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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103467489A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103467489103467489A(43)申请公布日2013.12.25(21)申请号201310218190.X(22)申请日2013.06.04(30)优先权数据10-2012-00606232012.06.05KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人朴正一李芳璘郑钟元郑知永(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人金拟粲(51)Int.Cl.C07D495/22(2006.01)H01L51/30(2006.01)权权利要求书4页利要求书4页说明书17页说明书17页附图3页附图3页(54)发明名称稠合多环杂芳族化合物、包括其的有机薄膜和电子装置(57)摘要公开了稠合多环杂芳族化合物、包括其的有机薄膜和电子装置。所述稠合多环杂芳族化合物具有低的分子量。所述稠合多环杂芳族化合物具有其中七个或更多个环稠合在一起的紧密的平面结构,且由此展现出高的电荷迁移率,且此外,使得当应用于装置时能够使用沉积法或室温溶液法,由此实现改善的加工性能。CN103467489ACN10346789ACN103467489A权利要求书1/4页1.由以下化学式1表示的稠合多环杂芳族化合物:[化学式1]其中,在以上化学式1中,Ar为取代或未取代的C6-C30芳族环状基团,X1-X4各自独立地为O、S、Se、Te、N-Ra或CRb,其中Ra和Rb各自独立地为氢、取代或未取代的直链或支链的C1-C30烷基、取代或未取代的C7-C30芳基烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、其中R11为取代或未取代的C6-C30芳基的取代或未取代的C6-C30芳氧基-OR11、取代或未取代的C4-C30环烷基、其中R12为取代或未取代的C4-C30环烷基的取代或未取代的C4-C30环烷基氧基-OR12、取代或未取代的C2-C30杂芳基、其中R13为取代或未取代的C1-C30烷基的酰基-C(=O)R13、其中R14为取代或未取代的1415C1-C30烷基的磺酰基-S(=O)2R、或其中R为取代或未取代的C1-C30烷基的氨基甲酸酯基-NHC(=O)OR15,X1和X2的至少一个选自O、S、Se、Te和N-Ra,X3和X4的至少一个选自O、S、Se、Te和N-Ra,X5和X6各自独立地为O、S、Se、Te、N-Ra或CRbRc,其中Ra-Rc各自独立地为氢、取代或未取代的直链或支链的C1-C30烷基、取代或未取代的C7-C30芳基烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、其中R11为取代或未取代的C6-C30芳基的取代或未取代的C6-C30芳氧基-OR11、取代或未取代的C4-C30环烷基、其中R12为取代或未取代的C4-C30环烷基的取代或未取代的C4-C30环烷基氧基-OR12、取代或未取代的C2-C30杂芳基、其中R13为取代或未取代的C1-C30烷基的酰基-C(=O)R13、其中R14为取代或未取代的1415C1-C30烷基的磺酰基-S(=O)2R、或其中R为取代或未取代的C1-C30烷基的氨基甲酸酯基-NHC(=O)OR15,和R1-R6各自独立地为氢、卤素-F、-Cl、-Br或-I、取代或未取代的直链或支链的C1-C30烷基、取代或未取代的直链或支链的C2-C30烯基、取代或未取代的直链或支链的C2-C30炔基、取代或未取代的C7-C30芳基烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳基烷基、取代或未取代的C2-C30烷基杂芳基、取代或未取代的C5-C30环烷基、取代或未取代的C2-C30杂环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、或者取代或未取代的C2-C30杂芳基。2.权利要求1的稠合多环杂芳族化合物,其中所述稠合多环杂芳族化合物由以下化学式1A表示:[化学式1A]2CN103467489A权利要求书2/4页其中,在以上化学式1A中,X1、X2、X3、X4、X5、X6、R1、R2、R3、R4、R5和R6与化学式1中相同,R100为氢、卤素-F、-Cl、-Br或-I、取代或未取代的直链或支链的C1-C30烷基、取代或未取代的直链或支链的C2-C30烯基、取代或未取代的直链或支链的C2-C30炔基、取代或未取代的C7-C30芳基烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳基烷基、取代或未取代的C2-C30烷基杂芳基、取代或未取代的C5-C30环烷基、取代或未取代的C2-C30杂环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、或者取代或未取代的C2-C30杂芳基,和x为1或2的整数。3.权利要求1的稠合多环杂芳族化合物,其中所述稠合多环杂芳族化合物由以下化学式1B-1