具有改善可接入性的紧包缓冲光纤单元.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102141664A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102141664A(43)申请公布日2011.08.03(21)申请号201010248789.4(22)申请日2010.08.02(30)优先权数据61/230,1582009.07.31US(71)申请人德雷卡通信技术公司地址荷兰阿姆斯特丹市(72)发明人B·G·理奇T·佩图宁(74)专利代理机构上海智信专利代理有限公司31002代理人邓琪(51)Int.Cl.G02B6/44(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图1页(54)发明名称具有改善可接入性的紧包缓冲光纤单元(57)摘要本发明公开一种紧包缓冲和半紧包缓冲光纤单元。光纤单元包括光纤，所述光纤被聚合物缓冲层围绕以限定光纤-缓冲界面。缓冲层包含足够量的脂肪族酰胺增滑剂，以使至少一些所述脂肪族酰胺增滑剂迁移至缓冲-光纤界面，从而促进缓冲层的容易剥离。例如，使用小于约10N的剥离力在单一操作中，至少15厘米的所述聚合物缓冲层能够从所述光纤中除去。CN10246ACCNN110214166402141671A权利要求书1/2页1.一种缓冲光纤单元，包括：光纤，包含被包括一个或多个涂层的光纤涂层连续围绕的玻璃光纤；以及围绕所述光纤的聚合物缓冲层，所述聚合物缓冲层限定内表面，所述聚合物缓冲层包含足够量的脂肪族酰胺增滑剂，以使至少一些所述脂肪族酰胺增滑剂迁移至所述聚合物缓冲层的所述内表面，使得使用小于10N的剥离力在单一操作中，至少15厘米的所述聚合物缓冲层能够从所述光纤中除去；其中所述聚合物缓冲层的内径比所述光纤的外径大不超过60微米。2.根据权利要求1所述的光纤单元，其中所述缓冲光纤单元是半紧包缓冲光纤单元，其中所述缓冲光纤单元还包含所述光纤和所述聚合物缓冲层之间的缓冲间隙。3.根据权利要求1所述的光纤单元，其中所述缓冲光纤单元是紧包缓冲光纤单元，其中所述光纤的外径和所述聚合物缓冲层的内径是基本上相同的。4.根据权利要求3所述的光纤单元，其中：所述光纤是符合ITU-TG.651.1标准的多模光纤；所述多模光纤具有在波长850纳米处围绕弯曲半径为15毫米的线轴缠绕两圈的大于0.1dB的宏弯曲损耗；所述多模光纤具有在波长1300纳米处围绕弯曲半径为15毫米的线轴缠绕两圈的大于0.3dB的宏弯曲损耗；以及在进行从-5℃至60℃的两个温度循环后在-5℃下测定，所述光纤单元在波长1300纳米处的衰减小于0.6dB/km。5.根据权利要求3所述的光纤单元，其中所述光纤是单模光纤；并且在进行从-40℃至70℃的两个温度循环后在-5℃下测定，所述光纤单元的衰减(i)在波长1310纳米处小于0.5dB/km，和(ii)在波长1550纳米处小于0.3dB/km。6.根据前述权利要求中任意一项所述的光纤单元，其中所述聚合物缓冲层的内径比所述光纤的外径大不超过30微米。7.根据权利要求6所述的光纤单元，其中：所述光纤是这样的单模光纤，所述单模光纤(i)符合ITU-TG.652.D标准但(ii)不符合ITU-TG.657.A标准和ITU-TG.657.B标准；以及在进行从-5℃至60℃的两个温度循环后在-5℃下测定，所述光纤单元的衰减(i)在波长1310纳米处小于0.5dB/km，和(ii)在波长1550纳米处小于0.3dB/km。8.根据权利要求1-3和6中任意一项所述的光纤单元，其中：所述光纤是符合ITU-TG.651.1标准的多模光纤；所述多模光纤具有在波长850纳米处围绕弯曲半径为15毫米的线轴缠绕两圈的大于0.1dB的宏弯曲损耗；所述多模光纤具有在波长1300纳米处围绕弯曲半径为15毫米的线轴缠绕两圈的大于0.3dB的宏弯曲损耗；以及在进行从-5℃至60℃的两个温度循环后在-5℃下测定，所述光纤单元在波长1300纳米处的衰减小于1dB/km。9.根据前述权利要求中任意一项所述的光纤单元，其中所述聚合物缓冲层的肖氏A硬度为至少90。2CCNN110214166402141671A权利要求书2/2页10.根据前述权利要求中任意一项所述的光纤单元，其中加入所述聚合物缓冲层中的所述脂肪族酰胺增滑剂的量小于5000ppm，优选小于3000ppm。11.根据前述权利要求中任意一项所述的光纤单元，其中加入所述聚合物缓冲层中的所述脂肪族酰胺增滑剂的量在200ppm至2000ppm之间。12.根据前述权利要求中任意一项所述的光纤单元，其中加入所述聚合物缓冲层中的所述脂肪族酰胺增滑剂的量在750ppm至1250ppm之间。3CCNN110214166402141671A说明书1/12页具有改善可接入性的紧包缓冲光纤单元技术领域[0001]本发明涉及光纤的紧包或半紧包缓冲单元的领域，所述单元具有改善