一种TOPCon电池及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115295680A(43)申请公布日2022.11.04(21)申请号202211032571.4(22)申请日2022.08.26(71)申请人正泰新能科技有限公司地址314400浙江省嘉兴市海宁市尖山新区吉盛路1号(72)发明人俞益波潘红军康忠平吴孙弟卢玉荣(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227专利代理师夏菁(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/06(2012.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种TOPCon电池及其制备方法(57)摘要本发明涉及太阳能电池制造领域，特别是公开了一种TOPCon电池及其制备方法通过对硅基体的正面氧化，得到正面氧化层；在所述硅基体的背面依次设置背面氧化层及多晶硅层；对所述正面氧化层的SE区进行激光开槽，得到扩散前置物，所述扩散前置物正面的凹槽贯穿所述正面氧化层；对所述扩散前置物的正面进行硼扩散，得到电池预制物；对所述电池预制物进行背面磷扩散、表面钝化及设置电极之后，得到所述TOPCon电池。本发明生产TOPCon电池仅需要一次扩散不仅简化了工艺流程，还大大延长了反应炉的使用寿命，同时降低了生产过程中对硼扩散药剂的需求，进而大大降低了生产成本。CN115295680ACN115295680A权利要求书1/1页1.一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括：对硅基体的正面氧化，得到正面氧化层；在所述硅基体的背面依次设置背面氧化层及多晶硅层；对所述正面氧化层的SE区进行激光开槽，得到扩散前置物，所述扩散前置物正面的凹槽贯穿所述正面氧化层；对所述扩散前置物的正面进行硼扩散，得到电池预制物；对所述电池预制物进行背面磷扩散、表面钝化及设置电极之后，得到所述TOPCon电池。2.如权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，在对所述电池预制物进行背面磷扩散之前，还包括：对所述电池预制物进行酸洗。3.如权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述在所述硅基体的背面依次设置背面氧化层及多晶硅层包括：将两个设置所述正面氧化层的硅基体正面贴合、装篮，并依次进行氧化及多晶硅设置，分别得到两个硅基体的背面氧化层及多晶硅层。4.如权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，在得到所述正面氧化层之后，还包括：对所述硅基体的背面进行酸洗，去除所述背面的氧化物杂质。5.如权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，在对所述硅基体的背面进行酸洗之后，还包括：对经过酸洗的硅基体的背面进行碱抛光。6.如权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度的范围为0.01微米至1.00微米，包括端点值。7.如权利要求1至6任一项所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述电池预制物的SE区的方阻的范围为60Ω/sq至150Ω/sq，包括端点值。8.如权利要求7所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述对所述扩散前置物的正面进行硼扩散的扩散温度的范围为900摄氏度至1050摄氏度，包括端点值。9.如权利要求8所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述硼扩散的扩散时间的范围为120分钟至240分钟，包括端点值。10.一种TOPCon电池，其特征在于，所述TOPCon电池为通过权利要求1至权利要求9中任一项所述的TOPCon电池的制备方法得到的太阳能电池。2CN115295680A说明书1/5页一种TOPCon电池及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池制造领域，特别是涉及一种TOPCon电池及其制备方法。背景技术[0002]随着光伏电池片随着不断的提效升级，市场上不断出现新的提效技术，TOPCon(TunnelOxidePassivatedContacts)技术就是其中之一。[0003]现有的TOPCon电池为了实现发射极区域与非发射极区域的方阻差异，采用的多为二次扩散方法，也即先在电池片表面统一进行一次掺杂物扩散，再在发射极区域开槽，再在开槽后的表面进行二次扩散，这样就相当于在发射极区进行了一次掺杂物扩散，在非发射极区进行了两次掺杂物扩散，以此来达成发射极区域的方阻大于非发射极区域的方阻的效果。[0004]但需要注意的是，在进行掺杂物扩散的过程中，往往伴随着极高的温度，同时会在反应炉上生成许多副产物，使炉壁上产生不可控的应力，而在应力和高温的作用下，反应炉的使用寿命会大大缩短，使生产成本大幅度提高，同时，需要进行两次扩散也大大提升了生产流程的复杂程度。[0005]因此，如何找到一种TOPCon电池及其制备方法，兼顾低成本与流程简洁，就成了现有技术中亟待解决的问题。发明内容[0006]本发明