掺杂ⅡA族稀土氧化物发光材料及其熔体法生长方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102127437A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102127437A(43)申请公布日2011.07.20(21)申请号201010588504.1C30B29/16(2006.01)(22)申请日2010.12.15C30B11/00(2006.01)C30B15/00(2006.01)(71)申请人中国科学院安徽光学精密机械研究所地址230031安徽省合肥市蜀山湖路350号(72)发明人张庆礼殷绍唐孙敦陆宁凯杰刘文鹏罗建乔(74)专利代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司34112代理人余成俊(51)Int.Cl.C09K11/78(2006.01)权利要求书3页说明书4页(54)发明名称掺杂ⅡA族稀土氧化物发光材料及其熔体法生长方法(57)摘要本发明公开了稀土或Bi、Cr、Ti掺杂的IIA族稀土氧化物及其熔体法晶体生长方法，化化合物的分子式表示为(D2xD′2y)ARE2(1-x-y-z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1-x-y-z)RE′4zO9、(D2xD′2y)A4RE2(1-x-y-z)RE′2zO7(D和D′代表稀土Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb和Bi、Ti、Cr元素，A代表IIA族元素Mg、Ca、Sr、Ba，RE、RE′代表稀土元素Sc、Y、La、Gd、Lu，RE≠RE′，0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5，且x+y+z＜1)。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；(D2xD′2y)ARE2(1-x-y-z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1-x-y-z)RE′4zO9、(D2xD′2y)A4RE2(1-x-y-z)RE′2zO7可用作激光工作物质和高能射线、高能粒子等的探测材料。CN102743ACCNN110212743702127442A权利要求书1/3页1.稀土或Bi、Cr、Ti掺杂的IIA族稀土氧化物发光材料，其特征在于：化合物分子式可表示为(D2xD′2y)ARE2(1-x-y-z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1-x-y-z)RE′4zO9、(D2xD′2y)A4RE2(1-x-y-z)RE′2zO7，其中：D和D′代表稀土Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb和Bi、Ti、Cr元素，A代表IIA族元素Be、Mg、Ca、Sr、Ba，RE、RE′代表稀土元素Sc、Y、La、Gd、Lu，RE≠RE′，x、y和z的取值范围为：0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5，且x+y+z＜1。2.如权利要求1所述的掺杂IIA族稀土氧化物的熔体法晶体生长方法，其特征在于：(1)(DxD′y)ARE2-x-y-zRE′zO4晶体生长原料的配料：A、当D、D′均不为Ce或Ti时，且A≠Be时，采用ACO3、D2O3、D′2O3、RE2O3、RE′2O3作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：B、当D、D′均不为Ce或Ti时，采用AO、D2O3、D′2O3、RE2O3、RE′2O3作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：C、当D＝Ce、D′≠Ce时，以及D＝Ti、D′≠Ti时时，且A≠Be时，采用ACO3、DO2、D′2O3、RE2O3、RE′2O3作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：D、当D＝Ce、D′≠Ce时，以及D＝Ti、D′≠Ti时时，采用AO、DO2、D′2O3、RE2O3、RE′2O3作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：(2)(D4xD′4y)A3RE4(1-x-y-z)RE′4zO9晶体生长原料的配料：A、当D、D′均不为Ce或Ti时，且A≠Be时，采用ACO3、D2O3、D′2O3、RE2O3、RE′2O3作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：B、当D、D′均不为Ce或Ti时，采用AO、D2O3、D′2O3、RE2O3、RE′2O3作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：2CCNN110212743702127442A权利要求书2/3页C、当D＝Ce、D′≠Ce时，以及D＝Ti、D′≠Ti时时，且A≠Be