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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115843190A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202211464849.5(22)申请日2022.11.22(71)申请人嘉庚创新实验室地址361000福建省厦门市思明区思明南路422号亦玄馆410室(72)发明人李静常青尹君吴炳辉郑南峰(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司35204专利代理师游学明(51)Int.Cl.H10K30/88(2023.01)H10K71/15(2023.01)H10K30/10(2023.01)H10K30/50(2023.01)权利要求书1页说明书10页附图4页(54)发明名称一种添加剂及其使用方法(57)摘要本发明公开了一种添加剂,包括第一组分,所述第一组分包括二茂铁及二茂铁类化合物中的至少一种、用于溶解所述二茂铁及二茂铁类化合物的极性溶剂。本发明提供的添加剂,能够用于金属电极的表面修饰、钙钛矿材料的表面钝化以及空穴传输层材料,可抑制离子迁移,并能够提升整体器件的光电转换效率与稳定性,尤其适合正置结构钙钛矿太阳能电池的高效空穴传输层材料的掺杂。CN115843190ACN115843190A权利要求书1/1页1.一种添加剂,其特征在于:包括第一组分,所述第一组分包括二茂铁及二茂铁类化合物中的至少一种、用于溶解所述二茂铁及二茂铁类化合物的极性溶剂。2.根据权利要求1所述的一种添加剂,其特征在于:所述二茂铁及二茂铁类化合物的浓度为1‑20mg/mL。3.根据权利要求1至2任一项所述的一种添加剂,其特征在于:所述二茂铁及二茂铁类化合物包括六氟磷酸二茂铁、四氟硼酸二茂铁、三氟磺酸二茂铁、碘代二茂铁、二茂铁中的至少一种。4.根据权利要求1至3任一项所述的一种添加剂,其特征在于:所述极性溶剂包括乙腈,N,N‑二甲基甲酰胺,二甲基亚砜,N‑甲基吡咯烷酮中的至少一种。5.金属电极的表面修饰方法,其特征在于:采用权利要求1至4任一项所述的添加剂涂布在所述金属电极上或涂布在所述金属电极与相邻接触层之间以修饰所述金属电极的表面。6.钙钛矿表面钝化方法,其特征在于:采用权利要求1至4任一项所述的添加剂在有机卤化钙钛矿或无机卤化钙钛矿表面涂布以钝化所述钙钛矿表面。7.一种钙钛矿光电器件,其特征在于:钙钛矿吸光层经过权利要求1至4任一项所述的添加剂修饰,和/或金属电极经过权利要求1至4任一项所述的添加剂修饰。8.根据权利要求1至4任一项所述的一种添加剂,其特征在于:所述添加剂还包括第二组分,所述第二组分包括非质子非极性溶剂。9.根据权利要求8所述的一种添加剂,其特征在于:所述第一组分与所述第二组分的体积比为(1‑10):100。10.根据权利要求8所述的一种添加剂,其特征在于:所述非质子非极性溶剂包含乙醚、乙酸乙酯、氯苯、甲苯或三氯甲烷中的至少一种。11.一种空穴传输层,其特征在于:所述空穴传输层采用权利要求8至10任一项所述的添加剂制备而成。12.一种空穴传输层的制备方法,其特征在于,通过将空穴传输层材料加入到权利要求8至10任一项所述的添加剂中反应,得到混合溶液,涂布至基底上方制备而成。13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于:所述二茂铁及二茂铁类化合物与所述空穴传输层材料的质量比为1:10‑1:90。14.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于:所述空穴传输层材料包括Spiro‑OMeTAD、PTAA、P3HT、钛菁、NiOx中的至少一种。15.一种钙钛矿光电器件,其特征在于,包括权利要求11所述的空穴传输层或采用权利要求12至14任一项所述制备方法制备的空穴传输层。2CN115843190A说明书1/10页一种添加剂及其使用方法技术领域[0001]本发明涉及一种添加剂。背景技术[0002]在钙钛矿光伏领域,基于有机‑无机杂化金属卤化物钙钛矿的钙钛矿太阳能电池(PSCs)的光电转换效率(PCE)在短短十余年内从近3.8%提高到约25.7%,成为全球公认最具前景的新一代光伏材料之一。空穴传输层设置于钙钛矿吸光层与金属电极中,作为空穴提取功能层的同时,也是钙钛矿的一层保护伞,是决定钙钛矿太阳能电池光电转换效率和稳定性的关键因素之一。[0003]目前常用的有机空穴传输层材料有2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴(Spiro‑OMeTAD),聚三芳基胺(PTAA),聚(3‑己基噻吩)(P3HT)和聚(3,4‑乙二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT:PSS)等,无机空穴传输层材料有CuSCN,NiOx,MoS2,MoOx等。无机空穴传输层材料虽然稳定性较好,但是器件效率处于劣势,在正置器件结构中,为了得到高效的光电转化效率常使用掺杂的有机空穴材料用作空穴传输层,但是