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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114784519A(43)申请公布日2022.07.22(21)申请号202210354520.7(22)申请日2022.04.06(71)申请人南京邮电大学地址210046江苏省南京市栖霞区文苑路9号(72)发明人陈鹤鸣路浩(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司32224专利代理师冯宁(51)Int.Cl.H01Q17/00(2006.01)H01Q15/00(2006.01)H05K9/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器(57)摘要本发明公开了一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器,包括:顶部金属谐振层、第一金属谐振层、第二金属谐振层、介质层、底部金属反射层;其中,底部金属反射层封装在介质层的开口处,第一金属谐振层、第二金属谐振层设于底部金属反射层的一侧面上且收容在介质层的内部,顶部金属谐振层连接在介质层顶部的;第二金属谐振层设于第一金属谐振层的一侧面上;所述第一金属谐振层、第二金属谐振层和顶部金属谐振层均为圆形且圆心位于同一直线上。本发明的偏振不敏感超材料太赫兹宽带吸收器具有结构简单紧凑、宽带内吸收率高、偏振不敏感、吸收率高和宽角度入射等优点,满足在电磁隐身、太赫兹通信、生物传感等领域应用要求。CN114784519ACN114784519A权利要求书1/1页1.一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器,其特征在于,包括:介质层,封装在介质层开口处的底部金属反射层,设于底部金属反射层一侧面上且收容在介质层内部的第一金属谐振层、第二金属谐振层,以及连接在介质层顶部的顶部金属谐振层;其中,所述第二金属谐振层设于所述第一金属谐振层的一侧面上。2.根据权利要求1所述的一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器,其特征在于,所述底部金属反射层采用金材料制成,所述底部金属反射层的尺寸边长为34μm,厚度为0.2μm,所述底部金属反射层电导率为4×107S/m。3.根据权利要求1所述的一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器,其特征在于,所述介质层采用聚酰亚胺材料制成,所述介质层的尺寸长和宽的边长均为34μm,厚度为4.3μm。4.根据权利要求1所述的一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器,其特征在于,所述第一金属谐振层、第二金属谐振层和顶部金属谐振层均为圆形且圆心位于同一直线上。5.根据权利要求4所述的一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器,其特征在于,所述第一金属谐振层采用纯金材料制成,所述第一金属谐振层的尺寸半径为9.65μm,厚度为0.2μm,所述第一金属谐振层的电导率为4×107S/m。6.根据权利要求4所述的一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器,其特征在于,所述第二金属谐振层采用纯金材料制成,所述第二金属谐振层的尺寸半径为8.85μm,厚度为0.2μm,所述第二金属谐振层的电导率为4×107S/m。7.根据权利要求4所述的一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器,其特征在于,所述顶部金属谐振层采用纯金材料制成,所述顶部金属谐振层的尺寸半径为8μm,厚度为0.2μm,所述顶部金属谐振层电导率为4×107S/m。8.根据权利要求1所述的一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器,其特征在于,所述顶部金属谐振层下表面至第二金属谐振层的上表面的距离为2.5μm;所述第二金属谐振层下表面至所述第一金属谐振层上表面的距离为0.8μm;所述第一金属谐振层下表面至所述底部金属反射层上表面和介质层底部端的距离为0.6μm;所述第一金属谐振层通过焊锡或胶体固定在底部金属反射层上表面;所述第一金属谐振层通过焊锡或胶体与第二金属谐振层固定;所述顶部金属谐振层通过焊锡或胶体固定在介质层的顶部。9.根据权利要求1所述的一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器,其特征在于,所述偏振不敏感超材料太赫兹宽带吸收器的周期结构呈M*N二维周期排布,其中M和N都是正整数。2CN114784519A说明书1/5页一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器技术领域[0001]本发明涉及电磁超材料和太赫兹吸收器领域,尤其涉及一种偏振不敏感多层结构超材料太赫兹宽带吸收器。背景技术[0002]太赫兹波在电磁波谱上处于毫米波与远红外光之间,其频率范围为0.1THz至10THz,波长范围为30μm至3000μm,具有强穿透、低能量、高分辨等优良特性。近年来,随着太赫兹探测和太赫兹源技术的发展,太赫兹波及其相关技术在通信、生物、医药、军事等各个领域逐渐成为研究热点。太赫兹波段能得到迅速的发展和广泛的应用,主要由于太赫兹功能器件(如调制器、滤波器、移相器、吸收器等)的研究与发展,