一种基于石墨烯的极化依赖性可调的太赫兹波吸波器.pdf
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一种基于石墨烯的极化依赖性可调的太赫兹波吸波器.pdf
本发明公开了一种基于石墨烯的极化依赖性可调的太赫兹波吸波器,涉及太赫兹吸波器技术领域,由顶部至底部依次设置的金属结构单元层、介质层和金属层,所述三层结构紧密贴合,所述介质层铺设于所述金属层上表面,所述金属结构单元层铺设于所述介质层上表面,所述介质层还铺设有线状石墨烯,所述金属结构单元层包括四种规格相同的H型金属板,所述金属反射板材料为金,所述介质层材料为聚酰亚胺,通过金属结构单元层以及线状石墨烯谐振单元的整体结构尺寸设计,太赫兹超表面上加载单层石墨烯,通过调节石墨烯的化学势来控制超表面对TE和TM波的吸收
基于石墨烯的全介质太赫兹可调谐吸波器.pdf
本发明公开了一种基于石墨烯的全介质太赫兹可调谐吸波器,属于太赫兹吸波领域,在4.5THz左右吸收率达到99.6%。特征是:所设计吸波器从上至下依次是一层图案化的石墨烯层(1‑4),一层介质层薄膜(5),五层砷化镓(6‑10)和四层聚酰亚胺介质(11‑14)交替组成的高反射层。其中,高反射层的厚度和折射率由多层电介质层的相位差和特征矩阵法得到;使用时域有限积分法,得到结构的吸收频谱;最后,通过参数化扫描优化模型的结构材料。本发明结构简洁、便于加工、吸收率高、没有任何金属损耗且可动态调节吸波器吸收频率,为全介
可调谐太赫兹吸波器.pdf
本发明提供一种可调谐太赫兹吸波器,包括衬底层以及固定在衬底层上的薄膜层;其中,衬底层,在所述衬底层上开设有相互独立的第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽和所述第二凹槽通过流道连通,在所述第二凹槽内加工成型有超表面阵列结构,在第一凹槽中注入具有所需介电常数的液体,液体通过流道流入到第二凹槽中;薄膜层,其密封在衬底层上以使得第一凹槽和第二凹槽形成为封闭的腔体,所述超表面阵列结构与所述薄膜层之间具有间距。本发明解决了现有吸波器吸收特性固定不可调的问题,实现太赫兹吸波器的吸收峰频点与吸收率实时调节的功能。
一种基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器.pdf
本发明提出了一种基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器,吸波器由吸波器单元构成,吸波器单元设置有9层结构,从上到下依次为石墨烯层和Topas介质层共8层间隔设置,底层为金属层,石墨烯层为椭圆形且每个相邻的石墨烯层的长轴互相垂直设置。石墨烯层在本发明中作为吸波材料,石墨烯层为椭圆形结构可以诱发入射太赫兹波的局域表面等离激元谐振。通过对四个不同石墨烯层进行不同载流子浓度的掺杂,从而改变石墨烯的化学势,进而可以独立调节8个吸波频段的频率,或者长短轴的长度调整,也可以独立调节8个吸波频段的频率。该太赫兹吸波器具有八
一种可调谐太赫兹吸波器.pdf
本发明公开一种可调谐太赫兹吸波器,从底部向上依次包括金属层、掺杂硅层、钛酸锶(STO)层、石墨烯层;所述掺杂硅层、所述STO层、所述石墨烯层周期性排列在所述金属层上,排列周期小于入射波长。石墨烯在太赫兹波段具有巨大的吸收率,并且在该吸波器上施加电压会改变石墨烯层的化学势,实现吸收振幅调谐;硅作为一种半导体材料,通过外界的光泵浦会改变载流子浓度,实现吸收振幅调谐;STO是一种热敏感材料,通过改变外界温度,实现中心频率调谐。本发明通过电、光、热三种调控方式实现吸波器的吸收振幅和中心频率的独立可调。本发明结构简