有机电致发光器件及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104078602104078602A(43)申请公布日2014.10.01(21)申请号201310108852.8(22)申请日2013.03.29(71)申请人海洋王照明科技股份有限公司地址518000广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层申请人深圳市海洋王照明技术有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司(72)发明人周明杰王平黄辉张振华(74)专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强(51)Int.Cl.H01L51/52(2006.01)H01L51/54(2006.01)H01L51/56(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书7页说明书7页附图2页附图2页(54)发明名称有机电致发光器件及其制备方法(57)摘要一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，所述电荷产生层材料包括金属氧化物及掺杂在金属氧化物中的VB族氧化物和铪的化合物，其中，所述VB族氧化物与所述金属氧化物的质量比为1:100～1:10，所述铪的化合物与所述金属氧化物的质量比为1:200～1:50。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。CN104078602ACN1047862ACN104078602A权利要求书1/2页1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，所述电荷产生层材料包括金属氧化物及掺杂在金属氧化物中的VB族氧化物和铪的化合物，所述金属氧化物选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中至少一种，所述VB族氧化物材料选自五氧化二钽、五氧化二铌及五氧化二钒中的至少一种，所述铪的化合物选自二氧化铪及二硼化铪中至少一种，其中，所述VB族氧化物与所述金属氧化物的质量比为1:100～1:10，所述铪的化合物与所述金属氧化物的质量比为1:200～1:50。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电荷产生层的厚度为5nm～20nm。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层及所述第二电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在阳极表面依次蒸镀制备空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层；在所述第一电子传输层表面蒸镀制备电荷产生层，所述电荷产生层材料包括金属氧化物及掺杂在金属氧化物中的VB族氧化物和铪的化合物，所述金属氧化物选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中至少一种，所述VB族氧化物材料选自五氧化二钽、五氧化二铌及五氧化二钒中的至少一种，所述铪的化合物选自二氧化铪及二硼化铪中至少一种，其中，所述VB族氧化物与所述金属氧化物的质量比为1:100～1:10，所述铪的化合物与所述金属氧化物的质量比为1:200～1:50，蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，所述金属氧化物蒸镀速率为1nm/s～10nm/s，所述VB族氧化物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s，所述铪的化合物蒸镀速率为1nm/s～10nm/s；及在所述电荷产生层表面依次蒸镀形成第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层及阴极。7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制