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一种用于太阳能级别N型单晶硅生产的自动报料方法.pdf
2023-06-15
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莉娜****ua
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本发明公开了一种用于太阳能级别N型单晶硅生产的自动报料方法，包括系统先收集当前单晶炉运行状态及相关后台数据，判断当前炉台运行工步是否符合加料条件；再由系统内部设置计算逻辑，自动计算需投料量，并经过逻辑判断投料量是否符合要求；若符合要求，则自动推送相关信息至备料室备料，若不符合要求，则识别投料量异常，推送现场手动确认，进行异常人工复核；复核确认后将相关信息发送至备料室备料，并自动将相关信息录入MES系统。本发明的优点是减少人工报料、复核，提高工作效率，降低人机比，实现自动化执行判断，适用于N型或P型单晶硅，
2023-06-15
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一种制备太阳能级N型单晶硅的方法.pdf
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2023-06-17
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一种太阳能级别单晶硅及其制备方法.pdf
一种应用于太阳能级别的单晶硅及其制备方法，把25Kg的多晶硅(占原料35.72％)、边皮15Kg(占原料21.43％)、复拉棒20Kg(占原料28.57％)、抛光片5Kg(占原料7.14％)、头尾料5Kg(占原料7.14％)放入单晶炉，单晶炉的石英锅的温度达到硅的融点才1410度左右，融化了硅以后石英锅慢慢转动，种晶从上面下降，点到锅的液面点，慢慢反方向转动，锅下面同时在加热，液面上加冷，种晶点到液面上就会出现一个光点，慢慢旋转，向上拉引、放肩、转肩、正常拉棒、收尾，在一段时间后，一个单晶棒形成。本发明的
2023-06-20
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本发明涉及的一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构及其制备方法，它包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底的正面由上至下依次设有氮化硅层和非晶硅n+型晶体硅层；所述单晶硅衬底的背面设有交替排布的第一背面单元和第二背面单元，所述第一背面单元包括由上至下依次设置的二氧化硅隧穿层、P+型多晶硅层和第一复合膜层，所述第二背面单元包括由上至下依次设置的本征非晶硅层、N+型非晶硅层和第二复合膜层；所述第一复合膜层和第二复合膜层的外侧均设有电极。本发明通过沉积隧穿氧化层和多晶硅的技术，代替非晶硅，解决非晶硅掺杂效率低的问题。
2023-06-01
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本发明公开的一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法，包括步骤：先按一定比例在硅原料中添加纯铝颗粒，然后将硅原料及纯铝颗粒装入单晶炉内的石英坩埚中，将单晶炉密封通入保护气体后，通过加热器将硅原料及纯铝颗粒熔化，最后经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉工序后，得到N型单晶硅棒。本发明的一种改良N型单晶硅特性的掺杂方法解决了现有的单晶硅棒由于在生长过程中电阻分布不合理导致其尾部电阻不良率较高的问题。本发明的一种改良N型单晶硅特性的掺杂方法在硅原料中添加纯铝颗粒，高温熔化并分布在硅溶液中，随单晶硅棒的生长根据分凝原
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