一种背照射光探测阵列结构及其制备方法.pdf
一吃****春艳
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一种背照射光探测阵列结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种背照射光探测阵列结构,包括:光聚焦结构、基底、光收集结构、光电二极管、填充物质。本发明还提供一种背照射光探测阵列结构的制备方法。本发明提出了一种新型光电管阵列的设计,同时集成光聚焦结构和光收集结构,可有效提升基于小尺寸光电二极管阵列的传感器系统的外量子效率,大幅提升整体的光接收效率;对于高速光通讯的应用场景,通常只需要1颗或4~8颗光电探测器即可,本发明的结构设计同样可以降低电容和暗电流,同时保证具有较高的响应度,与光纤耦合时也具有较大的对准容差。
一种高比探测率光探测器件及其制备方法.pdf
本发明公开了一种高比探测率光探测器件及其制备方法。该探测器件由底部衬底、导电阴极、电子传输层、有机光活性层、空穴传输层和金属阳极组成,所述的光活性层采用聚合物给体PDPP3T和富勒烯受体PC
一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法.pdf
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法,APD探测器芯片的光敏面为方形,探测器芯片包括雪崩光电二极管APD,雪崩光电二极管APD包括由下至上依次堆叠的:衬底、缓冲层、吸收层、电荷层和盖帽层;盖帽层中,通过有源区由盖帽层上表面向下扩散形成P型层,P型层为光敏区;P型层连接有P型电极,衬底连接有N型电极。本发明增大光敏区相对于芯片的面积,提高了占空比,减少探测过程中的盲区。
垂直结构GaN紫外光探测器及其制备方法.pdf
本发明公开了一种垂直结构GaN紫外光探测器的制备方法,包括:在绝缘衬底上形成底电极;将GaN薄膜转移至底电极上,在GaN薄膜上形成顶电极,底电极和顶电极与GaN薄膜形成的区域在垂直方向上有重叠,以使底电极、GaN薄膜和顶电极构成垂直结构GaN紫外光探测器。本发明提供的垂直结构GaN紫外光探测器具有暗电流低、响应速度快、开关比高等特点。
面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法.pdf
本发明提供了一种面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法,所述面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法包括:在蓝宝石衬底上制备日盲紫外探测器的器件层,得到APD阵列晶片;将所述APD阵列晶片倒扣封装在电路基板上,采用激光剥离技术将APD阵列晶片的蓝宝石衬底剥离,得到面阵列背入射式日盲紫外探测器。本发明提供的面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法能够降低日盲紫外探测器的工艺难度和制作成本。