一种可控电磁屏蔽构件及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112492864A(43)申请公布日2021.03.12(21)申请号202011347828.6B33Y80/00(2015.01)(22)申请日2020.11.26(71)申请人华中科技大学地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号(72)发明人宋波张志张磊史玉升(74)专利代理机构华中科技大学专利中心42201代理人石梦雅李智(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)C22C9/04(2006.01)B22F10/28(2021.01)B22F5/00(2006.01)B33Y10/00(2015.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称一种可控电磁屏蔽构件及其制备方法(57)摘要本发明属于电磁屏蔽相关技术领域，并具体公开了一种可控电磁屏蔽构件及其制备方法。该构件包括三维点阵结构和外层板，其中：三维点阵结构为预设数量的点阵单胞通过三维周期性阵列连接形成的点阵结构；该三维点阵结构由形状记忆合金制成，可在外界温度控制下沿竖直方向进行压缩或回复，以通过改变三维点阵结构的孔隙调节该构件的电磁屏蔽效果；外层板包括上层板和下层板，其分别覆盖在三维点阵结构的上下两端，用于提高可控电磁屏蔽构件的稳定性。本发明在外界温度的控制下能够沿竖直方向进行压缩和回复，以改变该三维点阵结构的孔隙，并影响电磁波的反射率和吸收率，进而实现电磁屏蔽效果可控，具有应用范围广、成本低、控制方便、轻量化的优势。CN112492864ACN112492864A权利要求书1/1页1.一种可控电磁屏蔽构件，其特征在于，该构件包括三维点阵结构和外层板，其中：所述三维点阵结构为预设数量的点阵单胞通过三维周期性阵列连接形成的点阵结构；该三维点阵结构由形状记忆合金制成，可在外界温度控制下沿竖直方向进行压缩或回复，以通过改变所述三维点阵结构的孔隙调节该构件的电磁屏蔽效果；所述外层板包括上层板和下层板，其分别覆盖在所述三维点阵结构的上下两端，用于提高所述可控电磁屏蔽构件的稳定性。2.如权利要求1所述的可控电磁屏蔽构件，其特征在于，所述形状记忆合金为Cu‑Zn‑Al系记忆合金，其中Zn含量为35wt％～40wt％，Al含量为2wt％～6.5wt％，Zr含量为0.2wt％～1wt％，Si含量为0.1wt％～0.6wt％，余量为Cu。3.如权利要求1所述的可控电磁屏蔽构件，其特征在于，各个所述点阵单胞之间的连接杆的内部具备孔隙。4.如权利要求1所述的可控电磁屏蔽构件，其特征在于，所述三维点阵结构采用三维极小曲面结构。5.如权利要求1～4任一项所述的可控电磁屏蔽构件，其特征在于，所述上层板或下层板的厚度为所述三维点阵结构高度的6.一种制备如权利要求1～5任一项所述的可控电磁屏蔽构件的方法，其特征在于，该方法具体为：S1构建所述可控电磁屏蔽构件的零件模型并进行切片处理；S2将形状记忆合金粉末作为原料，利用激光选区熔化技术进行逐层打印，最终制得成形零件；S3对所述成形零件进行驱动训练，使得其可在外界温度控制下沿竖直方向进行压缩或回复，以此制得所述可控电磁屏蔽构件。7.如权利要求6所述的可控电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，步骤S1中获得切片层的厚度为0.03mm～0.06mm。8.如权利要求6所述的可控电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，步骤S3中进行驱动训练具体包括如下子步骤：S31将所述成形零件置于15℃～25℃的水中，对该成形零件施加Z轴轴向压力，促使该成形零件沿Z轴方向发生压缩变形；S32然后将该成形零件置于70℃～100℃的水中，并撤掉施加在该成形零件上的压力，使得该成形零件回复，以此进行驱动训练。9.如权利要求6所述的可控电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述形状记忆合金粉末的粒径为10μm～60μm。10.如权利要求6～9任一项所述的可控电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，步骤S2中，在氩气气氛下进行激光选区熔化，并且激光选区熔化采用的激光功率为220W～340W，扫描速度为300mm/s～500mm/s，激光功率密度为100J/mm3～300J/mm3。2CN112492864A说明书1/6页一种可控电磁屏蔽构件及其制备方法技术领域[0001]本发明属于电磁屏蔽相关技术领域，更具体地，涉及一种可控电磁屏蔽构件及其制备方法。背景技术[0002]随着信息科技的飞速发展，电磁波的应用不断扩大，在通信行业、医疗检测行业等被予以广泛关注。但在航空等领域因电磁波引发的电磁干扰却成为棘手问题，因此电磁屏蔽的研究成为一个焦点话题。[0003]近年来功能材料及点阵结构种类层出不穷，在结构力学、热力学、电磁学等科研领域点阵结构和功能材料的结合已经屡见不鲜。但是为了实