及其制备方法、电子装置(57)摘要本申请公开了一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述制备方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成振膜；执行第一退火步骤；在所述振膜上形成牺牲材料层，以覆盖所述振膜；在所述牺牲材料层上形成背板；执行第二退火步骤；去除所述振膜与所述背板之间的所述牺牲材料层，以形成空腔。所述方法通过多道退火步骤结合分开调整各层的应力，达到目前淀积条件调整方法无法达到的各层应力要求同时提高工艺的稳定性和窗口，所述方法还可以将膜层的形成条件一致化，提高炉管的产能利用率。CN114655919ACN114655919A权利要求书1/1页1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成振膜；执行第一退火步骤；在所述振膜上形成牺牲材料层，以覆盖所述振膜；在所述牺牲材料层上形成背板；执行第二退火步骤；去除所述振膜与所述背板之间的所述牺牲材料层，以形成空腔。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述振膜和所述背板的材料相同；和/或所述振膜和所述背板的形成工艺相同。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二退火步骤的温度小于所述第一退火步骤的温度。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述振膜和所述背板的生长温度为540℃～560℃，压力为200mtor～300mtor。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一退火步骤的温度为1015℃‑1030℃，时间为95min～115min；所述第二退火步骤的温度为970℃‑980℃，时间为95min～115min。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述振膜的生长温度为540℃～560℃，压力为200mtor～300mtor；和/或所述背板的生长温度为540℃～560℃，压力为200mtor～300mtor。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还进一步包括：图案化所述半导体衬底，以形成露出所述振膜的背腔。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成所述振膜之前，所述制备方法还包括在所述半导体衬底上形成绝缘层的步骤。9.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件通过权利要求1至8之一所述制备方法制备得到。10.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求9所述的MEMS器件。2CN114655919A说明书1/7页一种MEMS器件及其制备方法、电子装置技术领域[0001]本申请涉及MEMS领域，具体而言涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。背景技术[0002]MEMS(Micro‑Electro‑MechanicalSystem)工艺由于涉及到微机械结构力学特性，对每道膜层的应力都有特定的要求，对于要求多层膜层而且每层膜层需要不同应力的MEMS结构，为了满足每层膜层应力需求，一般是通过淀积不同应力的膜层满足要求。但由于应力膜层生长特性，生产同时满足应力，表面粗糙度以及稳定性的膜层的工艺窗口比较小，在一些苛刻要求条件可能无法通过这种方式兼顾工艺的应力要求和工艺稳定性。[0003]因此需要对目前所述制备方法进行改进，以解决上述问题。发明内容[0004]针对现有技术中存在的问题，本申请提供了一种MEMS器件的制备方法，所述制备方法包括：[0005]提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成振膜；[0006]执行第一退火步骤；[0007]在所述振膜上形成牺牲材料层，以覆盖所述振膜；[0008]在所述牺牲材料层上形成背板；[0009]执行第二退火步骤；[0010]去除所述振膜与所述背板之间的所述牺牲材料层，以形成空腔。[0011]可选地，所述振膜和所述背板的材料相同；和/或[0012]所述振膜和所述背板的形成工艺相同。[0013]可选地，所述第二退火步骤的温度小于所述第一退火步骤的温度。[0014]可选地，所述振膜和所述背板的生长温度为540℃～560℃，压力为200mtor～300mtor。[0015]可选地，所述第一退火步骤的温度为1015℃‑1030℃，时间为95min～115min；[0016]所