基带芯片缓存结构读写控制方法及基带芯片缓存结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115757209A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211379600.4G06F15/78(2006.01)(22)申请日2022.11.04(71)申请人深圳智微电子科技有限公司地址518000广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区留新四街万科云城三期C区八栋A座4005房(72)发明人黄雄科刘琳童陈晓杰杨罕李正卫(74)专利代理机构郑州睿信知识产权代理有限公司41119专利代理师吴敏(51)Int.Cl.G06F12/0877(2016.01)G06F12/084(2016.01)G06F5/06(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称基带芯片缓存结构读写控制方法及基带芯片缓存结构(57)摘要本发明属于电力线载波通信技术领域，具体涉及一种基带芯片缓存结构读写控制方法及基带芯片缓存结构，包括：接收通信报文数据，并缓存至多bank缓存单元；若通信报文数据为前导数据，则从多bank缓存单元读出前导数据，直到前导数据读取完毕；依据获取的当前的多bank缓存单元被访问的读、写指针所在的bank序列号，将多bank缓存单元划分为共享缓存模块和包含未读取的通信报文数据的循环缓存模块；循环缓存模块用于循环存储后续的通信报文数据；共享缓存模块用于供外部模块读、写访问；分别控制共享缓存模块和循环缓存模块被读写访问。由此，本发明解决了基带芯片缓存存储体大、功耗大以及性能差的问题。CN115757209ACN115757209A权利要求书1/2页1.一种基带芯片缓存结构读写控制方法，其特征在于：包括以下步骤：1)接收通信报文数据，缓存至多bank缓存单元；2)判断所述通信报文数据是否为前导数据，若通信报文数据为前导数据，则从多bank缓存单元读出前导数据，直到前导数据读取完毕；3)前导数据读取完毕后，获取当前多bank缓存单元被访问的读、写指针以及读、写指针所在的bank序列号；4)依据读、写指针所处的bank序列号，将多bank缓存单元划分为共享缓存模块和包含未读取的通信报文数据的循环缓存模块；循环缓存模块用于循环存储后续的通信报文数据；共享缓存模块用于供外部模块读、写访问；5)控制共享缓存模块被外部模块读、写访问；控制循环缓存模块缓存后续的通信报文数据以及被读取后续的通信报文数据。2.根据权利要求1所述的基带芯片缓存结构读写控制方法，其特征在于：步骤4)中采用以下方式划分多bank缓存单元：多bank缓存单元在被划分前依据bank序列号从小到大的顺序缓存数据；依据读指针所在的bank序列号确定循环缓存模块的起始bank序列号；循环缓存模块的起始bank序列号小于等于读指针所在的bank序列号；循环缓存模块的结束bank序列号大于等于读指针所在的bank序列号；除循环缓存模块外多bank缓存单元中剩余的bank块为共享缓存模块。3.根据权利要求1所述的基带芯片缓存结构读写控制方法，其特征在于：所述通信报文数据为基带芯片时钟域同步后的数据。4.根据权利要求1至3任一项所述的基带芯片缓存结构读写控制方法，其特征在于：步骤5)中对共享缓存模块和循环缓存模块分别进行读、写数据包括：将共享缓存模块中各bank映射到外部的缓存访问接口，得到映射关系；依据映射关系和共享缓存模块的使能掩码share_mask进行共享缓存模块的写入和读取；依据循环缓存模块的读使能掩码loop_rd_mask和写使能掩码loop_wr_mask对循环缓存模块进行读写访问。5.根据权利要求4所述的基带芯片缓存结构读写控制方法，其特征在于：步骤5)中采用如下公式确定共享缓存模块的使能掩码share_mask：share_mask＝(M1<<share_bank_sid)|(share_bank_sid>N？(M1>>(AN‑share_bank_sid)):0)M1＝(1<<SN)‑1其中，SN为共享缓存模块的bank数，share_bank_sid为共享缓存模块的起始bank序列号，AN为多bank缓存单元的全部bank数，N为循环缓存模块的bank数。6.根据权利要求4所述的基带芯片缓存结构读写控制方法，其特征在于：采用以下方式确定循环缓存模块的读使能掩码：loop_rd_mask＝rd_req<<loop_bank_rid采用以下方式确定循环缓存模块的写使能掩码：loop_wr_mask＝wr_req<<loop_bank_wid其中，rd_req为当前读写请求信号，wr_req为写请求信号，loop_bank_rid为循环缓存模块中循环读数据时读地址所对应的bank序列号，loop_bank_wid为循环缓存模块中循环2CN115757209A权利要求书2/2页写