外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片.pdf
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外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片.pdf
本发明提供一种氮化镓系半导体器件,其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括:氧化镓支撑基体(32),具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a);和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含:低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)
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氮化镓功率半导体器件技术摘要氮化镓功率半导体器件是由氮化镓材料制成的功率半导体器件,具有高电子运动度、宽禁带宽度、高耐压强度等优点,因此在航空航天、电动汽车、风力发电等领域具有广泛应用前景。本文首先介绍了氮化镓材料的物理性质与制备工艺,然后详细讨论了氮化镓功率半导体器件的结构、性能以及应用。最后,本文对氮化镓功率半导体器件的未来发展进行了展望,认为其有望成为下一代功率半导体器件的主流之一。一、氮化镓材料的物理性质和制备工艺氮化镓是一种宽禁带半导体材料,具有很高的电子运动度和能隙宽度,因此可用于制备高电压、
氮化镓功率半导体器件技术.pdf
第30卷第1期Vol.30,No.1固体电子学研究与进展2010年3月RESEARCH&PROGRESSOFSSEMar.,2010专家论坛氮化镓功率半导体器件技术X张波陈万军邓小川汪志刚李肇基(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054)2009-07-01收稿,2009-09-05收改稿摘要:作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技
氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
提供一种能够通过较短时间的热处理使p型掺杂物活性化的、氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件的制造方法以及III族氮化物半导体器件。在大气压下进行的热处理(例如大气压的氮气气氛中的热处理)中,如符号“空白三角形”所示,短时间内p型GaN层的比电阻为2.5Ω·cm左右,长时间(30分钟)内p型GaN层的比电阻为2.0Ω·cm左右。但是,长时间(30分钟)的热处理无法提供所需的接触电阻。相反,可提供所需的接触电阻的短时间的热处理在p型GaN层上无法实现所需的比电阻。即,在可实现上述接触电阻的热处理
氮化镓(GaN)基半导体材料及器件.pdf
氮化镓(GaN)基半导体材料及器件一、项目背景资料介绍1、第三代半导体氮化镓(GaN)晶体当今世界,被誉为IT产业发动机的半导体产业已诞生了以氮化镓(GaN)及其合金材料为代表的第三代材料,第一代和第二代半导体分别以硅和砷化镓为代表,而第三代半导体则以氮化镓(GaN)及其合金材料为代表。国内外都对该领域投入了大量的研究,美国和日本现已掌握生产纯蓝和纯绿光的氮化镓(GaN)基材料的生长工艺。我国已在实验室生产出氮化镓(GaN)基蓝色发光材料,目前正在进行产业化生产方面的研究。2、氮化镓(GaN)基材料特点以