专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》-试卷-答案.pdf

8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。（2分）A.二极管负载差分放大器专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器一、（共题共分）75,150D.Cascode负载Casocde差分放大器在年预言每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（1.GordonMoore1965:2.标准答案：C分）A.12B.18C.20D.249.镜像电流源一般要求相同的（）。（2分）标准答案：.BA.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D2.MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C10.某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使和严格相等，3.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4.MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A应取为（）。（2分）A.5.（）表征了MOS器件的灵敏度。（2分）A.B.B.C.C.D.D..标准答案：A.标准答案：C11.选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。（2分）6.Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器A.C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器B..标准答案：AC.D.12.下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该.标准答案：B7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配电路的等效输入电阻为（）。（2分）D.电路制造中的误差.标准答案：CA.1TheshortestwaytodomanythingsistoonlyonethingatatimeandAllthingsintheirbeingaregoodforsomethingandSufferingisthemostpowerfulteacheroflife18.在NMOS中，若会使阈值电压（）（2分）增大不变减小可大可小B.A.B.C.D..标准答案：AC.D.19.NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层（）。（2分）.标准答案：AA.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案：C13.对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。（2分）A.DCB.ACC.OPD.IC20.随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（）（2分）.标准答案：CA.不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低14.模拟集成电路设计中的第一步是（）。（2分）.标准答案：DA.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择21.MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。（2分）.标准答案：CA.电导B.电阻C.跨导D.跨阻.标准答案：C22.工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（）。（2分）A.恒压源B.电压控制电流源C.恒流源D.电流控制电压源.标准答案：B23.密勒效应最明显的放大器是（）。（2分）A.共源极放大器B.源极跟随器C.共栅极放大器D.共基极放大器.标准答案：A15.（）可提高图中放大器的增益。（2分）24.不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。（2分）A.电阻负载B.二极管连接负载A.减小，减小C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载B.增大，增大.标准答案：CC.增大，减小25.模拟集成电路设计中的最后一步是（）。（2分）D.减小，增大A.电路设计B.版图设计.标准答案：AC.规格定义D.电路结构选择标准答案：16.模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。（2分）.BA.增益B.输出电阻C.输出摆幅D.输入电阻26.在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。.标准答案：C（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS17.模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。（2分）.标准答案：BA.增益B.电压净空C.输出摆幅D.输入偏置.标准答案：A27.MOS器件小信号模型中的gmb是由MOS管的（）效应引起。（2分）2TheshortestwaytodomanythingsistoonlyonethingatatimeandAllthingsintheirbeingaregoodforsomethingandSufferingisthemostpowerfulteacheroflifeA.二级B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准