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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115832080A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211457530.X(22)申请日2022.11.21(71)申请人武汉邮电科学研究院有限公司地址430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号(72)发明人姜天才陶金肖希(74)专利代理机构武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)42225专利代理师董婕(51)Int.Cl.H01L31/0352(2006.01)H01L31/0216(2014.01)H01L31/101(2006.01)H01L31/032(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称基于氧化镓-氧化铝的日盲型紫外探测器及制备方法(57)摘要本申请涉及一种基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器及制备方法,其包括衬底、生长于所述衬底上的Ga2O3纳米线、沉积于所述Ga2O3纳米线表面上的Al2O3纳米层,且所述Al2O3纳米层与Ga2O3纳米线形成Ga2O3/Al2O3纳米线,所有的所述Ga2O3/Al2O3纳米线构成复合材料层;两个电极设于所述复合材料层上。本申请是利用CVD生长机制,在衬底上直接生出Ga2O3纳米线,无需刻蚀块体化合物半导体,从而提高了半导体与衬底的兼容性。本申请在Ga2O3纳米线表面上沉积了一层Al2O3纳米层,引入Al2O3纳米层作为包层,很大程度上降低了暗电流,同时一定程度上减少氧气吸附带走的电子,从而增大开关比,提高响应度。CN115832080ACN115832080A权利要求书1/1页1.一种基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器,其特征在于,其包括:衬底(1);生长于所述衬底(1)上的Ga2O3纳米线(2);沉积于所述Ga2O3纳米线(2)表面上的Al2O3纳米层,且所述Al2O3纳米层与Ga2O3纳米线(2)形成Ga2O3/Al2O3纳米线(3),所有的所述Ga2O3/Al2O3纳米线(3)构成复合材料层;两个电极(4),其设于所述复合材料层上。2.如权利要求1所述的基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器,其特征在于:所述Ga2O3纳米线(2)的宽度为5nm~50nm,长度为100nm~1mm。3.如权利要求1所述的基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器,其特征在于:所述Al2O3纳米层的厚度为5nm~20nm。4.如权利要求1所述的基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器,其特征在于:所述衬底(1)采用氧化铝、硅或者蓝宝石;和/或,所述衬底(1)的厚度为50μm~300μm;和/或,所述电极(4)采用Ag、Au、C、Cu、Ti和In其中一种或多种。5.一种基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器的制备方法,其特征在于,其包括如下步骤:在预设生长温度下,在衬底(1)上生长出Ga2O3纳米线(2);在所述Ga2O3纳米线(2)表面上沉积Al2O3纳米层,以形成Ga2O3/Al2O3纳米线(3),且所有的所述Ga2O3/Al2O3纳米线(3)构成复合材料层;在所述复合材料层上设置两个电极(4)。6.如权利要求5所述的基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器的制备方法,其特征在于,在预设生长温度下,在衬底(1)上生长出Ga2O3纳米线(2),包括如下步骤:在衬底(1)上形成一层催化剂薄膜(5);在预设生长温度下,使所述催化剂薄膜(5)缩成多个催化剂颗粒(6),并通入Ga2O3粉末,以在所述催化剂颗粒(6)处生长出Ga2O3纳米线(2)。7.如权利要求6所述的基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器的制备方法,其特征在于:所述催化剂薄膜(5)采用Au、Ag或Pa;和/或,所述催化剂薄膜(5)的厚度为5nm~20nm。8.如权利要求5所述的基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器的制备方法,其特征在于:所述Ga2O3纳米线(2)的生长时间为5min~60min,预设生长温度为400℃~1000℃。9.如权利要求5所述的基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器的制备方法,其特征在于:所述Al2O3纳米层的沉积温度为100℃~400℃,生长速率为0.05~0.2nm/cycle。10.如权利要求5所述的基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器的制备方法,其特征在于:通过银胶点涂到所述复合材料层上,以形成所述电极(4)。2CN115832080A说明书1/5页基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器及制备方法技术领域[0001]本申请涉及紫外探测器技术领域,特别涉及一种基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器及制备方法。背景技术[0002]紫外(IR)光电传感系统可用于森林火灾、导弹预警、紫外成像、保密通信、空间探测、电气放电检测以及刑事侦探等方面。日盲紫外探测器不需要使用制冷装置,对环