软启动电路及电源管理芯片.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115882711A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211579143.3(22)申请日2022.12.05(71)申请人新际芯（北京）科技有限公司地址100000北京市大兴区北京经济技术开发区荣华中路22号院1号楼27层2701(72)发明人张睿君李子良李夏青张在涌尹虎君(74)专利代理机构苏州三英知识产权代理有限公司32412专利代理师周仁青(51)Int.Cl.H02M1/36(2007.01)H02M1/08(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称软启动电路及电源管理芯片(57)摘要本发明公开了一种软启动电路及电源管理芯片，软启动电路包括：偏置电路、电压产生电路和跟随电路。偏置电路用于基于输入电流产生偏置电流；电压产生电路包括控制电路以及电容，所述控制电路用于控制偏置电流向电容周期性充电以产生充电电压；跟随电路用于产生随充电电压变化并达到预设值的启动电压。根据本发明的器软启动电路及电源管理芯片，相较于传统软启动电路结构，本发明能够减小电容的面积，降低芯片的面积，从而降低芯片的成本，提高软起动时间精度，同时兼容对采用外置电容的电源管理芯片的软启动时间的确定。CN115882711ACN115882711A权利要求书1/2页1.一种软启动电路，其特征在于，包括：偏置电路，用于基于输入电流产生偏置电流；电压产生电路，包括控制电路以及电容，所述控制电路用于控制偏置电流向电容周期性充电以产生充电电压；以及跟随电路，用于产生随充电电压变化并达到预设值的启动电压。2.如权利要求1所述的软启动电路，其特征在于，所述偏置电路包括第一电流镜单元，所述第一电流镜单元用于复制输入电流而产生偏置电流。3.如权利要求1所述的软启动电路，其特征在于，所述控制电路包括第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管；所述第六MOS管和第七MOS管的源极与偏置电路相连，所述第六MOS管的栅极用于接收第一控制信号，所述第七MOS管的栅极用于接收第二控制信号，所述第六MOS管的漏极和第八MOS管的源极相连且同时与偏置电路相连，所述第八MOS管的漏极与电源电压相连，所述第八MOS管的栅极与第七MOS管的漏极相连且同时与电容相连。4.如权利要求1所述的软启动电路，其特征在于，所述跟随电路同时与外置电容相连，所述跟随电路输出的启动电压随电容的充电电压或者外置电容的充电电压的变化而变化以达到预设值。5.如权利要求4所述的软启动电路，其特征在于，所述跟随电路包括放大器、第九MOS管和分压单元；所述放大器的第一输入端与电容相连，所述放大器的第二输入端与分压单元相连，所述放大器的输出端与第九MOS管的栅极相连，所述第九MOS管的漏极与参考电压相连，所述第九MOS管的源极与放大器的第二输入端相连，所述放大器的第三输入端与外置电容相连。6.如权利要求5所述的软启动电路，其特征在于，所述放大器包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第二电流镜单元、第三电流镜单元、第十八MOS管和电流源；所述第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管的源极相连且与第十八MOS管的漏极以及电流源均与第二电流镜单元相连，所述第十MOS管和第十一MOS管漏极相连且与第十二MOS管的漏极均与第三电流镜单元相连，所述第十八MOS管的栅极与第十MOS管和第十一MOS管的漏极相连，所述第十八MOS管的源极与地电压相连，所述第十八MOS管的漏极与第九MOS管的栅极相连，所述第十二MOS管的栅极与第九MOS管的源极相连，所述第十一MOS管的栅极为放大器的第一输入端，所述第十二MOS管的栅极为放大器的第二输入端，所述第十MOS管的栅极为放大器的第三输入端，放大器的第三输入端与外置电容相连。7.如权利要求1所述的软启动电路，其特征在于，所述跟随电路包括放大器、第九MOS管和分压单元；所述放大器的第一输入端与电容相连，所述放大器的第二输入端与分压单元相连，所述放大器的输出端与第九MOS管的栅极相连，所述第九MOS管的漏极与参考电压相连，所述第九MOS管的源极与放大器的第二输入端相连。8.如权利要求7所述的软启动电路，其特征在于，所述放大器包括第十一MOS管、第十二MOS管、第二电流镜单元、第三电流镜单元、第十八MOS管和电流源；所述第十一MOS管和第十二MOS管的源极相连且与第十八MOS管的漏极以及电流源均与第二电流镜单元相连，所述第十一MOS管的漏极和第十二MOS管的漏极均与第三电流镜单元2CN115882711A权利要求书2/2页相连，所述第十八MOS管的栅极与第十一MOS管的漏极相连，所述第十八MOS管的源极与地电压相连，所述第十八MOS管的漏极与第九MOS管的栅极相连，所述第十二MOS管的栅