内容提供者
电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、III族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底.pdf
2023-06-14
10金币
624KB
20页
青团****青吖
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共20页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、III族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底.pdf
在工序(S103)中，在n型GaN衬底(11)上生长氮化镓基半导体层(13)。在工序(S104)中，在室温下测定包含黄带波长带的波长区域及包含与氮化镓基半导体层的带边对应的带边波长的波长区域的PL光谱。在工序(S106)中，通过将黄带波长带和带边波长的光致发光光谱强度与基准值比较而挑选外延衬底，制作已经挑选的外延衬底(E1)。在工序(S107)中，在已经挑选的外延衬底(13)上形成用于电子器件的电极(15)。
2023-06-14
10
624KB
III族氮化物半导体光元件、外延衬底及III族氮化物半导体发光元件的制作方法.pdf
本发明提供III族氮化物半导体光元件、外延衬底及III族氮化物半导体发光元件的制作方法。III族氮化物半导体光元件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)从与沿该第一III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴Cx正交的面，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向第一III族氮化物半导体的m轴方向倾斜。有源层(17)产生580nm以上800nm以下的波长范围的光。有源层(17)的半导体外延层(19)包含含有铟作为III族构成元素的III族氮化物半导体。第二III族氮化物半导体包含InGaN等。半导体外延层(1
2023-06-14
10
918KB
III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件.pdf
在半导体器件100中，通过使前表面10a具有特定的面取向，并且表面层12中存在以S换算为30×1010个/cm2至2000×1010个/cm2的硫化物及以O换算为2原子％至20原子％的氧化物，可以抑制在外延层22与III族氮化物半导体衬底10之间的界面处堆积C。因此，抑制了在外延层22与III族氮化物半导体衬底10之间的界面处形成高电阻率层。因此，可以提高半导体器件100的发光强度。
2023-06-14
10
769KB
III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件.pdf
在半导体器件(100)中，通过在表面层(12)中存在以S换算为30×1010个/cm2～2000×1010个/cm2的硫化物和以O换算为2原子％～20原子％的氧化物，在外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处能够抑制C堆积。通过这样抑制C的堆积，可抑制外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处的高电阻层的形成。由此，能够降低外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面的电阻，同时能够提高外延层(22)的结晶质量。因此，能够提高半导体器件(100)的发光强度和成品率。
2023-06-14
10
744KB
III族氮化物半导体光元件、外延衬底.pdf
本发明提供包含低电阻化的p型氮化镓基半导体层的III族氮化物半导体光元件。支撑体13的主面13a相对于基准平面Sc形成40度以上且140度以下的角度ALPHA，基准平面Sc正交于在该III族氮化物半导体的c轴的方向上延伸的基准轴Cx。主面13a显示出半极性及无极性中的任一种。n型GaN基半导体层15设置在支撑体13的主面13a上。n型GaN基半导体层15、有源层19及p型GaN基半导体层17排列在法线轴Nx的方向上。p型GaN基半导体层17中添加有镁作为p型掺杂剂，p型GaN基半导体层17含有碳作为p型掺
2023-06-14
10
1.1MB