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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104252600104252600A(43)申请公布日2014.12.31(21)申请号201310261629.7(22)申请日2013.06.27(71)申请人群联电子股份有限公司地址中国台湾苗栗县(72)发明人梁鸣仁(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人史新宏(51)Int.Cl.G06F21/60(2013.01)G06F21/78(2013.01)权权利要求书5页利要求书5页说明书14页说明书14页附图7页附图7页(54)发明名称数据保护方法、存储器控制器与存储器储存装置(57)摘要本发明提出一种数据保护方法,存储器控制器与存储器储存装置。此方法包括:接收来自于主机系统的第一刷新指令与指示写入第一数据的第一写入指令;根据第一数据产生第一错误校正码与第二错误校正码,此两者的保护能力不相同;接收指示写入第二数据的第二写入指令;在接收第一写入指令之后,接收来自主机系统的第二刷新指令,并在之后将第一数据相对应的第二错误校正码写入至可复写式非易失性存储器模块中;不对该第二数据产生相对应的第二错误校正码,或产生但不写入至该可复写式非易失性存储器模块中。藉此,可以保护来自主机系统的数据。CN104252600ACN104256ACN104252600A权利要求书1/5页1.一种数据保护方法,其特征在于,用于控制一可复写式非易失性存储器模块,其中该可复写式非易失性存储器模块包括多个物理抹除单元,该数据保护方法包括:接收来自于一主机系统的一第一刷新指令;在接收该第一刷新指令之后,接收来自该主机系统的一第一写入指令,其中该第一写入指令指示写入一第一数据;根据该第一数据产生一第一错误校正码与相对应的一第二错误校正码,其中该第二错误校正码的一保护能力不同于该第一错误校正码的一保护能力;接收一第二写入指令,其中该第二写入指令指示写入一第二数据;在接收该第一写入指令与该第二写入指令之后,接收来自该主机系统的一第二刷新指令,其中该第二刷新指令指示将在一缓冲存储器中的该第一数据与该第二数据写入至该可复写式非易失性存储器模块中;将该第一数据、该第一错误校正码与该第二数据写入至该可复写式非易失性存储器模块中;在接收到该第二刷新指令之后,将该第一数据相对应的该第二错误校正码写入至该可复写式非易失性存储器模块中;以及不对该第二数据产生相对应的一第二错误校正码,或产生该第二数据相对应的该第二错误校正码但不写入该第二数据相对应的该第二错误校正码至该可复写式非易失性存储器模块中。2.根据权利要求1所述的数据保护方法,其中每一该些物理抹除单元包括多个物理编程单元,该第一错误校正码是仅根据对应于单一个该物理编程单元的该第一数据所产生,并且该第一数据相对应的该第二错误校正码是根据对应于多个该些物理编程单元的该第一数据所产生。3.根据权利要求2所述的数据保护方法,其中产生该第一数据相对应的该第二错误校正码的步骤包括:根据对应于一预设数目的该些物理编程单元的该第一数据来产生该第二错误校正码,其中该预设数目大于1。4.根据权利要求1所述的数据保护方法,其中每一该些物理抹除单元包括多个物理编程单元,该些物理编程单元被分组为多个上物理编程单元与多个下物理编程单元,并且产生该第一数据相对应的该第二错误校正码的步骤包括:根据该第一数据中对应于至少一个该些下物理编程单元的部分来产生该第二错误校正码。5.根据权利要求1所述的数据保护方法,其中每一该些物理抹除单元包括多个物理编程单元,该些物理编程单元被分组为多个上物理编程单元与多个下物理编程单元,并且产生该第一数据相对应的该第二错误校正码的步骤包括:仅对该缓冲存储器中该第一数据对应于至少一个该些下物理编程单元的部分来产生该第二错误校正码。6.根据权利要求5所述的数据保护方法,其中该至少一个该些下物理编程单元所对应的上物理编程单元没有被编程。7.根据权利要求1所述的数据保护方法,其中每一该些物理抹除单元包括多个物理编2CN104252600A权利要求书2/5页程单元,该些物理编程单元被分组为多个上物理编程单元与多个下物理编程单元,并且产生该第一数据相对应的该第二错误校正码的步骤包括:根据该缓冲存储器中该第一数据对应于至少一个该些下物理编程单元的部分与对应于一第二物理编程单元的部分来产生该第二错误校正码,其中该至少一个该些下物理编程单元所对应的上物理编程单元没有被编程,并且该第二物理编程单元是相邻于该至少一个该些下物理编程单元。8.根据权利要求1所述的数据保护方法,其中每一该些物理抹除单元包括多个物理编程单元,每一该些物理编程单元包括一数据位区与一冗余位区,并且该第一错误校正码是储存在该些冗余位区的其中之一,该数据保护方法