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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102308370A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102308370A(43)申请公布日2012.01.04(21)申请号201080007182.5(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限(22)申请日2010.02.04责任公司11219代理人王海川穆德骏(30)优先权数据2009-0276402009.02.09JP(51)Int.Cl.H01L21/205(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日C30B29/38(2006.01)2011.08.09H01L33/32(2006.01)(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2010/0516172010.02.04(87)PCT申请的公布数据WO2010/090262JA2010.08.12(71)申请人住友电气工业株式会社地址日本大阪府申请人株式会社光波(72)发明人桥本信秋田胜史藤原伸介中幡英章元木健作权利要求书2页说明书12页附图12页(54)发明名称外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片(57)摘要本发明提供一种氮化镓系半导体器件,其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括:氧化镓支撑基体(32),具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a);和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含:低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜,使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。CN102387ACCNN110230837002308377A权利要求书1/2页1.一种外延晶片,用于氮化镓系半导体器件,其特征在于,包括:氧化镓晶片,具有包含单斜晶系氧化镓的主面;缓冲层,设置在所述氧化镓晶片的所述主面上且包含III族氮化物;和第一外延层,设置在所述缓冲层上且包含第一氮化镓系半导体;并且所述氧化镓晶片的所述主面相对于所述单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。2.如权利要求1所述的外延晶片,其特征在于,所述氧化镓晶片的所述主面的倾斜方向为所述单斜晶系氧化镓的[001]轴的方向。3.如权利要求1或2所述的外延晶片,其特征在于,所述第一氮化镓系半导体的结晶结构为六方晶,所述第一外延层的主面的法线相对于所述第一氮化镓系半导体的c轴成1度以下的角度。4.如权利要求1至3中任一项所述的外延晶片,其特征在于,所述第一外延层的主面的表面粗糙度(RMS)在5微米见方的范围内为0.5nm以下。5.如权利要求1至4中任一项所述的外延晶片,其特征在于,所述第一氮化镓系半导体包含GaN。6.如权利要求1至4中任一项所述的外延晶片,其特征在于,所述第一氮化镓系半导体包含AlGaN。7.如权利要求1至4中任一项所述的外延晶片,其特征在于,所述第一氮化镓系半导体包含InGaN。8.如权利要求1至4中任一项所述的外延晶片,其特征在于,所述第一氮化镓系半导体包含AlN。9.如权利要求1至8中任一项所述的外延晶片,其特征在于,所述缓冲层包含GaN。10.如权利要求1至9中任一项所述的外延晶片,其特征在于,所述倾斜的角度分布于所述氧化镓衬底的所述主面上,且遍及所述氧化镓衬底的整个所述主面均在2度以上且4度以下的角度范围内。11.如权利要求1至10中任一项所述的外延晶片,其特征在于,所述氧化镓晶片的所述主面相对于所述单斜晶系氧化镓的(100)面以2.5度以上且3.5度以下的角度倾斜。12.一种氮化镓系半导体器件,其特征在于,包括:氧化镓支撑基体,具有包含单斜晶系氧化镓的主面;和包含III族氮化物的层叠结构,所述层叠结构包括:缓冲层,设置在所述氧化镓支撑基体的所述主面上且包含III族氮化物;和第一外延层,设置在所述缓冲层上且包含第一氮化镓系半导体;并且所述氧化镓支撑基体的所述主面相对于所述单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。13.如权利要求12所述的氮化镓系半导体器件,其特征在于,2CCNN110230837002308377A权利要求书2/2页所述层叠结构还包括:设置在所述缓冲层上且包含第二氮化镓系半导体的第二外延层和设置在所述第一外延层与所述第二外延层之间的有源层;所述氧化镓晶片具有导电性;所述第一外延层具有第一导电性;所述第二外延层具有与所述第一导电性相反的第二导电性;所述有源层具有量子阱结构;该氮化镓系半导体器件为半导