具有到掺杂半导体阱的发射极/集电极接触的双极型晶体管结构和相关方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863418A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211159566.XH01L21/331(2006.01)(22)申请日2022.09.22(30)优先权数据63/2615182021.09.23US17/5780112022.01.18US(71)申请人格芯（美国）集成电路科技有限公司地址美国纽约州(72)发明人余鸿V·杰恩(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所11247专利代理师林莹莹牛南辉(51)Int.Cl.H01L29/735(2006.01)H01L29/06(2006.01)H01L23/367(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图7页(54)发明名称具有到掺杂半导体阱的发射极/集电极接触的双极型晶体管结构和相关方法(57)摘要本公开的实施例提供了一种具有到掺杂半导体阱的发射极/集电极(E/C)接触的横向双极型晶体管结构和相关方法。根据本公开的双极型晶体管结构可以包括位于半导体衬底上方的掺杂半导体阱。绝缘区位于掺杂半导体阱上。基极层位于绝缘区上，以及发射极/集电极(E/C)层位于绝缘区上并且与基极层的第一侧壁相邻。到掺杂半导体阱的E/C接触包括与绝缘区相邻的下部和与E/C层相邻并电耦合的上部。CN115863418ACN115863418A权利要求书1/2页1.一种双极型晶体管结构，包括：位于半导体衬底上方的掺杂半导体阱；位于所述掺杂半导体阱上的绝缘区；位于所述绝缘区上的基极层；位于所述绝缘区上并且与所述基极层的第一侧壁相邻的发射极/集电极E/C层；以及到所述掺杂半导体阱的E/C接触，所述E/C接触包括与所述绝缘区相邻的下部和与所述E/C层相邻并电耦合的上部。2.根据权利要求1所述的双极型晶体管结构，还包括：附加E/C层，其位于所述绝缘区上并且与所述基极层的跟所述第一侧壁相对的第二侧壁相邻；以及到所述附加E/C层的附加E/C接触，其中，所述附加E/C接触位于所述绝缘区上方并且不包括与所述掺杂半导体阱的界面。3.根据权利要求1所述的双极型晶体管结构，还包括：栅极结构，其位于所述绝缘区上并且水平地远离所述E/C层，其中，所述E/C接触的一部分位于所述栅极结构的上表面上。4.根据权利要求1所述的双极型晶体管结构，其中，所述E/C层和所述掺杂半导体阱具有相同的掺杂类型。5.根据权利要求1所述的双极型晶体管结构，还包括：间隔物，其位于所述E/C层上并且与所述基极层的侧壁相邻，其中，所述间隔物水平地位于所述E/C接触和所述基极层之间。6.根据权利要求5所述的双极型晶体管结构，其中，所述E/C层包括：第一E/C材料，其位于所述绝缘区上并且与所述基极层的所述第一侧壁相邻；以及第二E/C材料，其位于所述第一E/C材料上，所述第二E/C材料包括与所述间隔物相邻的第一侧壁和与所述E/C接触相邻的第二侧壁。7.根据权利要求6所述的双极型晶体管结构，其中，所述E/C层还包括：E/C硅化物，其位于所述第二E/C材料上，所述E/C硅化物包括与所述间隔物相邻的第一侧壁和与所述E/C接触相邻的第二侧壁，其中，所述E/C接触的一部分位于所述E/C硅化物上。8.一种双极型晶体管结构，包括：位于半导体衬底上方的掺杂半导体阱；位于所述掺杂半导体阱上的绝缘区；位于所述绝缘区上的基极层；位于所述绝缘区上并且与所述基极层的第一侧壁相邻的第一发射极/集电极E/C层；到所述掺杂半导体阱的第一E/C接触，所述第一E/C接触包括与所述绝缘区相邻的下部和与所述第一E/C层相邻并电耦合的上部；位于所述绝缘区上并且与所述基极层的跟所述第一侧壁相对的第二侧壁相邻的第二E/C层；以及到所述第二E/C层的第二E/C接触，其中，所述第二E/C接触的下表面位于所述第二E/C层的上表面上，并且位于所述绝缘区上方。9.根据权利要求8所述的双极型晶体管结构，还包括：栅极结构，其位于所述绝缘区上并且水平地远离所述第一E/C层，其中，所述第一E/C接触的一部分位于所述栅极结构的上表面上。2CN115863418A权利要求书2/2页10.根据权利要求8所述的双极型晶体管结构，其中，所述第一E/C层、所述第二E/C层和所述掺杂半导体阱具有相同的掺杂类型。11.根据权利要求8所述的双极型晶体管结构，还包括：间隔物，其位于所述第一E/C层和所述第二E/C层上，其中，所述间隔物水平地位于所述第一E/C接触和所述基极层之间。12.根据权利要求11所述的双极型晶体管结构，其中，所述第一E/C层包括：第一E/C材料，其位于所述绝缘区上并且与所述基极层的所述第一侧壁相邻；以及第二E/C材料，其位于所述第一E/C材料上，所述第二E/C材料包括与所述间隔物相邻的第一侧壁和与所述第一E/C接触相邻的第二侧壁。13