一种高透光高屏效的宽带微波吸波结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111029787A(43)申请公布日2020.04.17(21)申请号201911222992.1(22)申请日2019.12.03(71)申请人南京理工大学地址210094江苏省南京市玄武区孝陵卫200号(72)发明人顾文华吴杨慧宗志园陈彬王俊杰(74)专利代理机构南京理工大学专利中心32203代理人封睿(51)Int.Cl.H01Q17/00(2006.01)H05K9/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图4页(54)发明名称一种高透光高屏效的宽带微波吸波结构(57)摘要本发明公开了一种高透光高屏效的宽带微波吸波结构，包括位于顶层的第一介质层，位于中间的低频吸波层，以及位于底层的多层微米级金属网格层，其中低频吸波层由第二介质层和位于第二介质层上的低频吸波结构组成，所述多层微米级金属网格层由第三介质层、第四介质层、第五介质层，位于第二介质层和第三介质层之间的第一金属网格，位于第三介质层和第四介质层之间的第二金属网格，位于第四介质层和第五介质层之间的第三金属网格，以及位于五介质层下的第四金属网格组成。本发明具有超宽带、高屏蔽效能、高吸收率，可用于吸收和屏蔽特定频率范围的电磁波，提高设备的隐身能力和抗电磁干扰能力。CN111029787ACN111029787A权利要求书1/1页1.一种高透光高屏效的宽带微波吸波结构，其特征在于，包括位于顶层的第一介质层(A)，位于中间的低频吸波层(B)，以及位于底层的多层微米级金属网格层(C)，其中低频吸波层(B)由第二介质层(D2)和位于第二介质层(D2)上的低频吸波结构(F1)组成，所述多层微米级金属网格层(C)由第三介质层(D3)、第四介质层(D4)、第五介质层(D5)，位于第二介质层(D2)和第三介质层(D3)之间的第一金属网格(F2)，位于第三介质层(D3)和第四介质层(D4)之间的第二金属网格(F3)，位于第四介质层(D4)和第五介质层(D5)之间的第三金属网格(F4)，以及位于五介质层(D5)下的第四金属网格(F5)组成。2.根据权利要求1所述的高透光高屏效的宽带微波吸波结构，其特征在于，所述低频吸波结构(F1)为使用弯折线形成的谐振结构。3.根据权利要求1所述的高透光高屏效的宽带微波吸波结构，其特征在于，所述第一金属网格(F2)、第二金属网格(F3)、第三金属网格(F4)、第四金属网格(F5)的电导率依次增大。4.根据权利要求1所述的高透光高屏效的宽带微波吸波结构，其特征在于，所述低频吸波结构(F1)、第一金属网格(F2)、第二金属网格(F3)、第三金属网格(F4)、第四金属网格(F5)为通过静电喷墨打印技术印刷的微米级线宽金属网格。5.根据权利要求1所述的高透光高屏效的宽带微波吸波结构，其特征在于，所述低频吸波结构(F1)、第一金属网格(F2)、第二金属网格(F3)、第三金属网格(F4)、第四金属网格(F5)的投影完全重合。6.根据权利要求1所述的高透光高屏效的宽带微波吸波结构，其特征在于，所述低频吸波结构(F1)、第一金属网格(F2)、第二金属网格(F3)、第三金属网格(F4)、第四金属网格(F5)采用纳米银。7.根据权利要求1所述的高透光高屏效的宽带微波吸波结构，其特征在于，所述第一介质层(A)、第二介质层(D2)、第三介质层(D3)、第四介质层(D4)、第五介质层(D5)为透明玻璃、PET或PDMS。2CN111029787A说明书1/3页一种高透光高屏效的宽带微波吸波结构技术领域[0001]本发明涉及电磁技术，具体涉及一种高透光高屏效的宽带微波吸波结构。背景技术[0002]以高功率微波武器、电磁炸弹为代表的电磁武器正在快速发展，武器装备的信息和控制系统正面临被电磁毁伤的严重威胁。光学视窗是电磁能量耦合的主要窗口，受到电磁武器攻击时，会造成电子信息系统电磁毁伤。因此，这些光学窗口既需要电磁屏蔽又需要吸波隐身。近年来国内外高透光微波吸波器的研究发展迅速，但是兼具高屏效高透光率的宽带微波吸波器尚未见报道。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种高透光高屏效的宽带微波吸波结构。[0004]实现本发明目的的技术解决方案为：一种高透光高屏效的宽带微波吸波结构，包括位于顶层的第一介质层，位于中间的低频吸波层，以及位于底层的多层微米级金属网格层，其中低频吸波层由第二介质层和位于第二介质层上的低频吸波结构组成，所述多层微米级金属网格层由第三介质层、第四介质层、第五介质层，位于第二介质层和第三介质层之间的第一金属网格，位于第三介质层和第四介质层之间的第二金属网格，位于第四介质层和第五介质层之间的第三金属网格，以及位于五介质层下的第四金属网格组成。[0005]本发明与现有技术相比，其显著优点在