晶体生长炉投料装置及方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115369490A(43)申请公布日2022.11.22(21)申请号202211315522.1(22)申请日2022.10.26(66)本国优先权数据202211170914.32022.09.26CN(71)申请人浙江求是半导体设备有限公司地址311100浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室(72)发明人曹建伟朱亮傅林坚张俊叶钢飞倪军夫李玉刚(74)专利代理机构杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙)33329专利代理师赵杰香(51)Int.Cl.C30B35/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图5页(54)发明名称晶体生长炉投料装置及方法(57)摘要本发明公开了一种晶体生长炉投料装置，包括：晶体生长炉；机架；坩埚；投料装置；原料包括第一体积和第二体积，第一体积小于第二体积，第一体积的原料投放完毕后，投料装置投放第二体积的原料；坩埚设置有与其连接的驱动装置，当第一体积的原料沿投料装置投送至坩埚内时，驱动装置驱动坩埚围绕坩埚的旋转中心线以第一转动速度匀速转动，以使第一体积的原料铺设在坩埚的锅底；驱动装置驱动坩埚加速转动至第二转动速度，且驱动装置驱动坩埚在第一转动速度和第二转动速度之间往复交替转动，第一转动速度小于第二转动速度。通过上述设置，降低了原料对坩埚的磨损，延长了坩埚的使用寿命。此外提升了坩埚内原料的堆放效率，并且有利于晶体生长。CN115369490ACN115369490A权利要求书1/2页1.一种晶体生长炉投料装置，包括：晶体生长炉；机架，所述晶体生长炉至少部分设置在所述机架上；坩埚，所述坩埚设置在所述晶体生长炉内；投料装置，所述投料装置与所述晶体生长炉连接，将原料投放至所述坩埚内；其特征在于，所述原料包括第一体积和第二体积，所述第一体积小于所述第二体积，所述第一体积的所述原料投放完毕后，所述投料装置投放所述第二体积的所述原料；所述坩埚设置有与其连接的驱动装置，当所述第一体积的所述原料沿所述投料装置投送至所述坩埚内时，所述驱动装置驱动所述坩埚围绕所述坩埚的旋转中心线以第一转动速度匀速转动，以使所述第一体积的所述原料铺设在所述坩埚的锅底；此时，所述驱动装置驱动所述坩埚加速转动至第二转动速度，且所述驱动装置驱动所述坩埚在所述第一转动速度和所述第二转动速度之间往复交替转动，所述第一转动速度小于所述第二转动速度。2.根据权利要求1所述的晶体生长炉投料装置，其特征在于，所述坩埚围绕自身的旋转中心线的转动速度在所述第一转动速度和所述第二转动速度之间以正弦周期变化。3.根据权利要求1所述的晶体生长炉投料装置，其特征在于，所述驱动装置除驱动所述坩埚围绕所述坩埚的旋转中心线转动以外，所述驱动装置还驱动所述坩埚沿平行于所述坩埚的旋转中心线方向进行直线往复移动。4.根据权利要求1或3所述的晶体生长炉投料装置，其特征在于，当所述坩埚以所述第一转动速度匀速转动时，所述坩埚和所述投料装置之间沿所述坩埚的旋转中心线方向延伸的高度差设置为H1；当所述坩埚在所述第一转动速度和所述第二转动速度之间往复交替时，所述坩埚和所述投料装置之间的高度差设置为H2，所述H1大于所述H2。5.根据权利要求1所述的晶体生长炉投料装置，其特征在于，所述晶体生长炉内设置有用于检测所述原料体积的检测装置，所述晶体生长炉通过释放保护气体以降低所述原料的氧化；当所述原料体积增加时，所述检测装置输出一调节信号至所述晶体生长炉，所述晶体生长炉根据所述调节信号调节所述晶体生长炉内释放的所述保护气体的流量。6.根据权利要求1所述的晶体生长炉投料装置，其特征在于，所述第二转动速度和所述第一转动速度的差值大于等于1rpm且小于等于2.5rpm。7.一种用于晶体生长炉的投料方法，适用于权利要求1至6中任意一项所述的晶体生长炉投料装置，其特征在于，当所述第一体积的所述原料沿所述投料装置投送至所述坩埚内时，所述驱动装置驱动所述坩埚围绕所述坩埚的旋转中心线以所述第一转动速度匀速转动，以使所述第一体积的所述原料铺设在所述坩埚的锅底；此时，所述驱动装置驱动所述坩埚加速转动至所述第二转动速度，并且所述驱动装置驱动所述坩埚在所述第一转动速度和所述第二转动速度之间往复交替转动，所述第一转动速度小于所述第二转动速度。8.根据权利要求7所述的晶体生长炉的投料方法，其特征在于，2CN115369490A权利要求书2/2页所述坩埚由所述第一转动速度加速转动直至所述第二转动速度，当所述坩埚达到第二转动速度时，所述坩埚由第二转动速度减速转动直至所述第一转动速度，所述坩埚在所述第一转动速度和所述第二转动速度之间以正弦周期变化，且所述第二转动速度和所述第一转动速度的差值大于等于1rpm且小