电极结构、其制造方法以及包括其的二次电池.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115832192A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211126552.8H01M4/04(2006.01)(22)申请日2022.09.16H01M10/0525(2010.01)(30)优先权数据10-2021-01413642021.10.21KR63/245,3032021.09.17US(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人许晋硕S.R.克罗斯金敬焕朴晶远孙精国郑熙树(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105专利代理师屈玉华(51)Int.Cl.H01M4/13(2010.01)H01M4/139(2010.01)权利要求书3页说明书23页附图12页(54)发明名称电极结构、其制造方法以及包括其的二次电池(57)摘要本公开提供了一种用于二次电池的电极、其制造方法以及包括其的二次电池。该电极包括：集流器；以及在集流器上的活性材料结构，该活性材料结构包括：至少一个第一高密度层和至少一个第二高密度层，与至少一个第一高密度层相比，至少一个第二高密度层离集流器更远；以及在至少一个第一高密度层与至少一个第二高密度层之间的低密度层，其中至少一个第二高密度层的厚度大于至少一个第一高密度层的厚度。CN115832192ACN115832192A权利要求书1/3页1.一种用于二次电池的电极，所述电极包括：集流器；以及在所述集流器上的活性材料结构，所述活性材料结构包括至少一个第一高密度层和至少一个第二高密度层，与所述至少一个第一高密度层相比，所述至少一个第二高密度层离所述集流器更远；以及在所述至少一个第一高密度层和所述至少一个第二高密度层之间的低密度层，其中所述至少一个第二高密度层的厚度大于所述至少一个第一高密度层的厚度。2.根据权利要求1所述的电极，其中基于所述至少一个第一高密度层的总体积，所述至少一个第一高密度层的固体含量为90体积百分比至98体积百分比，基于所述至少一个第二高密度层的总体积，所述至少一个第二高密度层的固体含量为90体积百分比至98体积百分比，以及基于所述低密度层的总体积，所述低密度层的固体含量为50体积百分比至75体积百分比。3.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个第二高密度层中的最外面的第二高密度层在所述至少一个第一高密度层的每层、所述至少一个第二高密度层的每层和所述低密度层的每层当中具有最大的厚度。4.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个第一高密度层包括初级第一高密度层和第二级第一高密度层，所述低密度层包括在所述初级第一高密度层和所述第二级第一高密度层之间的第一低密度层，以及所述初级第一高密度层和所述第二级第一高密度层具有相同的厚度或不同的厚度。5.根据权利要求4所述的电极，其中所述初级第一高密度层或所述第二级第一高密度层的厚度与所述至少一个第二高密度层的每层的厚度的厚度比大于1:1且小于或等于1:5。6.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个第一高密度层包括初级第一高密度层、第二级第一高密度层和第三级第一高密度层，所述低密度层包括在所述初级第一高密度层和所述第二级第一高密度层之间的初级低密度层，所述低密度层包括在所述第二级第一高密度层和所述第三级第一高密度层之间的第二级低密度层，以及所述初级第一高密度层、所述第二级第一高密度层和所述第三级第一高密度层中的至少两个具有相同的厚度或不同的厚度。7.根据权利要求6所述的电极，其中所述初级第一高密度层、所述第二级第一高密度层或所述第三级第一高密度层的厚度与所述至少一个第二高密度层的每层的厚度的厚度比大于1:1且小于或等于1:5。8.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个第一高密度层的总厚度与所述至少一个第二高密度层的总厚度的厚度比为1.5:1至1:6。9.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个第一高密度层中的每个第一高密度层的厚度与所述低密度层的每层的厚度的厚度比为1:0.1至1:0.3。2CN115832192A权利要求书2/3页10.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个第二高密度层中的每个第二高密度层的厚度与所述低密度层的每层的厚度的厚度比为1:0.1至1:0.3。11.根据权利要求1所述的电极，其中所述低密度层包括单层或多个层，并且每个低密度层具有2μm至5μm的厚度。12.根据权利要求1所述的电极，其中所述低密度层包括固体电解质、液体电解质或离子液体中的至少一种。13.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个第一高密度层和所述至少一个第二高密度层各自独立地具有1％至5％的孔隙率。14.根据权利要求1所述的电极，其中所述低密度层具有25％至50％的孔隙率。15.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个第一高密度层的