一种球形低密度氧化硅填料.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115368754A(43)申请公布日2022.11.22(21)申请号202210967910.1C08K7/18(2006.01)(22)申请日2022.08.12C08L63/00(2006.01)(71)申请人吉安豫顺新材料有限公司地址343900江西省吉安市遂川县工业园区东区(72)发明人周蔚张光辉(74)专利代理机构南昌科德知识产权代理事务所(普通合伙)36143专利代理师胡群(51)Int.Cl.C09C1/30(2006.01)C09C3/00(2006.01)C09C3/04(2006.01)C09C3/06(2006.01)C09C3/08(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种球形低密度氧化硅填料(57)摘要本发明开发了一种球形低密度氧化硅填料，通过使氧化硅填料吸附一定量的异丙醇铝醇溶液，然后喷入爆震室，使吸附异丙醇铝醇溶液的氧化硅填料发生燃烧和爆震，以提高其内部孔隙率，同时再通过溶胶封闭和球化炉球化工艺，使氧化硅填料表面封闭，可有效防止封装或黏合胶液填充内部孔隙，达到在应用时降低其表观密度的作用，有效防止沉降和凝聚。CN115368754ACN115368754A权利要求书1/1页1.一种球形低密度氧化硅填料的制备工艺，其特征在于：所述制备工艺如下：(1)取一定量微米级别的氧化硅填料，加入所述氧化硅填料质量0.6‑0.8倍的异丙醇铝醇溶液，搅拌均匀得浆料A；(2)通过喷嘴将浆料A以一定速率喷入爆震室，同时爆震室内通入过量空气并点火，使浆料A中溶剂完全燃烧，经燃烧和爆震后得粉料B；(3)在粉料B上喷洒质量15％‑20％的水玻璃水溶液，搅拌均匀后通过经球化炉后，制得球形低密度氧化硅填料。2.根据权利要求1所述球形低密度氧化硅填料的制备工艺，其特征在于：第(1)步所述氧化硅填料的粒径为1μm‑10μm。3.根据权利要求1所述球形低密度氧化硅填料的制备工艺，其特征在于：第(1)步所述氧化硅填料吸湿至含水率3％‑5％后再添加异丙醇铝醇溶液。4.根据权利要求1所述球形低密度氧化硅填料的制备工艺，其特征在于：第(1)步所述氧化硅填料经低温等离子体表面处理机处理，所述低温等离子体表面处理机的处理频率为13.5MHz，温度为室温，处理时间为5min‑10min。5.根据权利要求1所述球形低密度氧化硅填料的制备工艺，其特征在于：第(1)步所述异丙醇铝醇溶液的质量分数为1％‑2％。6.根据权利要求1所述球形低密度氧化硅填料的制备工艺，其特征在于：第(1)步所述异丙醇铝醇溶液所用溶剂为乙醇或异丙醇。7.根据权利要求1所述球形低密度氧化硅填料的制备工艺，其特征在于：第(3)步所述水玻璃水溶液的质量分数为2％‑3％。8.根据权利要求1所述球形低密度氧化硅填料的制备工艺，其特征在于：第(3)步所述球化炉的温度控制在1850℃‑1900℃，物料流为10‑20kg/h。2CN115368754A说明书1/4页一种球形低密度氧化硅填料技术领域[0001]本发明涉及氧化硅填料的生产工艺，尤其涉及一种球形低密度氧化硅填料。背景技术[0002]氧化硅填料作为增稠剂、强化剂等应用于橡胶、集成电路封装等各个领域，其主要产品形式包括纳米二氧化硅、硅微粉。其中，硅微粉是一种用途极为广泛的无机材料，具有导热系数小、介电性能优、热膨胀系数小、耐腐蚀等特点，其在集成电路封装、覆铜板黏合等领域有着广泛的应用。[0003]由于硅微粉的粒径一般在微米级别，导致其堆积密度在0.2g/cm3左右，但此堆积密度是由于硅微粉颗粒之间的堆积孔隙率造成的，在集成电路封装、覆铜板黏合等领域应用时，与封装或黏合胶液混合后，硅微粉则表现出真密度，其密度较大，容易沉降和凝聚。[0004]为此，本发明开发了一种球形低密度氧化硅填料，使其内部孔隙率较高，同时再通过溶胶封闭和球化炉球化工艺，使氧化硅填料表面封闭，可有效防止封装或黏合胶液填充内部孔隙，达到在应用时降低其表观密度的作用，有效防止沉降和凝聚。发明内容[0005]本发明开发了一种球形低密度氧化硅填料，通过使氧化硅填料吸附一定量的异丙醇铝醇溶液，然后喷入爆震室，使吸附异丙醇铝醇溶液的氧化硅填料发生燃烧和爆震，以提高其内部孔隙率，同时再通过溶胶封闭和球化炉球化工艺，使氧化硅填料表面封闭，可有效防止封装或黏合胶液填充内部孔隙，达到在应用时降低其表观密度的作用，有效防止沉降和凝聚。[0006]一种球形低密度氧化硅填料，所述球形低密度氧化硅填料的制备工艺如下：[0007](1)取一定量微米级别的氧化硅填料，加入所述氧化硅填料质量0.6‑0.8倍的异丙醇铝醇溶液，搅拌均匀得浆料A；[0008](2)通过喷嘴将浆料A以一定速率喷入爆震室，同时爆震室内通入过量空