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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881747A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211599088.4(22)申请日2018.05.21(30)优先权数据2017-1593762017.08.22JP(62)分案原申请数据201880052831.X2018.05.21(71)申请人索尼半导体解决方案公司地址日本神奈川县(72)发明人安藤良洋富樫秀晃福冈慎平(74)专利代理机构北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290专利代理师李晗姚鹏(51)Int.Cl.H01L27/146(2006.01)权利要求书2页说明书23页附图22页(54)发明名称固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法和电子设备(57)摘要[问题]为了提供可以实现相位差检测像素的固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法和电子设备,该相位差检测像素在堆叠有多个光电二极管的结构中在能够实现像素的小型化的同时还能够提高拍摄图像的质量。[解决方案]提供了一种固态摄像元件,其包括多个像素,所述多个像素包括至少两个用于焦点检测的相位差检测像素,其中,各个所述像素具有包括多个光电转换元件的堆叠结构,所述多个光电转换元件彼此堆叠并且吸收波长彼此不同的光以生成电荷,并且在所述相位差检测像素具有的所述堆叠结构中,设置有滤色器,所述滤色器部分地覆盖所述多个光电转换元件中的任意一个光电转换元件的上表面并且吸收特定波长的光。CN115881747ACN115881747A权利要求书1/2页1.一种固态摄像元件,其包括:多个像素,所述多个像素包括至少两个用于焦点检测的相位差检测像素,其中,各个所述像素具有包括多个光电转换元件的堆叠结构,所述多个光电转换元件彼此堆叠,在所述相位差检测像素具有的所述堆叠结构中,设置有滤色器,所述滤色器部分地覆盖所述多个光电转换元件中的任意一个光电转换元件的上表面并且吸收特定波长的光,并且所述多个光电转换元件中的至少一个光电转换元件对至少穿透所述滤色器的光执行光电转换。2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述滤色器被设置成覆盖所述堆叠结构中包括的所述多个光电转换元件中的所述任意一个光电转换元件的所述上表面的一半。3.根据权利要求1或2所述的固态摄像元件,其中,当从所述堆叠结构的上方观察时,所述滤色器具有矩形形状或三角形形状。4.根据权利要求1或2所述的固态摄像元件,其中,所述相位差检测像素还包括设置在所述堆叠结构的上方的透镜部,并且所述滤色器的中心点的位置与所述透镜部的光轴的位置不同。5.根据权利要求1或2所述的固态摄像元件,其中,在所述至少两个相位差检测像素中,当从所述堆叠结构的上方观察时,分别设置的所述滤色器在所述相位差检测像素中的位置彼此不同。6.根据权利要求1或2所述的固态摄像元件,其包括:多个所述相位差检测像素,所述滤色器吸收的光的波长彼此不同。7.根据权利要求1或2所述的固态摄像元件,其中,所述滤色器吸收最多的光的波长与所述多个光电转换元件中的所述任意一个光电转换元件所包含的光吸收材料吸收最多的光的波长相同。8.根据权利要求1或2所述的固态摄像元件,其中,所述滤色器包含与所述多个光电转换元件中的所述任意一个光电转换元件所包含的光吸收材料的成分相同的成分。9.根据权利要求1或2所述的固态摄像元件,其中,所述多个光电转换元件中的至少一个光电转换元件包括有机光电转换膜。10.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,在所述堆叠结构中,从所述堆叠结构的上侧起,顺序地堆叠有第一光电转换元件、第二光电转换元件和第三光电转换元件,并且所述滤色器被设置成部分地覆盖所述第一光电转换元件的所述上表面。11.根据权利要求10所述的固态摄像元件,其中,所述滤色器吸收波长与所述第一光电转换元件吸收的光的波长相同的光。12.根据权利要求10所述的固态摄像元件,其中,所述滤色器吸收波长与所述第二光电转换元件吸收的光的波长相同的光。13.根据权利要求10所述的固态摄像元件,其中,2CN115881747A权利要求书2/2页所述滤色器吸收波长与所述第三光电转换元件吸收的光的波长相同的光。14.根据权利要求11所述的固态摄像元件,其中,所述第一光电转换元件包括上电极、下电极以及夹在所述上电极和所述下电极之间的光电转换膜,所述下电极针对各个所述像素被分割,所述下电极被分割成至少两个,并且所述下电极分割后的一个电极是电荷累积用电极,所述电荷累积用电极被设置成隔着绝缘膜面对所述光电转换膜并且吸引在所述光电转换膜处生成的所述电荷。15.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,在所述堆叠结构中,从所述堆叠结构的上侧起,顺序地堆叠有第一光电转换元件、第二光电转换元件和第三光电转换元件,并且所述滤色器被设置成部分地覆盖所述第二光电转换