以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法.pdf
St****36
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以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法.pdf
本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法,其包括以下步骤:首先依据配方比例,调配球状和非球状含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末,其中粉末颗粒平均粒径小于500纳米;其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒(硫)浆料,接着将该浆料以非真空涂布法涂布在含钼电极的基板上,再经过软烤以形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层,最后将其置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶,完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作
以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法.pdf
本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法,其主要包括以下步骤:首先依据配方比例,调配不同平均粒径含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末,其中小尺寸颗粒平均粒径为大尺寸颗平均粒径的30%以下;其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂;接着将含铜铟镓硒(硫)浆料以非真空涂布法涂布在含下电极的基板上;再经过软烤形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层,并将其置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶,完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。本发明改善涂布
非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法.pdf
本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收层的制作方法,特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法,包括:(1)依据配方比例,混合含IB、IIIA的二成份或三成份硒化物材料,形成原始混合粉末;混合粉末为纳米级的球形粉和薄片形粉;(2)添加溶剂搅拌,形成浆料;(3)将该浆料涂布在钼层上,软烤形成光吸收前驱层;(4)将含铜铟镓硒和/或硫前驱层的基板反置于含均匀洒布VI族元素的耐高温载板上,在快速退火热处理炉中退火长晶,形成光吸收层。避免使用危险的硒化氢;设备成本低;所形成的光吸收层致密,光吸收特性好,光电转
非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法.pdf
本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法,用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层,该方法包括以下步骤:首先,依据配方比例,调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的混合粉末;其次,该混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的浆料;接着,将该浆料以非真空涂布法涂布在钼层上,再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的光吸收前驱层;接着,利用多道独立气压缸控制的滚轮,来回滚压该光吸收前驱层;以及最后,将滚压后的光吸收
非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法.pdf
本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法,用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层,包括以下步骤:首先,依据配方比例,混合含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)的原始混合粉末;其次,在该混合粉末中添加额外的VIA族元素粉末,使形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的最后混合粉末;再添加溶剂、界面活性剂和接着剂至该最后混合粉末中并进行搅拌形成铜铟镓硒浆料;接着,将该铜铟镓硒浆料涂布在钼层上,软烤使溶剂挥发形成光吸收前驱层;以及最后,再将含该光吸收前驱层的基板置于含VIA族