一种氧化锆陶瓷制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115894016A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211598715.2(22)申请日2022.12.14(71)申请人圣泉（扬州）新材料科技有限公司地址225000江苏省扬州市邗江区梅鞠路2号-1(72)发明人刘桂松(51)Int.Cl.C04B35/48(2006.01)C04B35/622(2006.01)C04B35/638(2006.01)C04B35/645(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种氧化锆陶瓷制备方法(57)摘要本发明公开一种氧化锆陶瓷制备方法，具体涉及氧化锆制备技术领域，提供原料，原料包括以下重量百分含量的组分：氧化锆75％～90％；氧化锰6～15％、氧化硅2％～5％和添加剂0.5％～2％；将原料投入研磨机，加入水，进行砂磨处理后得到浆液；将浆料经真空脱泡后流延成型，制成陶瓷生坯；将所述陶瓷生坯在高温温度条件下进行排胶，得到陶瓷素坯；将所述陶瓷素坯置于密闭的静压炉中，将温等静压后的生坯进行烧结，得到氧化锆陶瓷材料；本发明相对现有的陶瓷材料，其强度和韧性大大提升，也不会轻易发生形变、开裂等现象，使得该陶瓷材料的应用范围更广，容易加工。CN115894016ACN115894016A权利要求书1/1页1.一种氧化锆陶瓷制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、提供原料，原料包括以下重量百分含量的组分：氧化锆75％～90％；氧化锰6～15％、氧化硅2％～5％和添加剂0.5％～2％；步骤2、将原料投入研磨机，加入水，进行砂磨处理后得到浆液；步骤3、将浆料经真空脱泡后流延成型，制成陶瓷生坯；步骤4、将所述陶瓷生坯在高温温度条件下进行排胶，得到陶瓷素坯；步骤5、将所述陶瓷素坯置于密闭的静压炉中，将温等静压后的生坯进行烧结，得到氧化锆陶瓷材料。2.根据权利要求1所述一种氧化锆陶瓷制备方法，其特征在于：所述添加剂为自氧化镁和氧化钡中的至少一种。3.根据权利要求1所述一种氧化锆陶瓷制备方法，其特征在于：所述步骤4中在700℃‑800℃温度条件下进行排胶。4.根据权利要求1所述一种氧化锆陶瓷制备方法，其特征在于：所述静压炉的压力为100Mpa‑250Mpa，保温1h‑2h降至室温。2CN115894016A说明书1/3页一种氧化锆陶瓷制备方法技术领域[0001]本发明涉及氧化锆制备技术领域，具体涉及一种氧化锆陶瓷制备方法。背景技术[0002]氧化锆陶瓷是一种新型陶瓷材料，具备耐磨、耐腐蚀、高强度、高韧性、热稳定性好等诸多优良特性。与金属和塑料相比，氧化锆陶瓷具有莫氏硬度高、介电常数高、无信号屏蔽且生物相容性好的特点，在智能手机、可穿戴设备上具有广阔的应用前景，这使得氧化锆陶瓷以指纹识别盖板、手机后盖为起点，还将逐步切入移动终端产业链，成为继塑料和金属之后的第三大手机背板材料；现有的氧化锆陶瓷难以加工，在加工过程中容易崩缺，使得成品率交底，从而限制了氧化锆陶瓷的应用，为此设计一种氧化锆陶瓷制备方法解决以上问题。发明内容[0003]本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明提出一种氧化锆陶瓷制备方法。[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种氧化锆陶瓷制备方法，该氧化锆陶瓷制备方法，其包括如下步骤：[0005]步骤1、提供原料，原料包括以下重量百分含量的组分：氧化锆75％～90％；氧化锰6～15％、氧化硅2％～5％和添加剂0.5％～2％；[0006]步骤2、将原料投入研磨机，加入水，进行砂磨处理后得到浆液；[0007]步骤3、将浆料经真空脱泡后流延成型，制成陶瓷生坯；[0008]步骤4、将所述陶瓷生坯在高温温度条件下进行排胶，得到陶瓷素坯；[0009]步骤5、将所述陶瓷素坯置于密闭的静压炉中，将温等静压后的生坯进行烧结，得到氧化锆陶瓷材料。[0010]在本发明一个较佳实施例中，所述添加剂为自氧化镁和氧化钡中的至少一种。[0011]在本发明一个较佳实施例中，所述步骤4中在700℃‑800℃温度条件下进行排胶。[0012]在本发明一个较佳实施例中，所述静压炉的压力为100Mpa‑250Mpa，保温1h‑2h降至室温。[0013]本发明的有益效果是：采用上述结构后，从而能够显著改善加工性能，经实验测定，制成的氧化锆陶瓷的韧性和硬度匹配度较好，在静压炉中进行烧结，使得陶瓷材料的内部更加致密，减少气孔和裂纹；相对现有的陶瓷材料，其强度和韧性大大提升，也不会轻易发生形变、开裂等现象，使得该陶瓷材料的应用范围更广，容易加工。附图说明[0014]图1是本发明氧化锆陶瓷材料的制备方法的流程图。3CN115894016A说明书2/3页具体实施方式[0015]下面详细描述本发明的实施