二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114988441A(43)申请公布日2022.09.02(21)申请号202210651496.3(22)申请日2022.06.10(71)申请人南通特乃博高新材料有限公司地址226600江苏省南通市海安市高新区（原海安镇）长江西路288号6幢(72)发明人步文博汪霖(74)专利代理机构苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙)32304专利代理师浦蓉(51)Int.Cl.C01F7/021(2022.01)C01B33/145(2006.01)C01B33/148(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体(57)摘要本发明公开了二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体，包括如下步骤：将γ‑氧化铝粉体投入质量分数为25‑40%的二氧化硅溶胶中，通过加热式搅拌器搅拌γ‑氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，制得混合溶胶，将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，去除混合溶胶中残留的水溶液，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，将混合溶胶干燥处理，再将混合溶胶放入烘箱内固化处理，将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内煅烧处理后进行粉碎处理，制得二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体。本方案节省了时间以及制备工序，同时还蒸发处理的废弃液，提升了二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体制备效率。CN114988441ACN114988441A权利要求书1/1页1.二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体，其特征在于，包括以下步骤：S1、将γ‑氧化铝粉体投入质量分数为25‑40%的二氧化硅溶胶中；S2、通过加热式搅拌器搅拌γ‑氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在60‑80℃，搅拌20‑40分钟后加入交联剂，制得混合溶胶；S3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在90‑100℃，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；S4、经S3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌30‑60分钟后，加入质量分数为2‑5%的催化剂，抽气的时间为10‑20分钟，用于将混合溶胶干燥处理；S5、经S4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为150‑180℃，烘箱工作的时间为35‑50分钟，用于将混合溶胶固化处理；S6、将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内，煅烧炉内的温度控制在550‑600℃，煅烧的时间为4‑8小时后取出并冷却至室温；S7、经S6处理后将煅烧后的混合溶液粉碎并过筛处理，用于制得二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体。2.根据权利要求1所述的二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体，其特征在于，所述γ‑氧化铝粉体和二氧化硅纳溶胶的质量比为3:2。3.根据权利要求1所述的二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体，其特征在于，所述交联剂为二丙烯酰胺。4.根据权利要求1所述的二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体，其特征在于，所述加热式搅拌器的初次转速为50‑80转每分钟、二次转速为80‑100转每分钟。5.根据权利要求1所述的二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体，其特征在于，所述催化剂为乙二胺。2CN114988441A说明书1/4页二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体技术领域[0001]本发明涉及γ‑氧化铝粉体加工技术领域，尤其涉及二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体。背景技术[0002]γ‑氧化铝粉体用于制镶牙水泥、瓷器、油漆的填料、媒染剂、金属铝等，由于γ‑氧化铝在加热至一定温度后会转化为α‑氧化铝，导致γ‑氧化铝在高温环境状态下具有一定的局限性，二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体在高温环境下具有一定的稳定性，使得γ‑氧化铝在超出一定温度后不会转化，保持了γ‑氧化铝自身的特性；而二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体在制备时，通常使用化学沉淀干燥的方式进行制备，所需的工序较多，而且容易产生废弃液，在处理时也会浪费时间，降低制备效率。发明内容[0003]本发明提出了二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体，以解决上述背景技术中提出的问题。[0004]本发明提出了二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体，包括以下步骤：S1、将γ‑氧化铝粉体投入质量分数为25‑40%的二氧化硅溶胶中；S2、通过加热式搅拌器搅拌γ‑氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在60‑80℃，搅拌20‑40分钟后加入交联剂，制得混合溶胶；S3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在90‑100℃，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；S4、经S3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌30‑60分钟后，加入质量分数为2‑5%的催化剂，抽气的时间为10‑20分钟，用于将混合溶胶干燥处理；S5、经S4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为150‑180℃，烘箱工作的