促进半蒴苣苔种子萌发的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105684596A(43)申请公布日2016.06.22(21)申请号201610046138.4(22)申请日2016.01.25(71)申请人广西壮族自治区药用植物园地址530023广西壮族自治区南宁市长岗路189号(72)发明人黄燕芬朱艳霞潘春柳董青松柯芳韦坤华缪剑华(74)专利代理机构北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369代理人靳浩(51)Int.Cl.A01C1/00(2006.01)A01C1/08(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称促进半蒴苣苔种子萌发的方法(57)摘要本发明公开了一种促进半蒴苣苔种子萌发的方法，将半蒴苣苔种子消毒后，用100-300mg/L的赤霉素水溶液在20-25℃下浸泡12-24h，然后取出半蒴苣苔种子清洗后进行发芽培养。本发明的方法显著的提高了半蒴苣苔种子的发芽率，提早种子萌发时间，提高种子萌发的整齐度，为半蒴苣苔的有性繁殖提供了良好基础，适用于半蒴苣苔的规模化人工种植。CN105684596ACN105684596A权利要求书1/1页1.一种促进半蒴苣苔种子萌发的方法，其特征在于，将半蒴苣苔种子消毒后，用100-300mg/L的赤霉素水溶液在20-25℃下浸泡12-24h，然后取出半蒴苣苔种子清洗后进行发芽培养。2.如权利要求1所述的促进半蒴苣苔种子萌发的方法，其特征在于，将半蒴苣苔种子消毒后，用200mg/L的赤霉素水溶液在25℃下浸泡12h。3.如权利要求2所述的促进半蒴苣苔种子萌发的方法，其特征在于，所述发芽培养具体是指将赤霉素水溶液浸种后的半蒴苣苔种子在变温和交替光照条件下萌发培养多个循环周期至萌发结束，期间控制发芽培养全程的相对湿度为80％-90％，以24h为一个循环周期，具体为：先在25℃光照条件下处理12h，光照强度为1000-3000lx，然后在15℃黑暗条件下处理12h。4.如权利要求3所述的促进半蒴苣苔种子萌发的方法，其特征在于，发芽培养时，光照条件下处理12h的具体操作为：第1-4h，光照强度为1000lx；第5-8h，光照强度为2000lx；第9-12h，光照强度为3000lx。5.如权利要求2所述的促进半蒴苣苔种子萌发的方法，其特征在于，在半蒴苣苔种子消毒之前，将半蒴苣苔种子用35℃磁化水浸泡8-12h，再置于熏蒸装置的密闭环境中熏蒸20-25min，熏蒸装置中放置有熏料层以及设置在熏料层上方8-10cm的第二层棉布，熏料层包括熏料芯以及包裹在熏料芯外部的第一层棉布，熏料芯包括高分子吸水树脂、蒙脱石、菟丝子和蒺藜草以质量比为1:1:50:20混合组成，所述熏料层经过醋液预先浸泡24h，所述醋液由竹醋液、草醋液和水以质量比为3:6:100组成，第二棉布预先置于磁化水中浸泡湿透，半蒴苣苔种子放置在第二层棉布上，在温度为120℃-130℃下熏蒸。6.如权利要求5所述的促进半蒴苣苔种子萌发的方法，其特征在于，所述熏料装置包括熏料架以及罩体，所述熏料架包括：电加热板；底座，其包括底座头部和支撑底座头部的底座支架，所述底座头部为长方体，其顶部设有容纳所述电加热板的凹槽，所述底座头部的上表面除去所述凹槽以外的四个角处分别设有一个固定孔，所述底座头部的其中一个侧面上设有旋钮，其用于调节所述电加热板的温度；四根等长的固定支架，其下端分别插入所述底座头部的四个固定孔中，上端为自由端，对于任意一根固定支架，其上端自下延伸设有多个环形凸棱；其中，罩体可拆卸套设在固定支架的外部且搁置于所述底座头部上；熏蒸时，将熏料层放置到电加热板上，第二层棉布系到四根固定支架的环形凸棱处使放置有半蒴苣苔种子的第二层棉布呈水平状态。7.如权利要求1所述的促进半蒴苣苔种子萌发的方法，其特征在于，半蒴苣苔种子消毒之前先进行筛选，具体是用筛孔为0.15mm和0.60mm的两层方孔筛筛选留在两层方孔筛之间的半蒴苣苔种子备用。8.如权利要求1所述的促进半蒴苣苔种子萌发的方法，其特征在于，所述消毒是指将半蒴苣苔种子用质量分数为0.1％的高锰酸钾水溶液浸泡5min，再用蒸馏水冲洗3遍。2CN105684596A说明书1/6页促进半蒴苣苔种子萌发的方法技术领域[0001]本发明涉及植物栽培技术领域。更具体地说，本发明涉及一种促进半蒴苣苔种子萌发的方法。背景技术[0002]半蒴苣苔(HemiboeasubcapitataC.B.Clarke)为苦苣苔科(Gesneriaceae)半蒴苣苔属(Hemiboea)多年生草本植物。以全草入药，甘，寒。清暑热，利湿，解毒，用于中暑，麻疹，咽喉痛，黄疸，烧、烫伤。同时，半蒴苣苔花白色，具紫色斑点，具有很高的观赏价值。长期以来，半蒴苣苔药材全部依赖于野生植物资源，长期过度