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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115762999A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202210984769.6(22)申请日2022.08.17(71)申请人矽力杰半导体技术(杭州)有限公司地址310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号(72)发明人范高齐雨陈威(51)Int.Cl.H01F27/26(2006.01)H01F27/34(2006.01)H01F41/02(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图3页(54)发明名称磁性结构,磁性元件及其磁性结构的制造方法(57)摘要本发明提供一种磁性结构,其特征在于,所述磁性结构的正视图包括至少一个窗口,所述至少一个窗口的每个窗口包括至少一个角,其中,所述磁性结构至少包括两种磁性材料,设置所述磁性结构的材料使得形成所述至少一个角的磁性组件包括第一类磁性材料以改善所述窗口拐角处的磁场分布。CN115762999ACN115762999A权利要求书1/2页1.一种磁性结构,其特征在于,所述磁性结构的正视图包括至少一个窗口,所述至少一个窗口的每个窗口包括至少一个角,其中,所述磁性结构至少包括两种磁性材料,设置所述磁性结构的材料使得形成所述至少一个角的磁性组件包括第一类磁性材料以改善所述窗口拐角处的磁场分布。2.根据权利要求1所述的磁性结构,其特征在于,所述磁性组件包括:第一磁性组件和第二磁性组件;以及第三磁性组件,位于所述第一磁性组件和所述第二磁性组件之间,并与所述第一磁性组件和所述第二磁性组件形成磁通回路,其中,所述第一磁性组件或/和所述第二磁性组件至少与所述第三磁性组件搭接的部分采用第一类磁性材料。3.根据权利要求2所述的磁性结构,其特征在于:所述两种磁性材料包括第一类磁性材料和第二类磁性材料,其中,在相同的工况下,所述第二类磁性材料能够承受的最高的磁感应强度值小于所述第一类磁性材料能够承受的最高的磁感应强度值。4.根据权利要求3所述的磁性结构,其特征在于,所述第一磁性组件和所述第二磁性组件与所述第三磁性组件搭接的部分采用第一类磁性材料,其他部分采用第二类磁性材料。5.根据权利要求4所述的磁性结构,其特征在于,所述第二磁性组件采用第一类磁性材料或第二类磁性材料。6.根据权利要求3所述的磁性结构,其特征在于:所述第一磁性组件和所述第二磁性组件采用第一类磁性材料,所述第二磁性组件采用第二类磁性材料。7.根据权利要求3所述的磁性结构,其特征在于:所述第一类磁性材料的相对磁导率小于等于1000。8.根据权利要求3所述的磁性结构,其特征在于:所述第一类磁性材料的磁导率小于所述第二种磁性材料的磁导率。9.根据权利要求2所述的磁性结构,其特征在于:所述第一磁性组件和所述第二磁性组件分别至少包括三部分,其中每个部分的磁导率单一。10.根据权利要求2所述的磁性结构,其特征在于:所述第一磁性组件和所述第二磁性组件采用所述第一种磁性材料的部分的边缘和与其搭接的所述第三磁性组件两侧的距离分别大于等于0.1%的所述第三磁性组件的横向尺寸。11.根据权利要求9所述的磁性结构,其特征在于:所述第一磁性组件或所述第二磁性组件任意两个部分之间设置为粘接材料,通过所述粘接材料将各个部分之间的相对位置固定。12.根据权利要求9所述的磁性结构,其特征在于:还包括骨架,通过所述骨架将所述第一磁性组件或所述第二磁性组件各个部分之间的相对位置固定。13.根据权利要求1所述的磁性结构,其特征在于,所述磁性组件包括第四磁性组件和第五磁性组件,所述第五磁性组件包括弧形状的第一部分和方形的第二部分,所述第四磁性组件与所述第五磁性组件的第一部分形成所述窗口的一个角。14.根据权利要求13所述的磁性结构,其特征在于,所述第四磁性组件采用第一类磁性材料,所述第五磁性组件采用第二类磁性材料,在相同的工况下,所述第二类磁性材料能够承受的最高的磁感应强度值小于所述第一类磁性材料能够承受的最高的磁感应强度值。2CN115762999A权利要求书2/2页15.一种磁性元件,其特征在于,包括如权利要求1至14任一项所述的磁性结构,还包括至少一组导线,所述导线绕制于所述磁性结构上,或置于所述磁性结构附近。16.根据权利要求14所述的磁性元件,其特征在于:所述磁性元件为电感器或变压器。17.一种形成磁性结构的制造方法,其特征在于,包括:形成第一磁性组件和第二磁性组件;形成第三磁性组件,将所述第三磁性组件设置于所述第一磁性组件和第二磁性组件之间,并与所述第一磁性组件和所述第二磁性组件形成磁通回路,其中,所述磁性结构至少包括两种磁性材料,所述第一磁性组件和所述第二磁性组件至少与所述第三磁性组件搭接的部分采用第一类磁性材料以改善搭接处的磁场分布。18.根据权利要求17所述的方法,其特征在于:所述