用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102318100A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102318100A(43)申请公布日2012.01.11(21)申请号201080007151.X(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专(22)申请日2010.02.09利商标事务所11038代理人杨勇(30)优先权数据12/369,5252009.02.11US(51)Int.Cl.H01L51/00(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日B41J2/21(2006.01)2011.08.10C09D11/00(2006.01)(86)PCT申请的申请数据PCT/US2010/0235402010.02.09(87)PCT申请的公布数据WO2010/093592EN2010.08.19(71)申请人通用显示公司地址美国新泽西州申请人精工爱普生株式会社(72)发明人田广玉夏传军M·因贝斯卡兰园山卓也伊藤大树内田昌宏关俊一权利要求书4页说明书15页附图5页(54)发明名称用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物(57)摘要一种通过使用液体组合物来形成有机层的方法，该液体组合物包括混合在一种酮溶剂中的一种小分子有机半导体材料。将该液体组合物沉积在一个表面上以形成这个有机层。这种酮溶剂可以是一种芳族酮溶剂，如一种四氢萘酮溶剂。该有机半导体材料可以是可交联的以提供一种交联的有机层。本发明可以用来制作有机电子器件，如有机发光器件。在另一方面，这种液体组合物包括混合在一种芳族醚溶剂中的一种小分子有机半导体材料。同样，在此提供了可以用来制造有机层的液体组合物。这种芳族酮溶剂或芳族醚溶剂的熔点是25℃或更低。一项权利要求是针对该酮溶剂的20°或更小的润湿接触角。CN10238ACCNN110231810002318108A权利要求书1/4页1.一种用于形成有机层的方法，该方法包括：提供一种液体组合物，该液体组合物包括混合在一种具有25℃或更低熔点的芳族酮溶剂中的一种小分子有机半导体材料；并且将该液体组合物沉积在一个表面上。2.如权利要求1所述的方法，其中该有机半导体材料的浓度是在0.01-10wt％的范围内。3.如权利要求2所述的方法，其中该有机半导体材料的浓度是在0.01-2wt％的范围内。4.如权利要求1所述的方法，其中该芳族酮溶剂是一种四氢萘酮溶剂。5.如权利要求1所述的方法，其中该芳族酮溶剂具有在1大气压下为至少150℃的沸点。6.如权利要求5所述的方法，其中该芳族酮溶剂具有在1大气压下在150℃-350℃范围内的沸点。7.如权利要求1所述的方法，其中该芳族酮溶剂具有在100-250范围内的分子量。8.如权利要求1所述的方法，其中该沉积步骤是通过一种印刷工艺来进行的。9.如权利要求8所述的方法，其中该印刷工艺是喷墨印刷。10.如权利要求1所述的方法，进一步包括在沉积该液体组合物之后通过加热或真空干燥来去除该芳族酮溶剂。11.如权利要求1所述的方法，其中该液体组合物具有的粘度在1-25mPas范围内。12.如权利要求1所述的方法，其中在该表面上的一滴该芳族酮溶剂具有20°或更小的润湿接触角。13.如权利要求1所述的方法，其中，该表面具有由多个凸起的分隔物所限定的多个室，其中这些室对于该芳族酮溶剂是亲水的并且这些分隔物对于该芳族酮溶剂是疏水的。14.如权利要求1所述的方法，其中该有机半导体材料具有一个或多个可交联的官能团。15.如权利要求14所述的方法，其中该有机半导体材料是一种电荷传输化合物。16.如权利要求15所述的方法，其中该有机半导体材料是一种可交联的铟络合物。17.如权利要求14所述的方法，进一步包括在沉积该液体组合物之后使该有机半导体材料进行交联。18.一种用于制造有机电子器件的方法，包括通过权利要求1的方法来形成一个有机层的步骤。19.如权利要求18所述的方法，其中该有机电子器件是包括一个阳极和一个阴极的一种有机发光器件。20.如权利要求19所述的方法，其中该有机层是安置在该阳极与该阴极之间的一个空穴注入层。21.如权利要求19所述的方法，其中该有机层是安置在该阳极与该阴极之间的一个空穴传输层。22.如权利要求19所述的方法，其中该表面是该阳极的表面。23.如权利要求18所述的方法，其中该有机层是一个第一有机层，并且该方法进一步2CCNN110231810002318108A权利要求书2/4页包括在该第一有机层上方通过溶液加工来形成一个第二有机层的步骤。24.如权利要求23所述的方法，其中该第一有机层是一个空穴注入层并且该第二有机层是一个发射层。25.如权利要求23所述的方法，其中该第一有机层是一个空穴注入层并且该第二有机层是一个空穴传输层。26.如权利要求18所述的方法，其中该有机电子器件是一种有机