半导体器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102822998A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102822998A(43)申请公布日2012.12.12(21)申请号201280001044.5(51)Int.Cl.(22)申请日2012.01.19H01L33/32(2006.01)H01L21/02(2006.01)(30)优先权数据H01L29/47(2006.01)2011-0298672011.02.15JPH01L29/872(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日2012.09.27(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2012/0510622012.01.19(87)PCT申请的公布数据WO2012/111379JA2012.08.23(71)申请人住友电气工业株式会社地址日本大阪府大阪市(72)发明人京野孝史石原邦亮八乡昭广吉田乔久上野昌纪木山诚(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219代理人韩峰孙志湧权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书1919页页附图附图99页(54)发明名称半导体器件及其制造方法(57)摘要半导体器件（5），其包括支撑衬底（60）、置于支撑衬底（60）上的导电层（50）以及置于导电层（50）上的至少一个III族氮化物半导体层（200）。在III族氮化物半导体层（200）之中，导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度和至多为5×1018cm-3的氧浓度。因此，可以提供具有高结晶度的半导体层的n向下型器件。CN10289ACN102822998A权利要求书1/2页1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：支撑衬底（60），置于所述支撑衬底（60）上的导电层（50），以及置于所述导电层（50）上的至少一个III族氮化物半导体层（200）；其中，在所述III族氮化物半导体层（200）之中，与所述导电层（50）相邻的导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度以及至多为5×1018cm-3的氧浓度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）具有至多为5×1017cm-3的氧浓度。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）含有Al作为用于形成III族氮化物的III族元素。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）含有Al作为用于形成III族氮化物的III族元素。5.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：准备第一复合衬底（1A、1B），所述第一复合衬底（1A、1B）具有接合于第一III族氮化物半导体层（210）的基底层（10）；在所述第一复合衬底（1A、1B）的所述第一III族氮化物半导体层（210）上，生长至少一个第二III族氮化物半导体层（220）；将临时支撑衬底（40）接合到所述第二III族氮化物半导体层（220），以形成第二复合衬底（2）；从所述第二复合衬底（2）去除所述基底层（10）；在所述第一III族氮化物半导体层（210）上形成导电层（50）；将支撑衬底（60）接合到所述导电层（50），以形成第三复合衬底（3）；以及从所述第三复合衬底（3）去除所述临时支撑衬底（40）；其中，所述第一III族氮化物半导体层（210）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度以及至多为5×1018cm-3的氧浓度。6.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：准备第一复合衬底（1A、1B），所述第一复合衬底（1A、1B）具有接合于第一III族氮化物半导体层（210）的基底层（10）；在所述第一复合衬底（1A、1B）的所述第一III族氮化物半导体层（210）上，生长至少一个第二III族氮化物半导体层（220）；将临时支撑衬底（40）接合到所述第二III族氮化物半导体层（220），以形成第二复合衬底（2）；从所述第二复合衬底（2）去除所述基底层（10）；去除所述第一III族氮化物半导体层（210）；在所述第二III族氮化物半导体层（220）上形成导电层（50）；将支撑衬底（60）接合到所述导电层（50），以形成第四复合衬底（4）；以及2CN102822998A权利要求书2/2页从所述第四复合衬底（4）去除所述临时支撑衬底（40）；其中，在所述第二III族氮化物半导体层（220）之中，与所述导电层（50）相邻的导电层邻接III族氮化物半导体层（220c）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度以及至多为5×1017cm-3的氧浓度。3CN102822998A说明书1/19页半导体器件