荧光粉体及发光装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103361055A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103361055103361055A(43)申请公布日2013.10.23(21)申请号201310111580.7(22)申请日2013.04.01(30)优先权数据1011116642012.04.02TW(71)申请人吕宗昕地址中国台湾台北市大安区罗斯福路4段1号(化工系112A室)(72)发明人吕宗昕杨哲远(74)专利代理机构北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279代理人李春晅丛芳(51)Int.Cl.C09K11/79(2006.01)C09K11/59(2006.01)H01L33/50(2010.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书12页说明书12页附图2页附图2页(54)发明名称荧光粉体及发光装置(57)摘要本发明荧光粉体及发光装置，提供一种包括碱土族离子、Si离子、N离子及Tb离子的荧光粉体，其中，Tb离子为发光中心。该荧光粉体于激发后具有宽放射峰。本发明的荧光粉体，可用于发光装置，以符合产业利用的需求。CN103361055ACN10365ACN103361055A权利要求书1/1页1.一种包括碱土族离子、Si离子、N离子及Tb离子的荧光粉体，其特征在于，Tb离子为发光中心，且该荧光粉体以Tb离子可吸收的激发光激发，具有半高宽大于20nm的放射峰。2.根据权利要求1所述的荧光粉体，其特征在于，该碱土族离子为Mg离子、Ca离子、Sr离子、Ba离子或其组合。3.根据权利要求1所述的荧光粉体，其特征在于还包括Mg离子、Ca离子、Sr离子、Ba离子、Ti离子、Cu离子、Zn离子、B离子、Al离子、In离子、Sn离子、Sb离子、Bi离子、Ga离子、Y离子、La离子、Lu离子、Li离子、Na离子、K离子、Ce离子、Pr离子、Nd离子、Pm离子、Sm离子、Eu离子、Gd离子、Dy离子、Ho离子、Er离子、Tm离子、Yb离子、Mn离子或其组合。4.根据权利要求1所述的荧光粉体，其特征在于是如式(I)所示：TxEySizNrTbaLbMc(I)，其中，T为Mg、Ca、Sr或Ba；E为Mg、Ca、Ba、Ti、Cu、Zn、B、Al、In、Sn、Sb、Bi、Ga、Y、La或Lu；L为Li、Na或K；M为Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Mn；1.4≤x≤2.6，0≤y≤0.5，4.3≤z≤5.6，7.4≤r≤9，0.01≤a≤0.5，0≤b≤0.5，0≤c≤0.5；以及，其中，Tb离子为发光中心，且该荧光粉体以Tb离子可吸收的激发光激发，具有半高宽大于20nm的放射峰。5.根据权利要求4所述的荧光粉体，其特征在于，该荧光粉体以Tb离子可吸收的激发光激发，具有半高宽大于25nm的放射峰。6.根据权利要求4所述的荧光粉体，其特征在于，该荧光粉体以波长350至600nm的激发光激发，具有半高宽大于20nm的放射峰。7.根据权利要求4所述的荧光粉体，其特征在于，该荧光粉体，于波长范围350至600nm之间具有半高宽大于50nm的激发峰。8.根据权利要求4所述的荧光粉体，其特征在于，该荧光粉体波长350至600nm激发峰强度的积分面积大于波长200至350nm激发峰强度的积分面积的0.1倍。9.根据权利要求4所述的荧光粉体，其特征在于，该荧光粉体的制备是包括合成反应，其是于还原气氛、大于1100℃的温度中实施。10.根据权利要求4所述的荧光粉体，其特征在于，该荧光粉体的平均粒径为0.01μm至50μm。11.根据权利要求4所述的荧光粉体，其特征在于具有式TxSizNrTba。12.根据权利要求4所述的荧光粉体，其特征在于具有式TxSizNrTbaLb。13.根据权利要求4所述的荧光粉体，其特征在于具有式TxSizNrTbaMc。14.根据权利要求4所述的荧光粉体，其特征在于具有式TxEySizNrTba。15.一种发光装置，其特征在于具有根据权利要求1-14中任意一项所述的荧光粉体。16.根据权利要求15所述的发光装置，其特征在于是发光二极管。2CN103361055A说明书1/12页荧光粉体及发光装置技术领域[0001]本发明是关于一种荧光粉体，尤其是，一种适用于发光二极管光源的荧光粉体。背景技术[0002]发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是一种无汞的环保光源，同时具有低耗电、高使用寿命、反应速率快、无热辐射、体积小等优点。1996年日本日亚化学公司(NichiaCorporation)首先发表利用蓝光LED搭配钇铝石榴石(YAG)黄色荧光粉体以产生白光的技术，从此白光发光二极管(WhiteLightEmittingDiode，WLED)正式