一种多层片式陶瓷电容器的烧结方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763072A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211506040.4(22)申请日2022.11.29(71)申请人南充三环电子有限公司地址637000四川省南充市高坪区航空港工业集中区申请人潮州三环（集团）股份有限公司(72)发明人马艳红孙国栋(74)专利代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司44205专利代理师齐键(51)Int.Cl.H01G4/30(2006.01)F27D7/06(2006.01)F27D19/00(2006.01)H01G4/12(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种多层片式陶瓷电容器的烧结方法(57)摘要本发明公开了一种多层片式陶瓷电容器的烧结方法，其包括以下步骤：1)将涂层镍网置于氧含量为10ppm～100ppm的氮气气氛中进行氧化处理；2)将陶瓷坯体均匀堆叠排布在进行过氧化处理的涂层镍网上进行排胶处理；3)将进行过排胶处理的陶瓷坯体和涂层镍网整体转移至隧道炉中，再通入氮气和氢气，再控制隧道炉内氧含量进行三段式烧结，即得多层片式陶瓷电容器。本发明的多层片式陶瓷电容器烧结方法不会出现烧结气氛均一性差而导致的产品性能劣化问题，且涂层镍网的使用寿命长，得到的MLCC的电性能和可靠性好，适合进行大规模推广应用。CN115763072ACN115763072A权利要求书1/1页1.一种多层片式陶瓷电容器的烧结方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将涂层镍网置于氧含量为10ppm～100ppm的氮气气氛中，再升温进行氧化处理；2)将陶瓷坯体均匀排布在步骤1)的进行过氧化处理的涂层镍网上，再进行排胶处理；3)将步骤2)的进行过排胶处理的陶瓷坯体和涂层镍网整体转移至隧道炉中，再通入氮气和氢气，控制隧道炉内氧含量为1×10‑10vol％～10×10‑10vol％进行第一段烧结，再控制隧道炉内氧含量为1×10‑14vol％～1×10‑10vol％进行第二段烧结，再控制隧道炉内氧含量为1×10‑8vol％～10×10‑8vol％进行第三段烧结，即得多层片式陶瓷电容器。2.根据权利要求1所述的多层片式陶瓷电容器的烧结方法，其特征在于：步骤1)所述涂层镍网的孔径为20目～120目。3.根据权利要求1或2所述的多层片式陶瓷电容器的烧结方法，其特征在于：步骤1)所述氧化处理在800℃～1100℃下进行，处理时间为1h～20h。4.根据权利要求1所述的多层片式陶瓷电容器的烧结方法，其特征在于：步骤2)所述陶瓷坯体在涂层镍网上的堆叠量为1g/cm2～4g/cm2。5.根据权利要求1或4所述的多层片式陶瓷电容器的烧结方法，其特征在于：步骤2)所述排胶处理在230℃～310℃下进行，处理时间为40h～80h。6.根据权利要求1或4所述的多层片式陶瓷电容器的烧结方法，其特征在于：步骤2)所述排胶处理在空气气氛中进行。7.根据权利要求1所述的多层片式陶瓷电容器的烧结方法，其特征在于：步骤3)所述第一段烧结的具体操作为：以1℃/min～3℃/min的升温速率升温至700℃～1000℃，再保温1h～10h。8.根据权利要求1或7所述的多层片式陶瓷电容器的烧结方法，其特征在于：步骤3)所述第二段烧结的具体操作为：以8℃/min～12℃/min的升温速率升温至1150℃～1350℃，再保温1h～10h。9.根据权利要求1或7所述的多层片式陶瓷电容器的烧结方法，其特征在于：步骤3)所述第三段烧结的具体操作为：以8℃/min～12℃/min的降温速率降温至800℃～1100℃，再保温1h～10h。10.根据权利要求1或7所述的多层片式陶瓷电容器的烧结方法，其特征在于：步骤3)所述氧含量通过微量氧分析仪进行测定。2CN115763072A说明书1/5页一种多层片式陶瓷电容器的烧结方法技术领域[0001]本发明涉及陶瓷电容器技术领域，具体涉及一种多层片式陶瓷电容器的烧结方法。背景技术[0002]多层片式陶瓷电容器(MLCC)具有体积小、结构紧凑、可靠性高、适于贴片组装等优点，是当前用量最多、市场份额最大的电容器件。近年来，随着5G时代的到来以及笔记本电脑、卫星通讯、智能手机、穿戴设备等电子产品的普及，作为基础电路电子元器件的MLCC得到了高速发展，市场需求越来越大。[0003]目前，通常是通过将陶瓷坯体放置在承烧板或涂层镍网(纯镍为基体，表面涂覆氧化锆涂层)上经过高温烧结制得MLCC。将陶瓷坯体放置在承烧板上进行烧结的方法存在以下缺点：1)承烧板的使用寿命短，更换频率高；2)承烧板的透气性差，会导致烧结炉内气氛的均一性差，进而会影响产品的性能；3)承烧板的导热系数低，会导致烧结的能耗高。将陶瓷坯体放置在涂层镍网上进行烧结的方法与将陶瓷坯