外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片.pdf
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外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片.pdf
本发明提供一种氮化镓系半导体器件,其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括:氧化镓支撑基体(32),具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a);和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含:低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)
氮化镓功率半导体器件技术.pdf
第30卷第1期Vol.30,No.1固体电子学研究与进展2010年3月RESEARCH&PROGRESSOFSSEMar.,2010专家论坛氮化镓功率半导体器件技术X张波陈万军邓小川汪志刚李肇基(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054)2009-07-01收稿,2009-09-05收改稿摘要:作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技
氮化镓功率半导体器件技术.docx
氮化镓功率半导体器件技术摘要氮化镓功率半导体器件是由氮化镓材料制成的功率半导体器件,具有高电子运动度、宽禁带宽度、高耐压强度等优点,因此在航空航天、电动汽车、风力发电等领域具有广泛应用前景。本文首先介绍了氮化镓材料的物理性质与制备工艺,然后详细讨论了氮化镓功率半导体器件的结构、性能以及应用。最后,本文对氮化镓功率半导体器件的未来发展进行了展望,认为其有望成为下一代功率半导体器件的主流之一。一、氮化镓材料的物理性质和制备工艺氮化镓是一种宽禁带半导体材料,具有很高的电子运动度和能隙宽度,因此可用于制备高电压、
氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
提供一种能够通过较短时间的热处理使p型掺杂物活性化的、氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件的制造方法以及III族氮化物半导体器件。在大气压下进行的热处理(例如大气压的氮气气氛中的热处理)中,如符号“空白三角形”所示,短时间内p型GaN层的比电阻为2.5Ω·cm左右,长时间(30分钟)内p型GaN层的比电阻为2.0Ω·cm左右。但是,长时间(30分钟)的热处理无法提供所需的接触电阻。相反,可提供所需的接触电阻的短时间的热处理在p型GaN层上无法实现所需的比电阻。即,在可实现上述接触电阻的热处理
一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法.pdf
本发明提供了一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法,包括:步骤1:获取基座,并在所述基座的表面设置按照预设位置分布的焊点,得到基座层;步骤2:将氮化镓芯片利用第一结合材焊接在所述基座层,将散热片利用第二结合材焊接在所述氮化镓芯片上方,且将所述散热片的下端贴附在所述基座层;步骤3:对所述散热片和氮化镓芯片进行塑封,得到塑封层,得到氮化镓器件;步骤4:对所述氮化镓器件进行质检,得到满足质检要求的氮化镓器件;通过在氮化镓芯片的上方焊接散热片,避免了热量在所述氮化镓芯片的聚集,同时,通过对氮化镓器件进行质检,保证得