具有石墨烯接触的集成电路结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863308A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211017512.X(22)申请日2022.08.24(30)优先权数据17/4853012021.09.24US(71)申请人英特尔公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人C·H·奈罗尔K·马克西K·P·奥布里恩C·多罗S·李A·V·佩努马查U·E·阿夫奇M·V·梅茨S·B·克伦邓宁(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001专利代理师申屠伟进周学斌(51)Int.Cl.H01L23/532(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图7页(54)发明名称具有石墨烯接触的集成电路结构(57)摘要本公开涉及具有石墨烯接触的集成电路结构。本公开的实施例涉及先进集成‎电路（IC）结构制造，并且特别地涉及具有石墨烯接触的IC结构。‎其它实施例可以被公开或要求保护。CN115863308ACN115863308A权利要求书1/2页1.‎‎一种集成电路结构，包括：‎基底，包括SiO2；‎包括Cu的导体，延伸穿过所述基底的至少一部分；‎在所述基底和所述导体之间的阻挡层；‎石墨烯层，所述石墨烯层包括耦合到所述导体的第一侧和垂直于所述第一侧的‎第二侧；以及二维（2D）过渡金属二硫属化物（TMD）层，耦合到所述基底‎和所述石墨烯层的第二侧。2.‎根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述2DTMD层不接触‎所述导体。3.‎根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述2DTMD层包括：MoS2、‎WS2、MoSe2、WSe2、InSe、MoTe2或WTe2。4.‎根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述阻挡层包括：TaN或TaMnO。5.‎根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述石墨烯层具有与所述石墨烯层的第一侧相对且平行的第三侧‎、以及在所述石墨烯层的第一侧‎和所述石墨烯层的第三侧之间的小于5nm的厚度。6.‎根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述石墨烯层的厚度是在3A与1.4nm‎之间。7.‎根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述2DTMD层具有耦合到所述基底的第一侧‎、与所述2DTMD层的所述第一侧相对且平行的第二侧‎、以及在所述2DTMD层的所述第一侧和所述2DTMD‎层的所述第二侧之间的小于5nm的厚度。8.‎根据权利要求7所述的集成电路结构，其中，所述2DTMD层的厚度是在5A与1.4nm‎之间。9.‎根据权利要求1或2所述的集成电路结构，进一步包括耦合到所述Cu‎导体或到所述石墨烯层的焊盘。10.‎根据权利要求9所述的集成电路结构，其中，所述焊盘包括Au。11.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述Cu导体是第一Cu‎导体，所述阻挡层是第一阻挡层，所述石墨烯层是第一石墨烯层，并且所述2D‎TMD层是第一2DTMD层，并且其中，所述集成电路结构进一步包括‎：‎包括Cu的第二导体，延伸穿过所述基底的至少一部分；‎在所述基底和所述第二导体之间的第二阻挡层；‎第二石墨烯层，所述第二石墨烯层包括耦合到所述‎第二导体的第一侧和垂直于所述第二石墨烯层的所述第一侧的第二侧；以及第二2DTMD层，耦合到所述基底和所述石墨烯层的第二侧。12.‎一种集成电路结构，包括：‎基底，包括SiO2；‎石墨烯层，所述石墨烯层包括耦合到所述基底的第一侧和垂直于所述第一侧的‎第二侧；以及二维（2D）过渡金属二硫属化物（TMD）层，耦合到所述基底‎和所述石墨烯层的第二侧。13.‎根据权利要求12所述的集成电路结构，其中，所述2DTMD层包括：MoS2、‎WS2、MoSe2、WSe2、InSe、MoTe2或WTe2。2CN115863308A权利要求书2/2页14.‎根据权利要求12所述的集成电路结构，其中，所述石墨烯层具有与所述石墨烯层的第一侧相对且平行的第三侧、以及在所述石墨烯层的第一侧‎与所述石墨烯层的第三侧之间的小于5nm的厚度。15.‎根据权利要求14所述的集成电路结构，其中，所述石墨烯层的厚度是在3A与1.4nm‎之间。16.‎根据权利要求12所述的集成电路结构，其中，所述2DTMD层具有耦合到所述基底的第一侧‎、与所述2DTMD层的第一侧相对且平行的第二侧‎、以及在所述2DTMD层的第一侧和所述2DTMD‎层的第二侧之间的小于5nm的厚度。17.‎‎根据权利要求16所述的集成电路结构，其中，所述2DTMD层的厚度是在5A与1.4nm‎之间‎。18.‎根据权利要求12、13、14、15、16或17所述的集成电路结构，进一步包括耦合到所述‎石墨烯层的焊盘。19.‎根据权利要求18所述的集成电路结构，其中，所述焊盘包括Au。20.根据权利要求12所述的集成电路结构，其中，所述