电致发光器件、其制作方法及显示装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115884612A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202111145990.4H10K71/00(2023.01)(22)申请日2021.09.28H10K101/40(2023.01)(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人成都京东方光电科技有限公司(72)发明人陈永红李彦松杜小波周辉马立辉(74)专利代理机构北京市立方律师事务所11330专利代理师张筱宁王存霞(51)Int.Cl.H10K50/11(2023.01)H10K50/12(2023.01)H10K50/18(2023.01)H10K59/10(2023.01)权利要求书2页说明书13页附图7页(54)发明名称电致发光器件、其制作方法及显示装置(57)摘要本申请实施例提供了一种电致发光器件、其制作方法及显示装置。该电致发光器件包括阳极、位于阳极一侧的电子阻挡层、位于电子阻挡层远离阳极一侧的发光层、位于发光层远离阳极一侧的空穴阻挡层以及位于第二发光层远离阳极一侧的阴极。其中，发光层包括第一发光层和第二发光层，第一发光层和第二发光层均包括主体材料和客体材料，且第一发光层的材料掺杂有电子阻挡材料，或者第二发光层的材料掺杂有空穴阻挡材料。本实施例中的发光层结构能够平衡电子和空穴在发光层中的传输能力，从而降低TTA和TPA发生的概率，不仅能够提升电致发光器件的效率，降低能耗，而且有利于提升电致发光器件的使用寿命。CN115884612ACN115884612A权利要求书1/2页1.一种电致发光器件，其特征在于，包括：阳极；电子阻挡层，位于阳极的一侧；发光层，包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层位于所述电子阻挡层远离所述阳极的一侧，所述第二发光层位于所述第一发光层远离所述阳极的一侧；空穴阻挡层，位于所述发光层远离所述阳极的一侧；阴极，位于所述第二发光层远离所述阳极的一侧；其中，所述第一发光层和所述第二发光层均包括主体材料和客体材料，且所述第一发光层的材料掺杂有电子阻挡材料，或者所述第二发光层的材料掺杂有空穴阻挡材料。2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的激发三重态能级为2eV至3eV，HOMO能级为‑5eV至‑6eV，LUMO能级为‑2eV至‑3eV；所述客体材料的激发三重态能级为2eV至3eV，HOMO能级为‑5eV至‑6eV，LUMO能级为‑2eV至‑3eV。3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率，所述第一发光层的材料掺杂有电子阻挡材料。4.根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的电子迁移率为10‑5cm2/VS至10‑7cm2/VS，所述主体材料的空穴迁移率为10‑6cm2/VS至10‑8cm2/VS。5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料包括Alq3、TPBi以及TAZ1中的一种或多种。6.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率，所述第二发光层的材料掺杂有空穴阻挡材料。7.根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的电子迁移率为10‑6cm2/VS至10‑8cm2/VS，所述主体材料的空穴迁移率为10‑4cm2/VS至10‑6cm2/VS。8.根据权利要求7所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料包括CFL。9.根据权利要求1‑8中任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层的空穴迁移率为10‑3cm2/VS至10‑5cm2/VS，所述电子阻挡层的电子迁移率为10‑5cm2/VS至10‑7cm2/VS。10.根据权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡材料可包括TPDI和TBDI中的一种或多种，所述空穴阻挡层的材料包括BCP和TPbB中的一种或多种。11.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述客体材料为Btp2Ir(acac)。12.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，还包括：空穴注入层，位于所述阳极和所述电子阻挡层之间；空穴传输层，位于所述空穴注入层和所述电子阻挡层之间；电子传输层，位于所述空穴阻挡层和所述阴极之间；电子注入层，位于所述电子传输层和所述阴极之间。13.根据权利要求12所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括CuPc和F4‑TCNQ中的一种或多种；所述空穴传输层的材料包括NPB和spiro‑TAD中的一种或多种；2CN115884612A权利要求书2/2页所述电子传输层的材料包括TmPyPB和SPPO13中的一种或多种；所述电子注入层的材料包括氟化锂和金属镱中的一种或多种