树脂构件的加工方法、树脂构件的加工装置及树脂部件的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114929458A(43)申请公布日2022.08.19(21)申请号202080090664.5(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所(22)申请日2020.12.0711105专利代理师张劲松(30)优先权数据2019-2396472019.12.27JP(51)Int.Cl.B29C65/16(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.06.24(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2020/0455042020.12.07(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/131642JA2021.07.01(71)申请人激光系统有限公司地址日本德岛县申请人日亚化学工业株式会社(72)发明人浅川雄一坪井泰之为本广昭田冈亮太山本稔权利要求书3页说明书15页附图4页(54)发明名称树脂构件的加工方法、树脂构件的加工装置及树脂部件的制造方法(57)摘要本发明的课题在于提供通过光的照射，使含有树脂的构件中的仅所希望的区域充分地升温，来对树脂构件进行加工的方法。而且，本发明的课题还在于，提供用于进行该加工的树脂构件的加工装置及树脂部件的制造方法。解决上述课题的树脂构件的加工方法包括：对含有树脂的第一构件照射使所述树脂电子激发的第一波长的第一光的工序；以及对通过所述第一光的照射被电子激发了的所述树脂照射第二波长的第二光的工序，该第二波长是比所述第一波长更长的波长。所述第二波长包含于通过被电子激发从而所述树脂的光吸收率增大的波长区域。CN114929458ACN114929458A权利要求书1/3页1.一种树脂构件的加工方法，包括：对含有树脂的第一构件照射使所述树脂电子激发的第一波长的第一光的工序；以及对通过所述第一光的照射被电子激发了的所述树脂照射第二波长的第二光的工序，该第二波长是比所述第一波长更长的波长，所述第二波长的波长区域包含于因所述树脂被电子激发而所述树脂的光吸收率增大的波长区域。2.如权利要求1所述的树脂构件的加工方法，其中，还包括准备第二构件的工序，并且还包括通过使所述第一构件的被照射了所述第一光及所述第二光的区域与所述第二构件接触，来将所述第一构件与所述第二构件接合的工序。3.如权利要求2所述的树脂构件的加工方法，其中，同时地进行照射所述第二光的工序和将所述第一构件与所述第二构件接合的工序。4.如权利要求1～3中任意一项所述的树脂构件的加工方法，其中，所述第二波长的波长区域是因所述树脂的电子激发引起的所述树脂的升温而所述树脂的光吸收率增大的波长区域。5.如权利要求1～3中任意一项所述的树脂构件的加工方法，其中，所述第二波长的波长区域是因所述树脂的电子激发引起的所述树脂的激发三重态而所述树脂的光吸收率增大的波长区域。6.如权利要求1～5中任意一项所述的树脂构件的加工方法，其中，所述树脂在未被照射所述第一光的状态下，对于所述第二波长的光不具有由电子激发引起的吸收。7.如权利要求1～6中任意一项所述的树脂构件的加工方法，其中，同时地进行照射所述第一光的工序和照射所述第二光的工序。8.如权利要求1～7中任意一项所述的树脂构件的加工方法，其中，所述第一光及所述第二光为激光。9.如权利要求1～8中任意一项所述的树脂构件的加工方法，其中，所述第一波长为410nm以下。10.如权利要求1～9中任意一项所述的树脂构件的加工方法，其中，所述第二波长为超过400nm且550nm以下。11.如权利要求1～10中任意一项所述的树脂构件的加工方法，其中，在照射所述第一光的工序及照射所述第二光的工序中，测量所述第一构件的被照射了所述第一光及所述第二光的区域的温度，根据所述第一构件的被照射了所述第一光及所述第二光的区域的温度，调整所述第一光及所述第二光的强度。12.一种树脂构件的加工装置，具备：第一光照射系统，其用于对含有树脂的第一构件的所述树脂照射使所述树脂电子激发的第一波长的第一光；以及第二光照射系统，其用于对所述第一构件的所述树脂照射第二波长的第二光，该第二波长是比所述第一波长更长的波长，所述第二波长的波长区域包含于因所述树脂被电子激发而所述树脂的光吸收率增大2CN114929458A权利要求书2/3页的波长区域。13.如权利要求12所述的树脂构件的加工装置，其中，还具有用于对所述第一构件与第二构件的相对位置进行控制的位置控制部，所述位置控制部将所述第二构件与由所述第一光照射系统和所述第二光照射系统分别照射了所述第一光和所述第二光的所述第一构件接合。14.如权利要求12所述的树脂构件的加工装置，其中，在以所述第一构件与第二构件相接触的方式进行了配置的状态下，对所述第一构件与所述第二构件的界面，分别从所述第一光照射系统和所述第二光照射系统照射所述第一光和所