一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统.pdf
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一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统.pdf
本发明涉及外延生长技术领域,具体公开了一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统,其中,该装置包括:装载室,所述装载室内具有与外界隔绝的装载腔;托盘,安装在所述装载腔内;片盒,设置在所述托盘上,用于存放所述衬底;所述装置还包括:顶杆,设置在所述装载室外;磁力件,固定在所述顶杆上,且与所述装载室内的所述托盘磁性相吸;升降机构,安装在所述装载室外,与所述顶杆连接;该装置实现了对装载室内托盘的无接触式驱动,从而保留了装载室的完整性,提高了装载室的密封度。
一种适用于外延炉的衬底传送装置.pdf
本发明公开了一种适用于外延炉的衬底传送装置,包括依次相连的机械手、悬臂以及托盘,所述悬臂上设有沿悬臂长度方向布置的移动杆以及与移动杆配合的位置传感器,所述移动杆上设有定位块,所述悬臂与所述移动杆之间设有弹性复位件。本发明具有结构简单、有利于提高高温环境下的重复传送精度等优点。
一种外延炉的阀门隔热装置及外延炉.pdf
本发明属于外延生长技术领域,特别涉及一种外延炉的阀门隔热装置及外延炉,其中,外延炉的阀门隔热装置包括:法兰,用于连接外延炉的反应室和外延炉的传输阀,法兰上设有用于进行衬底上下料的传输口;装置还包括:隔热挡板,活动安装在法兰靠近反应室的一侧;驱动机构,安装在法兰上,且与隔热挡板连接,用于根据反应室的运行状态驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输口;该装置能根据反应室的运行状态利用驱动机构驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输阀与反应室之间的法兰上的传输口,从而减少了传输阀的温升,有效避免了传输阀的阀板因高温而损耗使用寿
一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法.pdf
本发明公开了一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法,首先将硅衬底放入桶式外延炉内进行初始定位后在硅衬底表面进行外延生长形成第一层外延层,第一层外延层厚度小于设定外延层总厚度;然后将形成第一层外延层的硅衬底相对初始位置转动,进行外延生长至设定外延层总厚度,采用两步生长过程,先进行第一层外延层生长,形成的第一层外延层覆盖了衬底,在进行二次生长时,硅衬底正面及侧面边缘杂质的蒸发被第一层外延层抑制;硅衬底背面采用多晶及氧化层进行背封,背面杂质的蒸发也被有效抑制,再次生长完成外延层生长,能够有效抑制外延自掺杂效应
一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的方法及装置.pdf
本发明提供了一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的方法及装置,该方法包括以下步骤:(1)将碳化硅衬底放入石墨板上,石墨板位于坩埚内,将所述坩埚置于加热炉内;(2)使用电子束将坩埚加热至2000℃以上,加热的时间为5~15min,使碳化硅衬底的表面平整化;(3)控制加热炉的温度为1300~1600℃,使碳化硅衬底表面形成石墨烯层。通过使用电子束加热坩埚,使坩埚的瞬时温度达到2000℃以上,坩埚向内部的碳化硅衬底传递热量,使得碳化硅衬底表面的杂质和部分硅源碳源升华,使其表面平整化,从而改善了石墨烯基层的形成质量,