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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109972103A(43)申请公布日2019.07.05(21)申请号201910138645.4B05D1/40(2006.01)(22)申请日2019.02.25(71)申请人中山大学地址510275广东省广州市海珠区新港西路135号(72)发明人江绍基王虹张梓豪赵宇航莫云杰陈少飞(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102代理人林丽明(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/16(2006.01)C23C14/10(2006.01)C23C14/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜及其制备方法(57)摘要本发明提供一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜,包括基底、微纳球体、金属反射层、介质干涉层、金属吸收层、介质增透层;所述微纳球体通过匀胶机旋涂在所述基底上;所述金属反射层通过磁控溅射镀制在所述微纳球体上;所述介质干涉层通过磁控溅射镀制在所述金属反射层上;所述金属吸收层通过磁控溅射镀制在所述介质干涉层上;所述介质增透层通过磁控溅射镀制在所述金属吸收层上。本发明还提供了该吸收薄膜的制备方法,通过该方法制备出来的吸收薄膜在较宽的波段内均具有高的吸收率,对入射光具有良好的角度容差;且制备方法简单且适合大面积制备,易于实现工业化生产。CN109972103ACN109972103A权利要求书1/1页1.一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜,其特征在于:包括基底、微纳球体、金属反射层、介质干涉层、金属吸收层、介质增透层;其中:所述微纳球体通过匀胶机旋涂在所述基底上;所述金属反射层通过磁控溅射镀制在所述微纳球体上;所述介质干涉层通过磁控溅射镀制在所述金属反射层上;所述金属吸收层通过磁控溅射镀制在所述介质干涉层上;所述介质增透层通过磁控溅射镀制在所述金属吸收层上。2.根据权利要求1所述的一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜,其特征在于:所述的基底为任意材料制成;所述的微纳球体为任意材料制成;所述的金属反射层、金属吸收层为无色金属材料制成;所述介质干涉层、介质增透层为折射率为1.04~1.81低折射率材料制成。3.根据权利要求2所述的一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜,其特征在于:当所述低折射率材料为SiO2、无色金属为Cr时,所述的微纳球体半径为400nm-1000nm;所述的金属反射层的厚度大于100nm;所述的介质干涉层的厚度为80nm-140nm;所述的金属吸收层的厚度为5nm-10nm,所述的介质增透层的厚度为80nm-140nm。4.一种如权利要求3所述的一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将光学基底进行抛光;S2:在抛光的光学基底上利用匀胶机旋涂SiO2微纳球体溶液;S3:在SiO2微纳球体上采用磁控溅射镀制干涉膜系,所述干涉膜系具体为依次镀制Cr金属反射层、SiO2介质干涉层、Cr金属吸收层和SiO2介质增透层。2CN109972103A说明书1/4页一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能领域,更具体的,涉及一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜,还涉及该薄膜的制备方法。背景技术[0002]太阳能是一种清洁、可持续发展的能源,将太阳能转换为热能是太阳能利用的一种重要方式,因此,如何提高太阳能的利用效率收到了研究者的广泛关注。根据吸收原理的不同,传统的太阳能光谱选择吸收薄膜主要分为四类,分别是多层渐变膜、金属陶瓷膜、半导体-金属串列膜、多层光学干涉膜。目前这四类薄膜相对而言制备方法较简单、易产业化,但各类薄膜也存在相应的一些问题,如吸收波段不宽、制备工艺重复性差、对温度的耐候性差,其吸收波段依赖于所用材料,经过比较漫长的发展,目前已较难提升其性能。随着制备技术的不断提升,近些年来,一些研究者利用新型的微纳结构薄膜来实现宽波段的太阳能光谱选择吸收,结构的多样化虽然使得波段范围可以灵活调节,但其制备方法多依赖于电子束曝光、离子束刻蚀等技术,成本高昂、耗时长,且往往对入射光的倾斜角度非常敏感,难以推广到工业化生产。发明内容[0003]本发明为克服上述现有技术的微纳结构薄膜制备方法多依赖于电子束曝光、离子束刻蚀等技术,存在成本高昂、耗时长,且往往对入射光的倾斜角度非常敏感,难以推广到工业化生产的技术缺陷,提供一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜,还提供了该薄膜的制备方法。[0004]为解决上述技术问题,本发明的技术方案如下:[0005]一种宽角太阳能光谱选择吸收薄膜,包括基底、微纳球体、金属反射层、介质干涉层、金属吸收层、介质增透层;其中:[0006]所述微纳球体通过匀胶机旋涂在所述基底上;[0007]所述