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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103450633A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103450633103450633A(43)申请公布日2013.12.18(21)申请号201310214481.1(22)申请日2013.05.31(30)优先权数据10-2012-00588582012.05.31KR(71)申请人LG伊诺特有限公司地址韩国首尔申请人国都化学株式会社(72)发明人文诚培尹相仁郑载勋金珉暎(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219代理人陈海涛穆德骏(51)Int.Cl.C08L63/00(2006.01)C08G59/30(2006.01)C08G59/20(2006.01)H01L33/56(2010.01)权权利要求书3页利要求书3页说明书11页说明书11页附图1页附图1页(54)发明名称环氧树脂组合物和发光设备(57)摘要本发明公开了环氧树脂组合物和发光设备。所述环氧树脂组合物包含三嗪衍生物环氧树脂和含硅的脂环族环氧树脂。CN103450633ACN103456ACN103450633A权利要求书1/3页1.一种环氧树脂组合物,包含:三嗪衍生物环氧树脂;和含硅的脂环族环氧树脂。2.如权利要求1所述的环氧树脂组合物,其中所述含硅的脂环族环氧树脂由如下化学式1表示:[化学式1]其中n为1~1000,R1、R2、R3、R4、R5和R6相互独立地选自氢、卤素基团、氨基、C1~C30的烷基、烷氧基、羧基和C5~C30的芳基,R7和R8为取代的脂环族烃,且R9和R10由如下化学式3表示:[化学式3]其中m为1~3,且R12选自氢、羟基、卤素基团、氨基、C1~C30的烷基、烷氧基、羧基和C5~C30的芳基。3.如权利要求2所述的环氧树脂组合物,其中所述R7和R8由如下化学式2表示:[化学式2]其中R11选自氢、羟基、卤素基团、氨基、C1~C30的烷基、烷氧基、羧基和C5~C30的芳基。4.如权利要求2所述的环氧树脂组合物,其中所述三嗪衍生物环氧树脂由如下化学式8表示:2CN103450633A权利要求书2/3页其中R13、R14和R15中的至少一个基团由如下化学式9表示,且R13、R14和R15中的其余基团选自氢、卤素基团、氨基、C1~C30的烷基、烷氧基、羧基和C5~C30的芳基,[化学式9]其中z为1~3。5.如权利要求4所述的环氧树脂组合物,其中所述含硅的脂环族环氧树脂的含量为约10重量%~约50重量%,其中所述三嗪衍生物环氧树脂的含量为约10重量%~约50重量%。6.如权利要求4所述的环氧树脂组合物,还包含固化剂、催化剂和添加剂,其中所述添加剂包括分散剂、流平剂和抗氧化剂,其中,基于所述环氧树脂组合物的总含量,所述固化剂的含量为约5重量%~约50重量%;基于所述环氧树脂组合物的总含量,所述催化剂的含量为约0.1重量%~约2重量%;且基于所述环氧树脂组合物的总含量,所述添加剂的含量为约0.1重量%~约10重量%。7.一种发光设备,包含:发光芯片;容纳所述发光芯片的主体部;和覆盖所述发光芯片的填充部,其中所述主体部包含含硅的脂环族树脂,其中所述主体部包含三嗪衍生物环氧树脂和含硅的脂环族环氧树脂。8.如权利要求7所述的发光设备,其中所述含硅的脂环族环氧树脂由如下化学式1表示:[化学式1]其中n为1~1000,3CN103450633A权利要求书3/3页R1、R2、R3、R4、R5和R6相互独立地选自氢、卤素基团、氨基、C1~C30的烷基、烷氧基、羧基和C5~C30的芳基,R7和R8为取代的脂环族烃,且R9和R10由如下化学式3表示:[化学式3]其中m为1~3,且R12选自氢、羟基、卤素基团、氨基、C1~C30的烷基、烷氧基、羧基和C5~C30的芳基。9.如权利要求8所述的发光设备,其中所述三嗪衍生物环氧树脂包含由如下化学式8表示的异氰脲酸酯环氧树脂:[化学式8]其中R13、R14和R15中的至少一个基团由如下化学式9表示,且R13、R14和R15中的其余基团选自氢、卤素基团、氨基、C1~C30的烷基、烷氧基、羧基和C5~C30的芳基,[化学式9]其中z为1~3。10.如权利要求9所述的发光设备,其中所述含硅的脂环族环氧树脂的含量为约10重量%~约50重量%,以及所述三嗪衍生物环氧树脂的含量为约10重量%~约50重量%。4CN103450633A说明书1/11页环氧树脂组合物和发光设备技术领域[0001]本发明涉及环氧树脂组合物和发光设备。背景技术[0002]近来,在全世界范围内广泛制造GaN白光发光二极管(LED)。制造GaN白光LED的方法主要分为两种方法:一种是使用单个芯片的方法,其中通过在蓝光LED或UVLED上形成荧光粉层而得到白光LED;且