一种宽频带太赫兹吸波体.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114126393A(43)申请公布日2022.03.01(21)申请号202111429946.6(22)申请日2021.11.29(71)申请人安徽大学地址230601安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号(72)发明人方明康美军徐珂冯健肖志成程荣生刘星晨刘晨冉黄志祥(74)专利代理机构北京一枝笔知识产权代理事务所(普通合伙)11791代理人汪二照(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种宽频带太赫兹吸波体(57)摘要本说明书实施例提供了一种同时兼顾超宽带且高吸收的太赫兹吸波体。它自上而下图案依次由宽型十字架金属金、IT0薄膜、SiO2层、中间镂空十字型的金属金组成。通过调整各层模型尺寸，让其在波长范围为1530nm‑1950nm之间达到带宽400nm以上吸收率为90％以上的宽频带吸收。在电磁波诸多领域有很多用处。CN114126393ACN114126393A权利要求书1/1页1.一种宽频带太赫兹吸波体，其特征在于，包括：顶层十字型金层、介质层和底部镂空十字型金层，其中，所述顶层十字型金层和所述底部镂空十字型金层的长宽尺寸一样，厚度不一致，所述介质层的材料在太赫兹红外波段有宽频带高吸收的特性。2.如权利要求1所述的宽频带太赫兹吸波体，其特征在于，所述介质层为IT0薄膜和SiO2层，其中，所述IT0薄膜靠近所述顶层十字型金层设置。3.如权利要求2所述的宽频带太赫兹吸波体，其特征在于，所述ITO薄膜的厚度为20‑40nm，宽度为400‑500nm。4.如权利要求3所述的宽频带太赫兹吸波体，其特征在于，所述ITO薄膜的厚度为30nm，宽度为460nm。5.如权利要求2所述的宽频带太赫兹吸波体，其特征在于，SiO2的厚度为150‑250nm。6.如权利要求5所述的宽频带太赫兹吸波体，其特征在于，SiO2的厚度为200nm。7.如权利要求1所述的宽频带太赫兹吸波体，其特征在于，所述顶层十字型金层的长为250‑350nm，宽为150‑250nm，厚度为10‑60nm，所述底部镂空十字型金层的厚度为30‑150nm。8.如权利要求7所述的宽频带太赫兹吸波体，其特征在于，所述顶层十字型金层的长为300nm，宽为190nm，厚度为40nm，所述底部镂空十字型金层的厚度为110nm。9.如权利要求1所述的宽频带太赫兹吸波体，其特征在于，所述宽频带太赫兹吸波体的尺寸为纳米。10.如权利要求2所述的宽频带太赫兹吸波体，其特征在于，所以顶层十字型金层、底部镂空十字型金层和ITO薄膜选用Drude模型参数。2CN114126393A说明书1/3页一种宽频带太赫兹吸波体技术领域[0001]本申请涉及电磁波和人工电磁材料技术领域，尤其涉及一种宽频带太赫兹吸波体。背景技术[0002]近年来，在材料、化学、医药学、雷达等诸多领域，太赫兹有着广泛的应用。太赫兹辐射源和探测器的发展，在很大程度上促进了太赫兹辐射理论和应用的研究。传统的太赫兹吸波材料吸收率较低，吸收频带窄，且尺寸规模较大。随着电磁波技术的发展，电磁兼容、电磁兼容的进一步研究深化，在吸波材料材料领域有了很大的突破。宽频带吸波材料是一种以吸波材料的电磁设计为基础，根据设计的要求选取合适的介质层，进而做出与应用需求相适应的制造工艺。发明内容[0003]有鉴于此，本申请实施例提供了一种宽频带太赫兹吸波体，具有较宽的频带且吸收率可以达到90％以上，并且结构简单，尺寸很小，制作方便，可以应用于上述背景技术的一些领域。[0004]为解决上述技术问题，本说明书实施例是这样实现的：[0005]本说明书实施例提供的一种宽频带太赫兹吸波体，包括：顶层十字型金层、介质层和底部镂空十字型金层，其中，所述顶层十字型金层和所述底部镂空十字型金层的长宽尺寸一样，厚度不一致，所述介质层的材料在太赫兹红外波段有宽频带高吸收的特性。[0006]可选的，所述介质层为IT0薄膜和SiO2层，其中，所述IT0薄膜靠近所述顶层十字型金层设置。[0007]可选的，所述ITO薄膜的厚度为20‑40nm，宽度为400‑500nm。[0008]可选的，所述ITO薄膜的厚度为30nm，宽度为460nm。[0009]可选的，SiO2的厚度为150‑250nm。[0010]可选的，SiO2的厚度为200nm。[0011]可选的，所述顶层十字型金层的长为250‑350nm，宽为150‑250nm，厚度为10‑60nm，所述底部镂空十字型金层的厚度为30‑150nm。[0012]可选的，所述顶层十字型金层的长为300nm，宽为190nm，厚度为40nm，所述底部镂空十字型金层的厚度为110nm。[0013]可选的，