一种二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115161615A(43)申请公布日2022.10.11(21)申请号202210999714.2(22)申请日2022.08.19(71)申请人山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司地址250000山东省济南市中国（山东）自由贸易试验区济南片区浪潮路1036号浪潮科技园S01楼35层(72)发明人张璐林宁亚展永政张青(74)专利代理机构北京连和连知识产权代理有限公司11278专利代理师黄艳南马鹏林(51)Int.Cl.C23C16/02(2006.01)C23C16/30(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图1页(54)发明名称一种二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法(57)摘要本发明提供了一种二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法，方法包括：使用蓝宝石衬底作为衬底来生长石墨烯；称取三氧化钨、三氧化钼、硫粉分别放入陶瓷舟内，并将陶瓷舟分别放置于管式炉中；管式炉连接真空泵抽真空通入氩气充满整个石英管腔室，加热生长合金；生长结束后，持续通入氩气，直至管式炉冷却至室温。本发明在蓝宝石衬底上反应加上对衬底的处理，更容易得到硫化钼钨合金薄膜，且蓝宝石衬底的处理方法简单便捷。三氧化钼、三氧化钨和硫粉反应生成硫化钼钨合金的方法操作简单便捷，气体流量、生长时间、生长温度等反应条件比较成熟，能够得到大面积连续高质量的二维硫化钼钨合金薄膜。CN115161615ACN115161615A权利要求书1/1页1.一种二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：使用蓝宝石衬底作为衬底来生长石墨烯；称取三氧化钨、三氧化钼、硫粉分别放入陶瓷舟内，并将陶瓷舟分别放置于管式炉中；管式炉连接真空泵抽真空通入氩气充满整个石英管腔室，加热生长合金；生长结束后，持续通入氩气，直至管式炉冷却至室温。2.根据权利要求1所述的二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法，其特征在于，使用蓝宝石衬底作为衬底来生长石墨烯之前，还包括衬底的处理，衬底的处理方法包括以下步骤：步骤S1、将衬底用棉花擦拭2min，然后在洗洁精溶液中超声20min；步骤S2、依次在去离子水中超声20min，在酒精中超声30min，在丙酮中超声20min；步骤S3、将衬底取出后用高纯氮气吹干，并进行等离子体清洗机清洗20min去除衬底上的有机杂质。3.根据权利要求1所述的二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法，其特征在于，称取三氧化钨、三氧化钼、硫粉分别放入陶瓷舟内时，称取0.1g的三氧化钨然后放入第一陶瓷舟内，称取0.1g的三氧化钼然后放入第二陶瓷舟内，称取1.5g的硫粉放入第三陶瓷舟内。4.根据权利要求3所述的二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法，其特征在于，称取0.1g的三氧化钨然后放入第一陶瓷舟内后，还包括将蓝宝石衬底抛光面面朝下扣放在装有三氧化钨的第一陶瓷舟内，第一陶瓷舟放置于管式炉中的高温恒温区中央位置。5.根据权利要求4所述的二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法，其特征在于，称取0.1g的三氧化钼然后放入第二陶瓷舟内后，还包括将第二陶瓷舟放置于管式炉中的距离装有三氧化钨的第一陶瓷舟15cm处。6.根据权利要求5所述的二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法，其特征在于，称取1.5g的硫粉放入第三陶瓷舟内后，还包括将第三陶瓷舟放置于管式炉中的距离装有三氧化钨的第一陶瓷舟30cm处。7.根据权利要求6所述的二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法，其特征在于，管式炉连接真空泵抽真空通入氩气充满整个石英管腔室时，连接真空泵抽真空，通入流速为100sccm的氩气60min，使氩气充满整个石英管腔室，排尽腔室内的空气。8.根据权利要求7所述的二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法，其特征在于，加热生长合金时，包括持续通入流速为100sccm的氩气作为保护气氛，将管式炉在10min内加热至100℃温度。9.根据权利要求8所述的二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法，其特征在于，加热生长合金时，还包括将管式炉在30min内加热至550℃温度，将管式炉在10min内加热至900℃温度，恒温反应30min来生长合金。10.根据权利要求9所述的二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法，其特征在于，生长结束后，持续通入流速为100sccm的氩气。2CN115161615A说明书1/9页一种二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法技术领域[0001]本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及纳米材料制备技术领域，具体涉及一种二维硫化钼钨合金薄膜的制备方法。背景技术[0002]二维材料是纳米材料领域重要的一部分，二维材料是对一类材料的统称，指的只有一个或几个原子层厚的薄膜材料。人们一直认为厚度小至原子尺寸的薄膜被认定在热力学上是不稳定的，所以是不可能存在的，直到2004年单层结构的石墨烯被制备出来，才证明了二维材料的存在，从此对二维