Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法.pdf

本发明提供一种Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，将纯度为4N以上的ZnO和高纯Cu粉末混合压制成所需靶材；步骤2：在氩气和氧气混合气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上形成薄膜；步骤3：将形成薄膜的衬底进行退火处理，得到Cu掺杂的p型ZnO薄膜材料。本发明可以解决IB族元素难于实现p型ZnO材料制备的难题。

2023-06-14

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Ag掺杂制备p型ZnO薄膜的研究.docx

Ag掺杂制备p型ZnO薄膜的研究摘要：本研究采用溶胶-凝胶法制备了Ag掺杂的p型氧化锌（ZnO）薄膜，研究了Ag掺杂对ZnO薄膜结构、电学性质等方面的影响。实验结果表明，Ag掺杂显著影响了ZnO薄膜的表面形貌和物理性质，提高了ZnO薄膜的导电性。本研究对制备高性能ZnO薄膜具有一定的指导意义。关键词：Ag掺杂，p型ZnO薄膜，溶胶-凝胶法，导电性概述：氧化锌（ZnO）是一种重要的II-VI族半导体材料，具有广泛的研究意义和应用前景，如光电器件、传感器等。但是ZnO的导电性主要来自于n型掺杂，限制了其在电子

2024-11-13

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氮掺杂p型ZnO薄膜制备及相关问题研究.docx

氮掺杂p型ZnO薄膜制备及相关问题研究摘要：本文研究了氮掺杂p型ZnO薄膜的制备及相关问题，采用溶胶-凝胶法制备薄膜，优化了制备条件，并对其光电性质进行了测试分析。研究结果表明，在适当的制备条件下，可以制备出具有良好光电性质的氮掺杂p型ZnO薄膜，该研究为新型半导体材料的开发和应用提供了一定的参考价值。关键词：氮掺杂；p型ZnO薄膜；溶胶-凝胶法；光电性质一、引言氮掺杂p型ZnO薄膜是一种新型的半导体材料，具有光电性能优异、稳定性好等优点，在光电器件领域有很大的应用前景。但是，由于ZnO本身是n型材料，在

2024-10-26

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Co、Cu共掺杂ZnO薄膜的制备及性质研究.docx

Co、Cu共掺杂ZnO薄膜的制备及性质研究摘要：本论文以制备和性质研究的角度，对Co、Cu共掺杂ZnO薄膜进行了系统的研究。通过磁控溅射和离子注入技术，成功制备了Co、Cu共掺杂ZnO薄膜，研究了它们的表面形貌、结构和光学特性等。结果表明，Co、Cu共掺杂对ZnO薄膜的晶体结构和光学特性产生了显著的影响，可以调控其电子和磁性能。这些发现为进一步研究Co、Cu共掺杂ZnO薄膜的应用奠定了基础。1.引言ZnO作为一种重要的半导体材料，在光电子学、催化、传感器等领域有着广泛的应用。近年来，通过掺杂过渡金属或过渡

2024-10-16

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Co与Cu掺杂ZnO薄膜的制备与光致发光研究.docx

Co与Cu掺杂ZnO薄膜的制备与光致发光研究摘要：本文采用溶胶-凝胶法制备了Co与Cu掺杂的ZnO薄膜，并利用光致发光技术研究了不同掺杂条件下ZnO薄膜的光致发光性质。研究发现，Co与Cu掺杂均能够提高ZnO薄膜的光致发光强度，其中以Co掺杂效果更为显著。此外，本研究还分析了掺杂浓度对光致发光性质的影响，结果显示随着掺杂浓度的增加，光致发光强度呈现先增加后降低的趋势。本研究结果有望为ZnO薄膜的光电器件研究提供参考。关键词：溶胶-凝胶法；ZnO薄膜；Co掺杂；Cu掺杂；光致发光Introduction:Z

2024-11-13

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