静电放电器件以及包括该静电放电器件的显示驱动芯片.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115775799A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202211080214.5(22)申请日2022.09.05(30)优先权数据10-2021-01185512021.09.06KR10-2022-00717252022.06.13KR10-2022-00968482022.08.03KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人高在赫康彰植(74)专利代理机构北京市立方律师事务所11330专利代理师李娜邓思思(51)Int.Cl.H01L27/02(2006.01)权利要求书3页说明书13页附图13页(54)发明名称静电放电器件以及包括该静电放电器件的显示驱动芯片(57)摘要提供了一种静电放电(ESD)器件以及包括该静电放电器件的显示驱动芯片。所述ESD器件可以包括半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区、第二区和器件隔离结构。所述第一区可以包括具有第一导电类型的第一杂质区、具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质区、第一基阱和位于所述第一基阱中的第一阱。所述器件隔离结构可以位于所述第一杂质区与所述第二杂质区之间。所述第一基阱可以在所述衬底中围绕所述第一杂质区、所述第二杂质区和所述器件隔离结构的下部。所述第一阱可以具有所述第一导电类型。所述第一阱可以在第一方向上与所述器件隔离结构间隔开，且所述第一基阱的一部分位于所述第一阱与所述器件隔离结构之间。CN115775799ACN115775799A权利要求书1/3页1.一种ESD器件，所述ESD器件即静电放电器件，所述ESD器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括具有第一导电类型的第一杂质区、具有第二导电类型的第二杂质区、第一基阱和位于所述第一基阱中的第一阱，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；以及器件隔离结构，所述器件隔离结构位于所述第一杂质区与所述第二杂质区之间，其中，所述第一基阱在所述半导体衬底中围绕所述第一杂质区、所述第二杂质区和所述器件隔离结构的下部，所述第一阱具有所述第一导电类型，并且所述第一阱在第一方向上与所述器件隔离结构间隔开，且所述第一基阱的一部分位于所述第一阱与所述器件隔离结构之间。2.根据权利要求1所述的ESD器件，其中，所述第一基阱一体地覆盖所述第一杂质区、所述第二杂质区、所述器件隔离结构和所述第一阱。3.根据权利要求2所述的ESD器件，其中，所述半导体衬底还包括具有所述第二导电类型的第二阱，所述第二阱在所述第二杂质区下面位于所述第一基阱中，并且所述第二阱在所述第一方向上与所述第一阱间隔开。4.根据权利要求3所述的ESD器件，其中，所述第一基阱具有所述第二导电类型。5.根据权利要求1所述的ESD器件，其中，所述第一基阱包括位于所述第一杂质区下面的第一区基阱和位于所述第二杂质区下面的第二区基阱，所述第一阱在所述第一方向上与所述器件隔离结构间隔开，所述第一区基阱的一部分位于所述器件隔离结构与所述第一阱之间，并且在所述器件隔离结构下面，所述第一区基阱和所述第二区基阱在所述第一方向上彼此间隔开。6.根据权利要求5所述的ESD器件，其中，所述半导体衬底还包括在所述第二区基阱中的具有所述第二导电类型的第二阱，并且所述第二杂质区位于所述第二阱上。7.根据权利要求5所述的ESD器件，其中，所述第一杂质区的杂质浓度大于所述第一阱的杂质浓度，并且所述第一阱的所述杂质浓度大于所述第一区基阱的杂质浓度。8.根据权利要求5所述的ESD器件，其中，所述器件隔离结构包括在垂直方向上与所述第一区基阱重叠的第一部分和在垂直方向上与所述第二区基阱重叠的第二部分，并且所述第一部分在所述第一方向上的尺寸小于所述第二部分在所述第一方向上的尺寸。9.根据权利要求1所述的ESD器件，其中，所述半导体衬底还包括在所述半导体衬底中围绕所述第一基阱的第二基阱。10.一种ESD器件，所述ESD器件即静电放电器件，所述ESD器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区和第二区，2CN115775799A权利要求书2/3页所述第一区包括：具有第一导电类型的第一区基阱、在所述第一区基阱中具有所述第一导电类型的第一阱、以及在所述第一阱上具有所述第一导电类型并且连接到第一电极的第一杂质区，所述第二区包括：具有第二导电类型的第二区基阱、以及在所述第二区基阱上具有所述第二导电类型并且连接到第二电极的第二杂质区，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；以及器件隔离结构，所述器件隔离结构位于所述第一杂质区与所述第二杂质区之间，其中，所述第一区和所述第二区在第一方向上彼此间隔开。11.根据权利要求10所述的ESD器件，其中，所述第一阱在所述第一方向上与所述器件隔离结构间隔开。12.根据权利要求10所述的ESD器件，