电压转换电路.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115333367A(43)申请公布日2022.11.11(21)申请号202211029540.3(22)申请日2022.08.25(71)申请人骏盈半导体（上海）有限公司地址200030上海市徐汇区漕溪北路88号1905、1906室(72)发明人刘贺于翔(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司11449专利代理师蔡纯杨思雨(51)Int.Cl.H02M3/156(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称电压转换电路(57)摘要本发明公开了一种电压转换电路，包括：连接于供电端和电压输出端之间的第一晶体管；软启动电路，与所述第一晶体管的控制端连接，用于在电路启动阶段控制所述第一晶体管缓慢导通，所述第一晶体管根据所述供电端的电源电压对所述电压输出端进行充电；以及带隙核心电路，用于根据所述电压输出端的反馈电压进行反馈调节，最终在所述电压输出端得到稳定的输出电压。本发明的电压转换电路不需要独立的电压源和基准电路，同时在LDO的回路中也不需要高压运算放大器，大大减少了模块数量，降低了芯片面积和成本。CN115333367ACN115333367A权利要求书1/1页1.一种电压转换电路，包括：连接于供电端和电压输出端之间的第一晶体管；软启动电路，与所述第一晶体管的控制端连接，用于在电路启动阶段控制所述第一晶体管缓慢导通，所述第一晶体管根据所述供电端的电源电压对所述电压输出端进行充电；以及带隙核心电路，用于根据所述电压输出端的反馈电压进行反馈调节，最终在所述电压输出端得到稳定的输出电压。2.根据权利要求1所述的电压转换电路，还包括：反馈电路，耦接于所述电压输出端与地之间，用于输出所述输出电压的反馈电压。3.根据权利要求1所述的电压转换电路，还包括：与所述第一晶体管的控制端以及所述带隙核心电路耦接的增益放大电路，用于提高环路增益。4.根据权利要求1所述的电压转换电路，其中，所述软启动电路包括：依次耦接于所述供电端和地之间的第一电流源和第一电容；第一开关，耦接于所述第一电流源和第一电容的公共连接节点和地之间；以及耦接于所述第一晶体管的控制端和地之间的第二晶体管，所述第二晶体管的控制端与所述第一电流源和所述第一电容的公共连接节点耦接。5.根据权利要求4所述的电压转换电路，其中，在所述电路启动阶段，所述第一开关断开，所述第一电流源对所述第一电容充电，通过所述第二晶体管钳位所述第一晶体管的控制端电压，使得所述第一晶体管的控制端电压缓慢升高。6.根据权利要求3所述的电压转换电路，其中，所述带隙核心电路包括：第三晶体管，其第一端与所述电压输出端耦接，控制端与所述反馈电压耦接；依次耦接于所述第三晶体管的第二端和地之间的第二电阻和第四晶体管，所述第四晶体管的控制端和第一端彼此耦接；以及依次耦接于所述第三晶体管的第二端和地之间的第三电阻、第五晶体管和第一电阻，所述第五晶体管的控制端与所述第四晶体管的控制端耦接。7.根据权利要求6所述的电压转换电路，其中，所述增益放大电路包括：依次耦接于所述供电端和地之间的第二电流源和第六晶体管，其中，所述第二电流源和所述第六晶体管的公共连接节点与所述第一晶体管的控制端耦接，所述第六晶体管的控制端与所述第五晶体管和所述第三电阻的公共连接节点耦接。8.根据权利要求7所述的电压转换电路，其中，所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管为NPN型双极性晶体管。9.根据权利要求1所述的电压转换电路，其中，所述第一晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。10.根据权利要求4所述的电压转换电路，其中，所述第二晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管。2CN115333367A说明书1/4页电压转换电路技术领域[0001]本发明涉及电源电路技术领域，更具体地，涉及一种电压转换电路。背景技术[0002]目前随着集成电路的发展，芯片的集成度不断提高，越来越高的工作电压也对芯片的高压工艺提出了越来越高的要求。但是因为芯片内部的高压器件所占的面积很大，所以就需要尽量将可能多的模块设计成工作在低电压的条件下。基于此，就需要将输入芯片的高压电源转换成低电压以为芯片内部的低压器件供电。[0003]图1示出了根据现有技术的一种电压转换电路的电路示意图。如图1所示，现有的电压转换电路100通过钳位电路110根据电源电压PVDD得到一个低压电源VPRE，在该低压电源VPRE下再采用带隙基准电路120产生一个1.2V的基准电压Vref，最终利用这个基准电压Vref采用LDO(lowdropoutregulator，低压差线性稳压器)电路产生一个精确的5V电源GVDD。这种方案虽然能够产生恒定的低压电源，但是环路过于复杂，且需要的电路模块也比较