阵列基板及显示面板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114975482A(43)申请公布日2022.08.30(21)申请号202210552866.8(22)申请日2022.05.19(71)申请人广州华星光电半导体显示技术有限公司地址510700广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之417(72)发明人刘贺(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师黄舒悦(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)G02F1/1368(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图6页(54)发明名称阵列基板及显示面板(57)摘要本申请实施例提供的阵列基板及显示面板中，包括有源层、第一吸氢层以及源漏极层。其中，第一吸氢层设置在有源层上且与有源层相连接，第一吸氢层具有吸附氢气的特性，可以有效地吸收有源层中的氢元素。通过在有源层上设置与之相连接的第一吸氢层，可以吸附有源层沟道内的氢元素，从而降低有源层沟道内的氢元素含量。由于有源层沟道内的氢元素含量降低，因此有源层沟道内的氢元素含量不会影响有源层沟道内的氧元素含量，从而不会导致有源层沟道内载流子浓度降低，有助于提高阵列基板的稳定性以及信赖性，进而有助于提高液晶显示器件的显示效果。CN114975482ACN114975482A权利要求书1/1页1.一种阵列基板，其特征在于，包括：有源层；第一吸氢层，所述第一吸氢层设置在所述有源层上，且所述第一吸氢层与所述有源层连接；源漏极层，所述源漏极层设置在所述第一吸氢层远离所述有源层的一面上,所述源漏极层包括源极以及漏极，所述源极以及所述漏极均与所述第一吸氢层连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层与所述第一吸氢层连接的一面上设置有多个凸起，且所述第一吸氢层覆盖所述凸起。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起远离所述有源层的一面呈弧形状。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一吸氢层上设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一吸氢层，且所述源漏极层经所述第一通孔与所述有源层连接。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二吸氢层，所述第二吸氢层设置在所述源漏极层远离所述有源层的一面上，且覆盖所述源漏极层外表面。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一阻挡层、第一栅极层以及第一栅极绝缘层，所述第一阻挡层设置在所述有源层靠近所述第一吸氢层的一面上，所述第一栅极层设置在所述第一阻挡层远离所述有源层的一面上，所述第一栅极绝缘层设在所述第一栅极层远离所述有源层的一面上，且覆盖所述第一栅极层。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一吸氢层包括第一吸氢子层以及第二吸氢子层，且所述第一吸氢子层、所述第二吸氢子层以及所述第一阻挡层同层设置，所述第一吸氢子层以及所述第二吸氢子层分别设于所述第一阻挡层两侧。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二阻挡层、第二栅极层以及第二栅极绝缘层，所述第二阻挡层设置在所述有源层远离所述第一吸氢层的一面上，所述第二栅极层设置在所述第二阻挡层远离所述有源层的一面上，所述第二栅极绝缘层设在所述第二栅极层远离所述有源层的一面上，且覆盖所述第二栅极层。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一吸氢层的材料包括石墨烯或碳纳米管中的一种或组合。10.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板、液晶层以及如权利要求1‑9任一项所述的阵列基板；其中，所述液晶层设置于所述彩膜基板和所述阵列基板之间。2CN114975482A说明书1/7页阵列基板及显示面板技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。背景技术[0002]目前，液晶(LiquidCrystalDisplay，LCD)显示器，由于其采用低电压扫描驱动，具有耗电少、使用寿命长、成本低、亮度高、故障少、视角大、可视距离远等特点，一直作为显示器的代名词，具有广阔的应用前景。其中，液晶显示器件一般采用薄膜晶体管来控制其发光。薄膜晶体管是一种场效应晶体管，因其具备较高的电子迁移率、较小的亚阀值摆幅和较低的关态电流，是液晶显示器的关键器件，对显示器的性能具有十分重要的作用。[0003]其中，薄膜晶体管一般包括有源层、源极、栅极和漏极。在薄膜晶体管中，有源层的背沟道蚀刻损伤及有源层的氢元素含量是决定薄膜晶体管器件好坏的关键因素。在薄膜晶体管工作过程中，有源层的沟道区需要呈现半导体状态，沟道内的氢元素含量会影响氧元素含量，导致载流子浓度降低，从而影响薄膜晶体管的稳定性，进而影响液晶显示器件的显示效果。[0004]因此，如何提出一种阵列基板使其能够提高薄膜晶体管的稳定性是现