一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器.pdf
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一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器.pdf
本发明公开了一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器,包括三层结构,由下至上依次为:硅衬底层、超材料层和光泵浦源,所述硅衬底层和超材料层均为掺硼的p型硅材料,所述超材料层由单元结构阵列组成,单元结构阵列在xoy平面内周期性的排列在所述硅衬底层,太赫兹波入射到所述吸波器上,被耦合进吸波器并激发电磁共振,实现对太赫兹波的宽带吸收,所述光泵浦源产生泵浦光束,正入射到所述硅衬底层和超材料层上,改变掺杂硅的载流子浓度,实现吸波器对太赫兹波的吸收频带、吸收率的调制功能;本发明结构简单,材料单一,易于加工,对太赫兹波吸收
一种基于光控开关的宽带超材料太赫兹吸波器.pdf
本发明提出了一种基于光控开关的宽带超材料太赫兹吸波器,包括底层金属反射板及其上方的介质基板,所述介质基板上贴覆有周期性结构单元,所述周期性结构单元由光控半导体硅贴片及金属贴片构成,包括位于介质基板中央的双臂螺旋结构及沿介质基板四周均匀对称分布的双Y形条状结构。该吸波器在TE波和TM波下均有很好的吸收效果,不同的电导率代表不同水平的光激发,所以当调节表面光控半导体硅的电导率可以对其吸收效果进行有效的调节,进而使其吸收率在90%以上的吸收频域几乎覆盖整个THz波段。本发明还具有结构简单,功能性强,吸收带宽极宽
一种太赫兹频段宽带超材料吸波器.pdf
本发明公开了一种太赫兹频段宽带超材料吸波器,属于电磁波和新型人工电磁材料技术领域。本发明自下至上包括金属衬底、介质层和金属谐振层,金属谐振层上有四对平行沟道,通过引入电容性耦合沟道,形成容性耦合原理,产生在频谱上邻近的多个吸收峰,从而有效提升工作带宽。本发明所述太赫兹宽带超材料吸波器在0.54~1.365THz范围内,对入射电磁波能量的吸收率均高于90%,相对带宽为86.6%。同时,本发明所述吸波器具有极化角度不敏感和宽角度吸收的特性。本发明可用于太赫兹频段以及其他频段宽带超材料吸波器及其系统中。
基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器及其方法.pdf
本发明提出基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器及其方法,所述吸波器从顶部至底部依次设有二硫化钼阵列层、中间介质层、金属层;所述二硫化钼阵列层以按规则图形周期性排列的多个二硫化钼单元组成,在高载流子浓度下呈现二硫化钼的类金属性质,具备对特定频段的入射太赫兹波的高吸收率;本发明用二维材料替代传统金属超表面的吸波器设计,实现了对太赫兹波的宽带可调吸收,结构简单、调制功能优异、吸收带宽极宽、对入射角度和偏振不敏感。
可调谐太赫兹吸波器.pdf
本发明提供一种可调谐太赫兹吸波器,包括衬底层以及固定在衬底层上的薄膜层;其中,衬底层,在所述衬底层上开设有相互独立的第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽和所述第二凹槽通过流道连通,在所述第二凹槽内加工成型有超表面阵列结构,在第一凹槽中注入具有所需介电常数的液体,液体通过流道流入到第二凹槽中;薄膜层,其密封在衬底层上以使得第一凹槽和第二凹槽形成为封闭的腔体,所述超表面阵列结构与所述薄膜层之间具有间距。本发明解决了现有吸波器吸收特性固定不可调的问题,实现太赫兹吸波器的吸收峰频点与吸收率实时调节的功能。